深n阱工艺
MOS IC 是什么意思?
按电晶体的沟道导电型别，可分为P沟MOSIC、N沟MOSIC以及将P沟和N沟MOS电晶体结合成一个电路单元的互补MOSIC，分别称为PMOS 、NMOS和CMOS积体电路。随着工艺技术的发展，CMOS积体电路已成为积体电路的主流，工艺也日趋完善和复杂 ，由P阱或N阱CMOS发展到双阱CMOS工艺。80年代又出现了集双极型电路和...
闩锁效应简介
闩锁效应是一种在CMOS工艺中特有的寄生现象，它可能导致电路失效甚至芯片烧毁。这一效应源于NMOS和PMOS晶体管构成的n-p-n-p结构，当其中一个三极管偏置后，会形成正反馈，形成所谓的闩锁。要避免闩锁，关键在于减小衬底和N阱的寄生电阻，防止寄生三极管处于正偏状态。静电和ESD引发的电压瞬变是闩锁效应的...
体效应(衬偏效应)
第二问：体效应的影响揭示 1. 表现为耗尽层拓宽和阈值电压提升：体效应导致的阈值电压升高，直接影响了器件的开关速度和带宽。这些关键特性与器件的电荷控制密切相关。2. 衬偏效应的强度与衬底掺杂有关：在典型的CMOS工艺中，PMOS的衬偏效应比NMOS更强，因为高掺杂的n阱能更好地控制电压，与衬底的隔离...
简述硅栅p阱CMOS工艺流程,每次光刻的目的是什么
硅栅p阱CMOS工艺流程,每次光刻的目的如下：第一次光刻：N+隐埋层扩散孔光刻。第二次光刻：P隔离扩散孔光刻。第三次光刻：P型基区扩散孔光刻。第四次光刻：N+发射区扩散孔光刻。第五次光刻：引线孔光刻。第六次光刻：反刻铝。
22nm Planar Process Flow介绍
磷砷的介入在Photoresist Strip and N-Well Implantation：光阻的去除，磷砷的精确注入，为高阈值的实现增色不少。High Vt N-Well Vt Adjust & Well Anneal：高压氮-阱注入As，同时P-阱的调整和热处理，共同提升阈值电压，确保晶体管的高效工作。工艺的细腻之处，如SiON ESL生长和AmSi沉积，30Å...
如何消除衬底偏置效应
①把源极和衬底短接起来，当然可以消除衬偏效应的影响，但是这需要电路和器件结构以及制造工艺的支持，并不是在任何情况下都能够做得到的。例如，对于p阱CMOS器件，其中的n-MOSFET可以进行源-衬底短接，而其中的p-MOSFET则否；对于n阱CMOS器件，其中的p-MOSFET可以进行源-衬底短接，而其中的n-MOSFET则否...
汽车音响产品PCB设计时应注意哪些EMC问题?
CMOS芯片通过一种外延工艺实现极低电阻基底的方法来增强抗闭锁的能力,而基底的底侧为基底噪声提供了一种有效的传导路径,使得很难将噪声源同敏感节点在电气上分隔开来。 许多并行的p+基底触点(contact)为阻性耦合噪声提供了一个低阻抗路径。在n阱和p沟道晶体管p基底的侧壁以及底部之间会形成寄生电容,因而产生容性...
绘制一个双阱COMS工艺的N型MOS管的剖面图。
绘制一个双阱COMS工艺的N型MOS管的剖面图。 这句话怎么理解,特别是“N型MOS管”,是不是一个N阱,一个P阱,然后衬底为N型。。最好给我个图... 这句话怎么理解,特别是“N型MOS管”,是不是 一个N阱,一个P阱,然后衬底为N型。。最好给我个图 展开 ...
多晶硅属于导体还是绝缘体?
它是半导体啊，也就是根据条件的变化，能同时显现出导体与绝缘体两种性质。当栅极加电压之后，会发生载流子本征激发，能导电。对外界，由于制造工艺中的侧墙生长作用，硅栅外部生长绝缘氧化膜，能减少漏电流产生。同时，对于P阱和N阱以及金属线，材质上的不用可以很好地起到隔绝电迁移的作用。
栅氧击穿电压是栅源电压吗
不是。栅氧的击穿电压是比漏极衬底结或源极衬底结的击穿电压低。不是栅源电压。一般工艺上给出的是栅氧和P阱或栅氧和N阱的击穿电压。栅源电压：栅极和源极两端的电压。
北碚区滴通回答： 使用的衬底不同,NMOS使用的是P阱衬底,PMOS使用的是N阱衬底
宇文京14764718209问： N阱CMOS工艺中之所以要将衬底接GND阱接到电源上是因为阱和衬底构成的pn节反偏.请问什么叫阱和衬底pn反偏? - ？
北碚区滴通回答： 就是衬底到阱电压大于等于0
宇文京14764718209问： ESD电路中的NMOS放在深N阱中,但N阱悬空,为什么 - ？
北碚区滴通回答： 使衬底藕合噪声更校一般在对噪声比较敏感的芯片(比如RF芯片)上会用到.逻辑芯片一般都不会有的DNW.目的是用DNW来隔离DNW里面的PW和p-衬底: Deep N-WELL 就是在NWELL之下还有一层N-的注入.有点象BJT里面的埋层
宇文京14764718209问： 硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管? - ？
北碚区滴通回答： N管...............
宇文京14764718209问： cadence ic版图设计用的tsmc工艺库各层的用途是什么?例如nwell层做N阱层,是自己规定的还是工艺库默认的 - ？
北碚区滴通回答： 当然是工艺规定好的 要不然送到工厂 人家怎么知道各个层是什么意思啊
宇文京14764718209问： coms工艺? - ？
北碚区滴通回答： 你打错了吧 CMOS是一块芯片,集成在主板上,里面保存着重要的开机参数,而保存是需要电力来维持的,所以每一块主板上都会有一颗纽扣电池,叫CMOS电池. CMOS里存放着参数,要设置它,我们必须通过程序把设置好的参数写入...
宇文京14764718209问： cmos版图延伸率指什么 - ？
北碚区滴通回答： 1.单级CMOS版图分析 单级CMOS版图的重点是分析串并联关系.MOS管并联:源区连在一起,漏区连在一起.如例1,N阱中的PMOS从左面第一个开始,到第四个栅后,有源区没有和前面的有源区相连,所以有三个MOS管并联,且后面的必然...
宇文京14764718209问： 什么叫做“COMS工艺制造”? - ？
北碚区滴通回答： CMOS:互补性氧化金属半导体CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)和CCD一样同为在数码相机中可记录光线变化的半导体.CMOS的制造技术和一般计算机芯片没什么差别,主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体,使其在CMOS上共存着带N(带–电) 和 P(带+电)级的半导体,这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和解读成影像.然而,CMOS的缺点就是太容易出现杂点, 这主要是因为早期的设计使CMOS在处理快速变化的影像时,由于电流变化过于频繁而会产生过热的现象.
宇文京14764718209问： 什么是mos晶体管时防止闩锁效?什么是mos晶体管时防止闩锁效应 ？
北碚区滴通回答： p衬底,n阱和PMOS的源构成的.当两个双极型晶体管之一前向偏置时(例如由于流经阱... 闩锁效应在早期的CMOS工艺中很重要.不过,现在已经不再是个问题了
