当晶体管的集电极电流IC超过ICM时,晶体管的β值等参数将发生怎样变化

作者&投稿:翠柳 (若有异议请与网页底部的电邮联系)
如何依据晶体管的输出特性曲线判断功率管子的工作状态~

晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。 电流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数,用来表示晶体管放大能力。
根据晶体管工作状态的不同,电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。
1.直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数,是指在静态无变化信号输入时,晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值,一般用hFE或β表示。
2.交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数,是指在交流状态下,晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值,一般用hfe或β表示。
hFE或β既有区别又关系密切,两个参数值在低频时较接近,在高频时有一些差异。
※ 耗散功率 耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM,是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。
耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时,其实际功耗不允许超过PCM值,否则会造成晶体管因过载而损坏。
通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管,PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管,将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。
※ 频率特性 晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围,则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。
晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。
1.特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时,其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。
通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管,将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管,将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。
2.最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。
通常,高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα,而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。
集电极最大电流ICM 集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时,晶体管的β值等参数将发生明显变化,影响其正常工作,甚至还会损坏。
最大反向电压 最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。
1.集电极——发射极反向击穿电压 该电压是指当晶体管基极开路时,其集电极与发射极之间的最大允许反向电压,一般用VCEO或BVCEO表示。
2.集电极——基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管发射极开路时,其集电极与基极之间的最大允许反向电压,用VCBO或BVCBO表示。
3.发射极——基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管的集电极开路时,其发射极与基极与之间的最大允许反向电压,用VEBO或BVEBO表示。
※ 反向电流 晶体管的反向电流包括其集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO。
1.集电极——基极之间的反向电流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流,是指当晶体管的发射极开路时,集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感,该值越小,说明晶体管的温度特性越好。
2.集电极——发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时,其集电极与发射极之间的反向漏电电流,也称穿透电流。此电流值越小,说明晶体管的性能越好。
如何用万用表测试三极管
(1) 判别基极和管子的类型
选用欧姆档的R*100(或R*1K)档,先用红表笔接一个管脚,黑表笔接另一个管脚,可测出两个电阻值,然后再用红表笔接另一个管脚,重复上述步骤,又测得一组电阻值,这样测3次,其中有一组两个阻值都很小的,对应测得这组值的红表笔接的为基极,且管子是PNP型的;反之,若用黑表笔接一个管脚,重复上述做法,若测得两个阻值都小,对应黑表笔为基极,且管子是NPN型的。
(2)判别集电极
因为三极管发射极和集电极正确连接时β大(表针摆动幅度大),反接时β就小得多。因此,先假设一个集电极,用欧姆档连接,(对NPN型管,发射极接黑表笔,集电极接红表笔)。测量时,用手捏住基极和假设的集电极,两极不能接触,若指针摆动幅度大,而把两极对调后指针摆动小,则说明假设是正确的,从而确定集电极和发射极。 3) 电流放大系数β的估算

电路中三极管输出特性也很简单,看看就懂了,这是基础,建议掌握

β值会迅速降低,当电流增大到超过晶体管PCM时会使管子烧掉


测得工作在放大电路晶体管的三个电极电流如下图所示,判断它们各是NPN管...
这是一个NPN管 把这个管子看作一个节点,总流入电流=总流出电流,所以总流入电流为:0.1mA + 4mA,总流出电流为4mA。对于NPN管,发射极电流=基极电流+集电极电流,所以 4.1=0.1+4,等式成立 对于PNP管,由于只有发射极才是流入端,也是电流流过最大的电极,所以明显与上图不符 所以,最后的...

三极管的基极电流等于集电极电流吗?
在共发射极电路中,三极管集电极电流等于基极电流的β倍。

三级管随温度的升高,为什么集电极电流会升高
我认为大致有三个因素 1.极电结的反向漏电流是正温度系数的,随温度升高,集电极电流会升高。2.晶体管的hfe是正温度系数的,基极电流一定时,随温度升高,集电极电流会升高。3.晶体管的rbe是负温度系数的,温度升高时基极电流会增加,集电极电流会升高。

...最大允许电流 I CM .当晶体管工作时的集电极电流超过 I CM 时,晶...
可把放大倍数理解成:输出电流比输入电流,当输出电流达到极限不能再增加时,分母越大,比值越小。

一晶体三极管的集电极电流IC=0.05A,电流放大倍数β=80 其基极电流多大...
当Uce较小时,Ic变化较小,即Ib失去了对Ic的控制能力,三极管处于饱和状态。此时,三极管的发射结和集电结都处于正向偏置状态,即:Ube>Uon且Uce < Ube ,βIb > Ic,Uce ≈0.3V。饱和时的Uce用Uces表示,三极管深度饱和时Uces很小,一般小功率管的Uces< 0.3V,锗管的Uces< 0.1V,比硅管还要...

