晶体管有哪些特性？

晶体管的特性是什么？~

场效bai应管是利用栅极电场的作用来工作du的；是一种载流子——多数zhi载流子工作的器件；在电流的dao主要通路（沟道）上不存在pn结；输入电阻接近无穷大；输入端不需要电流驱动，只需要电压即可，即是电压驱动的器件，输入回路简单等。双极型晶体管管是利用pn结注入载流子来工作的；是两种载流子参与工作的器件；是由两个背靠背连接的pn结构成的；输入电阻很小；输入端需要有电流才能工作，是电流驱动的器件等。

尽管最初的晶体管原始且笨拙，但它在当时却是一个举世震惊的突破。晶体管的发明，终于使体积大、耗能多、易碎的真空管有了替代物。同真空管相同的是，晶体管能放大微弱的电子信号；不同的是它廉价、耐久、耗能少，而且在科技高速发展的今天它几乎能够被制成无限小。
1999年9月，法国原子能委员会的科学家研制出当今世界上最小的晶体管，这种晶体管直径仅为20纳米。如果将这种晶体管放进一片普通集成电路中，就好像一根头发丝被放在足球场的中央一样。
如今，小小的晶体管正在我们生活中的各个领域发挥着它不可忽视的作用。

一、晶体管的种类 晶体管有多种分类方法。 （一）按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 （二）按结构及制造工艺分类 晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。 （三）按电流容量分类 晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。 （四）按工作频率分类 晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。 （五）按封装结构分类 晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。 （六）按功能和用途分类 晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。 二、晶体管的主要参数 晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。 （一）电流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。 根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。 1．直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。 2．交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。 hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。 （二）耗散功率 耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。 耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。 通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。 （三）频率特性 晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。 晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。 1．特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。 通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。 2．最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。 通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。 （四）集电极最大电流ICM 集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时，晶体管的β值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至还会损坏。 （五）最大反向电压 最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。 1．集电极—发射极反向击穿电压 该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大允许反向电压，一般用VCEO或BVCEO表示。 2．集电极—基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的最大允许反向电压，用VCBO或BVCBO表示。 3．发射极—基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的最大允许反向电压，用VEBO或BVEBO表示。 （六）反向电流 晶体管的反向电流包括其集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO。 1．集电极—基极之间的反向电流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。 2．集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好。

晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。 　　晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。 　　1、特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。 　　通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。
　2、最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。 　　通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ

晶体管能放大微弱的电子信号；它廉价、耐久、耗能少，而且在科技高速发展的今天它几乎能够被制成无限小。

晶体管有掺杂特性。光明星月明星。

晶体管的主要特性是具有。
A.单向导电性
B.滤波作用
C.稳压作用
D.电流放大作用

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蓍受代文： 晶体管的电流放大系数与工作频率有关.若晶体管超过了其工作频率范围,则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用. 晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振...

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蓍受代文： 晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一,在电路中用“V”或“VT”(旧文字符号为“Q”、“GB”等)表示. 晶体管是内部含有两个PN结,外部通常为三个引出电极的半导体器件.它对电信号有放大和开关等作用,应用十分广泛. ...

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蓍受代文： 1.晶体管的结构 晶体管内部由两PN结构成,其三个电极分别为集电极(用字母C或c表示),基极(用字母B或b表示)和发射极(用字母E或e表示).如图5-4所示,晶体管的两个PN结分别称为集电结(C、B极之间)和发射结(B、E极之间)...

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蓍受代文： 其典型结构是以一个均匀轻掺杂高电阻率的N型单晶半导体作为基区,两端做成欧姆接触的两个基极,在基区中心或者偏向其中一个极的位置上用浅扩散法重掺杂制成PN结作为发射极(图中)

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蓍受代文：[答案] 普通晶体管是由三块半导体材料按一定的形式组合而成的.和二极管不同,晶体管是由三个不同的导电区域构成的,即发射区、基区和集电区.对应三个区域引出的三个电极,分别称为发射极E、基极B和集电极C.晶体管有两个PN结,分...

中山市17841821834： 单结晶体管有什么特性 - ？
蓍受代文： 单结晶体管记得叫做双基极晶体管,两个基极间具有一定阻值,当发射结电压高到预设分压比就会向第一基极放电作为输出脉冲.这个晶体管通常作为可控硅的触发脉冲的产生电路.具体使用方法需要查阅比较早期的晶体管手册.用它所连接的振荡器可以作为各种尖脉冲发生器.

中山市17841821834： 晶体管具有 ( )导电的特性,即 ( )电阻小,( )电阻大的特性整流二极管串联 - ？
蓍受代文： 如果把题目中的“晶体管”改为“二极管”或“PN结”,那么楼上的回答是正确的,但是不能说晶体管具有单向导电的特性.