温度升高,晶体管的输入特性曲线的间隔

零点漂移现象和温度漂移现象的原理是什么?
零点漂移的信号会在各级放大的电路间传递，经过多级放大后，在输出端成为较大的信号。温度漂移，一般是指环境温度变化时会引起晶体管参数的变化，这样会造成静态工作点的不稳定，使电路动态参数不稳定，甚至使电路无法正常工作。温度升高，晶体管的电流放大倍数增大，Q点升高；反之减小。

...当温度升高时,晶体管的β、ICBO、UBE的变化情况为( )。
【答案】：A 根据晶体管的特性，当温度上升，β增加，且温度每上升1摄氏度，β增加大约0.5%～1%。UBE会减小，集电极反向饱和电流ICBO增加。β的增加导致集电极电流IC增加。三极管的温度特性较差，使用中应采取相应的措施克服温度的影响。

模拟电子中,温度升高时,晶体管的正向结电压为什么是减小的.
因为晶体管的正向结是半导体材料,当温度升高时,那它载流子的扩散运动大于漂移运动,使PN结内部电压减小,所以正向结电压也随减小.

温度升高为什么会导致晶体管基集与发射集电压减小
晶体管的发射结正向压降与发射结的势垒高度直接有关，势垒越低，电压就越小。当温度升高时，半导体的Fermi能级都要向禁带中央移动，同时禁带宽度也变窄。而晶体管发射结的势垒高度是等于p型和n型半导体的Fermi能级之差，则随着温度的升高，势垒高度降低，从而导致发射结的正向压降减小。

模拟电子中,温度升高时,晶体管的正向结电压为什么是减小的。
因为晶体管的正向结是半导体材料，当温度升高时，那它载流子的扩散运动大于漂移运动，使PN结内部电压减小，所以正向结电压也随减小。

为什么在温度升高的时候反向击穿电压会变小
2. 反向击穿电压是指在半导体器件的反向偏置条件下，当电压达到一定程度时，器件内部会发生击穿现象。在高温下，这一电压阈值通常会降低，这是因为温度升高导致器件内部载流子（电子和空穴）的浓度增加，从而降低了所需的电压来实现击穿。3. 晶体管的构造是由P型和N型半导体材料组成的，这些材料通过特定的...

当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic( 变小 ),发射结压降( 不变...
（2）对反向饱和电流ICEO的影响：ICEO是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，ICEO将增加一倍。由于硅管的ICEO很小，所以，温度对硅管ICEO的影响不大。（3）对发射结电压ube的影响：和二极管的正向特性一样，温度上升1℃，ube将下降2～2.5mV。...

温度升高时,静态工作点将向哪里移动
晶体管的穿透电流和正向导通的死区电压（还有其它参数，这里就不多举例了）随温度的升高分别增大和下降，因此，温度升高时，晶体管放大器的静态工作点沿负载线向左上方移动。

双极型晶体管的影响
由于在基极开路时，集电结是反偏、发射结是正偏的，即BJT处于放大状态。温度对的影响： 是集电结加反向电压时平衡少子的漂移运动形成的，当温度升高时，热运动加剧，更多的价电子有足够的能量挣脱共价键的束缚，从而使少子的浓度明显增大， 增大。温度每升高10 时， 增加约一倍。硅管的 比锗管的小...

晶体管开关时间随温度升高而变大的原理是什么呀?
这是晶体管的热稳定性变化带来的影响（在一定的温度范围内随着温度的升高晶体管的放大能力是增强的），晶体管是非线性原件，使用时要考虑这些因素，一般情况下主要是用反馈来平衡的（最简单的就是分压式负反馈电路）。一般电路设计时会考虑晶体管的特性的，只是维修时我们在找不到同型号的管子时用代用...