三极管的集电极电流
Ic是集电极电流,随不同的工作点、不同的输入信号而变化,不是一个定数。三极管的参数中,是“最大集电极电流Icm”,是一个极限参数,使用中,集电极电流不能超过此值。另两个极限参数是最大集电极耗散功率Pcm、最高集电结反向击穿电压BVcbo(或BVceo)。用晶体管特性图示仪,可以测量BVcbo(或BVceo)。Pcm...

晶体管放大器在有信号输出时,晶体管基极电压和电流增加,集电极电压和...
会使基极电流和电压往集电极流去,发射极没有信号输出,最终导致晶体管失去信号放大作用。

三极管电流从什么流入从什么流出?
PNP管:电流从发射极流入基极与集电极。然而NPN管:电流从基极,集电极流入从发射极流出三极管正常工作条件:给管子BE结加正扁电压,BC结加反扁电压,BE结的正扁电压要大于或等于导通电压。NPN型:Uc〉Ub〉Ue PNP型:Ue〉Ub〉Uc

求这道硅晶体管电路中判别工作状态的答案!求详细解答过程!
[ 15V(电源电压)-0.7V(发射结电压)]\/(RB+RE)=14.3V \/ (470K+1K)=0.03 mA 集电极的电流应为:0.03mA X 100=3mA,集所能提供的最大电流为:15V\/(2K+1K)=5mA---所以工作在放大的状态。图C:基极电流:(15V-0.7V)\/(100K+1K)=0.1416mA 放大后的集电极电流应为0.1416 m...

放大电路的静态工作点通常是指哪三个直流量
在放大电路中,当有信号输入时,交流量与直流量共存。将输入信号为零、即直流电源单独作用的时候晶体管的基极电流Ib、集电极电流Ic(或 Ie )、管压降 Ube和 c-e 间电压 Uce称之为静态工作点Q,常将Q点记作IBQ、ICQ(或IEQ)、UBEQ、UCEQ。静态工作点是直流负载线与晶体管的某条输出特性曲线的交点。

贵溪市18956057000: 当晶体管的集电极电流IC超过ICM时,晶体管的β值等参数将发生怎样变化 -
皇实美克: β值会迅速降低,当电流增大到超过晶体管PCM时会使管子烧掉

贵溪市18956057000: 晶体三极管的输出特性指什么概念 -
皇实美克: 三极管的输出特性是指当基极电流Ib一定时,集电极电流Ic与集-射极电压Uce之间的关系曲线.在不同的Ib下,可得出不同的曲线,所以三极管的输出特性是一组曲线.通常把输出特性曲线分为三个工作区:(1)放大区:输出特性曲线的近于水平部分是放大区.在放大区,Ic=Ib*β,由于在不同Ib下电流放大系数近似相等,所以放大区也称为线性区.三级管要工作在放大区,发射结必须处于正向偏置,集电结则应处于反向偏置,对硅管而言应使Ube>0,Ubc<0.(2)截止区:Ib=0的曲线以下的区域称为截止区.实际上,对NPN硅管而言,当Ube (3)饱和区:输出特性曲线的陡直部分是饱和区,此时Ib的变化对Ic的影响较小,在饱和区,Uce

贵溪市18956057000: 当晶体三极管集电极电流Ie>IcM时,该管(). -
皇实美克: 错.当时教科书上三极管的集电极电流最大允许电流ICM定义有3.1,UCE与IC乘积不得大PCM,2,当β小于一定值,3,由管内引线限制.

贵溪市18956057000: 三极管的集电极电流增加到icm后,三极管的极限参数β如何变化 -
皇实美克: 对于双极型三极管来说,在集电极电流Ic过大或过小时,其β值都会变小.当集电极电流达到Icm时 ,管子的β会大大变小.

贵溪市18956057000: 现在使用的晶体管有几种:分别是什么? -
皇实美克:[答案] “晶体管”,英文是transistor;“逻辑”,英文是logic;输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路,叫做晶体管-晶体管逻辑... (四)集电极最大电流ICM 集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流.当晶体管的集电极电流IC超过ICM时,...

贵溪市18956057000: 晶体三极管是干什么用的?能帮我介绍一下吗? -
皇实美克: 晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一,在电路中用“V”或“VT”(旧文字符号为“Q”、“GB”等)表示.晶体管是内部含有两个PN结,外部通常为三个引出电极的半导体器件.它对电信号有放大和开关等作用,应用十分广泛....

贵溪市18956057000: 使用三极管时,只要①集电极电流超过ICM值;②耗散功率超过PCM值;③...
皇实美克: 电容.电容通交流阻直流

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