温度升高时+晶体管的β将

作者&投稿:长孙骂 (若有异议请与网页底部的电邮联系)

晶体管的参数受温度的影响较大,当温度升高时,晶体管的β、ICBO、UBE的...
【答案】:A 根据晶体管的特性,当温度上升,β增加,且温度每上升1摄氏度,β增加大约0.5%~1%。UBE会减小,集电极反向饱和电流ICBO增加。β的增加导致集电极电流IC增加。三极管的温度特性较差,使用中应采取相应的措施克服温度的影响。

温度升高晶体管输出特性曲线
温度升高,晶体管输出特性曲线上移;因为温度升高时,晶体管的输出电流将增大,所以晶体管输出特性曲线是“上移”;晶体管是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能;晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。

温度升高,晶体管的输入特性曲线的间隔
增大。温度升高时,晶体管的共射输入特性曲线将上移,输出特性曲线将左移而且输出特性曲线之间的间隔将增大。

模拟电子中,温度升高时,晶体管的正向结电压为什么是减小的.
因为晶体管的正向结是半导体材料,当温度升高时,那它载流子的扩散运动大于漂移运动,使PN结内部电压减小,所以正向结电压也随减小.

温度升高,放大系数β变大还是变小?
一般情况下是变大。温度升高时,晶体管的特性曲线上移,造成△Ic不同。实际上对于大多数晶体管来说,温度升高,放大系数β变大的程度有限,但噪声增加的程度远大于β上升的程度。所以电路要采取措施,把温度的影响降下来。

温度变化时晶体管的参数将有哪些变化?
ICBO ICEO β 增大 VBE是负温度系数随温度升高降低0.2\/度

模拟电子中,温度升高时,晶体管的正向结电压为什么是减小的。
因为晶体管的正向结是半导体材料,当温度升高时,那它载流子的扩散运动大于漂移运动,使PN结内部电压减小,所以正向结电压也随减小。

当温度升高时,双极型晶体管的动态电流放大系数β怎样变化?
可能增加、可能降低,见下图 开始IC电流增加β增加,当IC增加到一定值后,β开始下降;注意温度增加一般电流增益增大,但是当IC电流到一定值时,不一定温度越高,电流增益越大,比如:上图,IC大于接近200mA后,25℃的增益比125℃的增益还要大

晶体管工作受温度影响是由于温度升高什么增加所致
由于温度升高,使晶体管Icbo、Iceo反向电流增大,又会使Ic电流增大。Ic增大又促使晶体Icbo、Iceo、Ic电流增加,形成恶性循环,直到晶体管烧毁,使仪器造成严重失效;晶体管在低温下工作,hFE将随温度的降低而减。在低温-55℃条件下,一般晶体管的增益平均下降40%左右,有一些器件失去了放大能力,有一些器件...

在温度20℃时某晶体管的ICBO=2μA,那么温度是60℃时ICBO约为( )。
【答案】:D ICBO为极间反向电流,随着温度升高快速增加,温度每升高10℃,ICBO增加约1倍,因此从20℃增加到60℃时,n=(60-20)\/10=4,则ICBO约为:ICBO=2μA×2^4=32μA。

太屠19393559529问: 当温度升高时,晶体管的β( ),反向电流( ),UBE( ). -
城东区乙酰回答: β↑,反向电流↑,ube↓.

太屠19393559529问: 温度变化时晶体管的参数将有哪些变化? -
城东区乙酰回答: 当温度变化时,晶体管特性参数电流放大系数β、反向饱和电流ICBO、基一射极电压VBE的变化比较明显,实验证明温度每升高1℃,β约增大0.1%左右,VBE减小2~2.5mV;温度每升高10℃,iCBO约增加1倍. 以基本共射放大电路为例,当温高升高时,可见,无论是VBE的减小,还是β、ICBO的增大,都会使Ic增大,静态工作点向饱和区移动.

太屠19393559529问: 当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic( 变小 ),发射结压降( 不变 )对不? -
城东区乙酰回答:[答案] 温度升高,原子热运动加剧导致自由电子和空穴增加,所以在电场(电压恒定)一定条件下电流会明显变大! (1)对β的影响: 三极管的β随温度的升高将增大,温度每上升l℃,β值约增大0.1%,其结果是在相同的IB情况下,集电极电流IC随温度上升...

太屠19393559529问: 电路填空1、二极管的正向电阻( ),反向电阻( ) 2、当温度升高时,晶体管的β( ),反向电流( ),UBE( ).3、负反馈有( )、( )、( )、( )四种... -
城东区乙酰回答:[答案] 1.要小 要大 2.增大 增大 减小 3.电压串联负反馈,电流串联负反馈,电压并联负反馈,电流并联负反馈 4.阻容耦合,直接耦合,变压器耦合 5.增大 减小 减小 增加

太屠19393559529问: 晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β、ICBO、UBE...
城东区乙酰回答: 通常温度每升高1°C,晶体管β值增大约0.5%~1%. 因此,在Ib不变情况下,温度升高,Ic增大,Uce减小. 不过由于发射极反馈电阻的负反馈作用,分压式偏置电路温度升高后Ic增大量及Uce减小量都比基本共射放大电路的要小,所以工作点得到一定程度的稳定.

太屠19393559529问: 三极管β随温度变化的理解 -
城东区乙酰回答: 这个看法不对,温度增加,集电极收集到的非平衡少子增加,但是温度增加,发射极发射的非平衡少子也增加.所以基级复合电流也可能增加.无法确定放大倍数变化.


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