温度升高时晶体管参数变化
温度升高,晶体管的输入特性曲线的间隔
增大。温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将上移，输出特性曲线将左移而且输出特性曲线之间的间隔将增大。
模拟电子中,温度升高时,晶体管的正向结电压为什么是减小的。
因为晶体管的正向结是半导体材料，当温度升高时，那它载流子的扩散运动大于漂移运动，使PN结内部电压减小，所以正向结电压也随减小。
零点漂移现象的产生原因是什么?
放大电路在输入端短路（即没有输入信号输入时）用灵敏的直流表测量输出端，也会有变化缓慢的输出电压产生，称为零点漂移现象。由温度变化所引起的半导体器件参数的变化是产生零点漂移现象的主要原因，因此也称零点漂移为温度漂移，简称温漂。温度漂移指环境温度变化时会引起晶体管参数的变化，这样会造成静态工作...
模拟电子中,温度升高时,晶体管的正向结电压为什么是减小的
温度升高，PN结内的少数载流子（少子）增加，相当于结电阻减小，因此造成结压降减小！手打不易，如有帮助请采纳，或点击右上角的满意，谢谢！！
三极管β为什么会随温度上升?
与化学反应原理差不多，温度升高后，微观粒子运动更加活跃，而晶体管的特征就是微观粒子在电场作用下的表现。温度升高不仅放大倍数增加，而且集电极电流、穿透电流也变大。
晶体管工作受温度影响是由于温度升高什么增加所致
hFE将随温度的降低而减。在低温-55℃条件下，一般晶体管的增益平均下降40%左右，有一些器件失去了放大能力，有一些器件造成致命失效；过高温度对电容器的影响，主要是降低使用寿命，当环境温度超过电容器的允许工作温度时，硬度电容工作点，温度每升10℃，电容器的使用寿命就要降低一半。
关于大功率晶体管的几个问题
1、晶体管工作时会发热，就是说要消耗功率，当温度太高时晶体管会工作失常甚至坏掉，晶体管的功率参数指的是晶体管能承受的最大耗散功率；2、没有“大功率管的电流放大倍数要比小功率管低”这种说法。只是大功率管在应用中，很多场合可以用小放大倍数的。而小功率管的应用中往往要求较大的放大倍数。
为什么在温度升高的时候反向击穿电压会变小
你说的是晶体管吧?这就是半导体元器件的致命缺点!在高温下,不但是反向击穿电压会变小!它的各项参数都会因温升恶化而大打折扣!因此凡功率发热元件必需要装配合理的散热装置!半导体元件的这个特性缘于它的材料和构造!我们知道晶体管是由半导体区域性渗入杂质(因渗入杂质的不同而形成P或N型半导体)而构成的...
三级管随温度的升高,为什么集电极电流会升高
我认为大致有三个因素 1.极电结的反向漏电流是正温度系数的，随温度升高，集电极电流会升高。2.晶体管的hfe是正温度系数的，基极电流一定时，随温度升高，集电极电流会升高。3.晶体管的rbe是负温度系数的，温度升高时基极电流会增加，集电极电流会升高。
晶体管开关时间随温度升高而变大的原理是什么呀?
这是晶体管的热稳定性变化带来的影响（在一定的温度范围内随着温度的升高晶体管的放大能力是增强的），晶体管是非线性原件，使用时要考虑这些因素，一般情况下主要是用反馈来平衡的（最简单的就是分压式负反馈电路）。一般电路设计时会考虑晶体管的特性的，只是维修时我们在找不到同型号的管子时用代用...
图木自治县市伤科回答： 当温度变化时,晶体管特性参数电流放大系数β、反向饱和电流ICBO、基一射极电压VBE的变化比较明显,实验证明温度每升高1℃,β约增大0.1%左右,VBE减小2~2.5mV;温度每升高10℃,iCBO约增加1倍. 以基本共射放大电路为例,当温高升高时,可见,无论是VBE的减小,还是β、ICBO的增大,都会使Ic增大,静态工作点向饱和区移动.
舌肾15827243262问： 晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β、ICBO、UBE...？
图木自治县市伤科回答： 温漂是指环境温度变化时会引起晶体管参数的变化,这样会造成静态工作点的不稳定,使电路动态参数不稳定,甚至使电路无法正常工作.一般来说,温度升高,晶体管的电流放大倍数增大,Q点(静态工作点)升高;反之减小.这部分额外增加的电流是温度变化引起的,理解为温度漂移.
舌肾15827243262问： 晶体三级管的电流放大系数随温度升高而 - ？
图木自治县市伤科回答： 升高.晶体三极管有3个参数收到温度影响比较大,当温度升高时,Vbe会下降,hFE会升高,Iceo升高.
舌肾15827243262问： 高温对电子元件的影响,从原理上分析? - ？
图木自治县市伤科回答： 1.半导体器件对温度最敏感.在高温条件下,晶体管的H F E 随温度升高而增大, 从而引起工作点漂移、增益不稳,造成电子仪器性能不稳定,产生漂移失效; 2.由于温度升高,使晶体管I c b o、I c e o 反向电流增大,又会使I c 电流增大.I c 增...
