温度变化时晶体管的参数将有哪些变化?
直流放大倍数hfe增大；穿透电流Iceo增大。
你可以实验一下：将三极管插入HFE插座，然后用手指捏住三极管，这时显示数字会逐渐加大。
温度对三极管参数的影响
几乎所有的三极管参数都与温度有关，因此不容忽视。温度对下列的三个参数影响最大。
（1）对β的影响：
三极管的β随温度的升高将增大，温度每上升l℃，β值约增大0.5～1％，其结果是在相同的IB情况下，集电极电流IC随温度上升而增大。
（2）对反向饱和电流ICEO的影响：
ICEO是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，ICEO将增加一倍。由于硅管的ICEO很小，所以，温度对硅管ICEO的影响不大。
（3）对发射结电压ube的影响：
和二极管的正向特性一样，温度上升1℃，ube将下降2～2.5mV。
综上所述，随着温度的上升，β值将增大，iC也将增大，uCE将下降，这对三极管放大作用不利，使用中应采取相应的措施(如加装散热片等）克服温度的影响。
当温度变化时，晶体管特性参数电流放大系数β、反向饱和电流ICBO、基一射极电压VBE的变化比较明显，实验证明温度每升高1℃，β约增大0.1％左右，VBE减小2～2.5mV；温度每升高10℃，iCBO约增加1倍。
以基本共射放大电路为例，当温高升高时，可见，无论是VBE的减小，还是β、ICBO的增大，都会使Ic增大，静态工作点向饱和区移动。
晶体管h参数,晶体管h参数是什么意思
其中Ib、Ube为晶体管的输入变量，面Ic、Uce为输出变量。方程中的四个系数hie、hre、hfe、hoe 这4个参数称为晶体管的等效h 参数，其中 h 参数的物理意义为：hie称为输出端交流短路时的输入电阻，简称输入电阻。它反映输出电UCE不变时，基极电压对基极电流的控制能力，习惯上用RbE表示。hre称为输入端...
请问表征晶体管的三个参数是什么
BJT）和场效应晶体管（FET），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。
什么是电路参数?以及电路参数变化对静态工作点和电压放大倍数的...
负载（RL）增大，放大倍数增大；Rc增大放大倍数增大；Rb增大时，静态工作点无明显变化，放大倍数变大。
为什么全桥对温漂有抑制作用
这种配置使得全桥电路对温度漂移的敏感度降低，当温度变化时，每个晶体管或运算放大器的参数都会发生变化，这会导致输出电压的漂移，但是，由于全桥电路的结构对称性，这种漂移会在两个正弦波振荡器中抵消，所以全桥电路对温度漂移的抑制作用主要是由于其电路结构的对称性和补偿机制。
晶体管有哪些特性?
反向电流等。 （一）电流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。 根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。 1．直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，...
使高频晶体管稳定工作的要素
集电结电容是主要引起不稳定的因素，它的反馈可能会是放大器自激振荡；环境温度的改变会使晶体管参数发生变化，如Coe、Cie、gie、goe、yfe、引起频率和增益的不稳定。 负载阻抗过大，增益过高也容易引起自激振荡。高频三极管的结构多为扩散型管，它的PN结反向击穿电压较低。低频三极管多采用合金型结构，它...
什么是晶体管?
1．直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。2．交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量...
晶体管的四躁参数用什么仪器可以测得,仪器又是基于什么原理设计的?
图2是││随频率的变化关系,当测量频率f0>(3～5)时(图中斜线的区域),满足fT=||·f0为一常数。式中||是共发射极输出短路时的电流放大系数的模值;是共发射极电流放大系数截止频率。这个关系使测量频率可选取在远低于fT的频率上。测量fT的系统框图如图2b。还可以将被测晶体管作为二端口网络，用网络...
放大电路中产生零点漂移的主要是什么???
3、半导体器件随温度变化而产生变化，也将造成输出电压的漂移。前两个因素造成零点漂移较小，实践证明，温度变化是产生零点漂移的主要原因，也是最难克服的因素，这是由于半导体器件的导电性对温度非常敏感，而温度又很难维持恒定造成的。当环境温度变化时，将引起晶体管参数VBE，β，ICBO的变化，从而使放大...
当晶体管的集电极电流IC超过ICM时,晶体管的β值等参数将发生怎样...
β值会迅速降低,当电流增大到超过晶体管PCM时会使管子烧掉
鬱泪对氨： 当温度变化时,晶体管特性参数电流放大系数β、反向饱和电流ICBO、基一射极电压VBE的变化比较明显,实验证明温度每升高1℃,β约增大0.1%左右,VBE减小2~2.5mV;温度每升高10℃,iCBO约增加1倍. 以基本共射放大电路为例,当温高升高时,可见,无论是VBE的减小,还是β、ICBO的增大,都会使Ic增大,静态工作点向饱和区移动.
花山区19537715667： 产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响? - ？
鬱泪对氨： 产生零点漂移的原因很多,主要有3个方面: 1、电源电压的波动,将造成输出电压漂移; 2、电路元件的老化,也将造成输出电压的漂移; 3、半导体器件随温度变化而产生变化,也将造成输出电压的漂移. 前两个因素造成零点漂移较小,实践...
花山区19537715667： 当温度升高时,晶体管的输入特性曲线将向 移 - ？
鬱泪对氨： 亲爱的楼主: 温度变化的规律与晶体管正向导通电压一样, 所以输入特性曲线随温度升高向左移. 祝您步步高升,期望你的采纳,谢谢
花山区19537715667： 晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β、ICBO、UBE...？
鬱泪对氨： 1.半导体器件对温度最敏感.在高温条件下,晶体管的H F E 随温度升高而增大, 从而引起工作点漂移、增益不稳,造成电子仪器性能不稳定,产生漂移失效; 2.由于温度升高,使晶体管I c b o、I c e o 反向电流增大,又会使I c 电流增大.I c 增...
花山区19537715667： 什么是电路参数?以及电路参数变化对静态工作点和电压放大倍数的影响? - ？
鬱泪对氨： 负载(RL)增大,放大倍数增大;Rc增大放大倍数增大;Rb增大时,静态工作点无明显变化,放大倍数变大.
花山区19537715667： 自激振荡和温度漂移区别 - ？
鬱泪对氨： 自激震荡是指不外加激励信号而自行产生的恒稳和持续的振荡.[1] 从数学的角度出发,它是一种出现于某些非线性系统中的一种自由振荡.一个典型例子是范达波尔(Van der Pol)方程所描述的系统,方程形式为 mx¨-f(1-x2)x·-kx=0 (m>0, f>0...
