温度升高对晶体管的影响
温度升高,晶体管输出特性曲线( )
因为温度升高时，晶体管的输出电流将增大，所以应该是“上移”。若要详细了解物理原理，可见“http:\/\/blog.163.com\/xmx028@126\/”中的有关说明。
为什么温度升高时三极管的输入特性曲线会左移,而不是右移?
温度升高，半导体中会有更多的束缚电子摆脱共价键，成为载流子，半导体的导电性能增加（也可以理解为电阻变小了），相同的电流通过，压降自然就小（u=ir）。并且三极管（两个pn结，本质还是半导体），所以输入特性曲线左移（左移，在相同电流下，温度高的u小）。
为什么在温度升高的时候反向击穿电压会变小
你说的是晶体管吧?这就是半导体元器件的致命缺点!在高温下,不但是反向击穿电压会变小!它的各项参数都会因温升恶化而大打折扣!因此凡功率发热元件必需要装配合理的散热装置!半导体元件的这个特性缘于它的材料和构造!我们知道晶体管是由半导体区域性渗入杂质(因渗入杂质的不同而形成P或N型半导体)而构成的...
某一放大器采用分压式偏置电路,当温度升高时,Uce将如何变化?
通常温度每升高1°C，晶体管β值增大约0.5%~1%。因此，在Ib不变情况下，温度升高，Ic增大，Uce减小。不过由于发射极反馈电阻的负反馈作用，分压式偏置电路温度升高后Ic增大量及Uce减小量都比基本共射放大电路的要小，所以工作点得到一定程度的稳定。
某一放大器采用分压式偏置电路,当温度升高时,Uce将如何变化?
温度升高1度C，晶体管β值大约增长0.5%~1%。导数负，数量减。导数正，数量增。集电极偏置电流Ic关于晶体管β值的导数为正，故温度升高时Ic少许变大。Uce=Ucc-(Rc+Re)Ic 故温度升高时Uce少许变小。
三级管随温度的升高,为什么集电极电流会升高
我认为大致有三个因素 1.极电结的反向漏电流是正温度系数的，随温度升高，集电极电流会升高。2.晶体管的hfe是正温度系数的，基极电流一定时，随温度升高，集电极电流会升高。3.晶体管的rbe是负温度系数的，温度升高时基极电流会增加，集电极电流会升高。
...是电路参数?以及电路参数变化对静态工作点和电压放大倍数的影响?
负载（RL）增大，放大倍数增大；Rc增大放大倍数增大；Rb增大时，静态工作点无明显变化，放大倍数变大。
静态工作点对放大器有什么影响?
温度对Q点的影响:当晶体管的环境温度升高时,晶体管中载流子的运动增强,因此放大电路中的参数也随之改变。 扩展资料: 静态工作点功能:确定放大电路电压、电流的静态值;选择合适的静态工作点可以防止电路的非线性失真。良好的放大是有保证的。 1、静工作点的确定: 静态工作点是晶体管直流负载线与输出特性曲线的交点。
温度升高后,晶体三极管的集电极电流Ic有无变化?为什么?
变大，因为晶体管的电流是正温度系数的
大工20秋《模拟电子技术》在线作业1题目【咨询答案】?
D、不确定 答：A 第4题(单选题）已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为1.3V、2V和6V,则6V所对应的电极为()。A、发射极 B、集电极 C、基极 D、无法确定 答：B 第5题(单选题）温度升高,晶体管的管压降│Ube│()。A、增大 B、减小 C、不变 D、不确定 答：B ...
伊宁县乙醇回答： 当温度变化时,晶体管特性参数电流放大系数β、反向饱和电流ICBO、基一射极电压VBE的变化比较明显,实验证明温度每升高1℃,β约增大0.1%左右,VBE减小2~2.5mV;温度每升高10℃,iCBO约增加1倍. 以基本共射放大电路为例,当温高升高时,可见,无论是VBE的减小,还是β、ICBO的增大,都会使Ic增大,静态工作点向饱和区移动.
夹兰18291402445问： 当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic( 变小 ),发射结压降( 不变 )对不? - ？
伊宁县乙醇回答：[答案] 温度升高,原子热运动加剧导致自由电子和空穴增加,所以在电场(电压恒定)一定条件下电流会明显变大! (1)对β的影响: 三极管的β随温度的升高将增大,温度每上升l℃,β值约增大0.1%,其结果是在相同的IB情况下,集电极电流IC随温度上升...
夹兰18291402445问： 高温对电子元件的影响,从原理上分析? - ？
伊宁县乙醇回答： 1.半导体器件对温度最敏感.在高温条件下,晶体管的H F E 随温度升高而增大, 从而引起工作点漂移、增益不稳,造成电子仪器性能不稳定,产生漂移失效; 2.由于温度升高,使晶体管I c b o、I c e o 反向电流增大,又会使I c 电流增大.I c 增...
夹兰18291402445问： 模拟电子中,温度升高时,晶体管的正向结电压为什么是减小的. - ？
伊宁县乙醇回答： 因为晶体管的正向结是半导体材料,当温度升高时,那它载流子的扩散运动大于漂移运动,使PN结内部电压减小,所以正向结电压也随减小.
夹兰18291402445问： 温度升高为什么会导致晶体管基集与发射集电压减小 - ？
伊宁县乙醇回答： 晶体管的发射结正向压降与发射结的势垒高度直接有关,势垒越低,电压就越小. 当温度升高时,半导体的Fermi能级都要向禁带中央移动,同时禁带宽度也变窄.而晶体管发射结的势垒高度是等于p型和n型半导体的Fermi能级之差,则随着温度的升高,势垒高度降低,从而导致发射结的正向压降减小.
夹兰18291402445问： 晶体三级管的电流放大系数随温度升高而 - ？
伊宁县乙醇回答： 升高.晶体三极管有3个参数收到温度影响比较大,当温度升高时,Vbe会下降,hFE会升高,Iceo升高.
夹兰18291402445问： 晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β、ICBO、UBE...？
伊宁县乙醇回答： C.温度升高,PN结导通电压降低,2-2.5mv/℃
