闩锁效应简介
静电和ESD引发的电压瞬变是闩锁效应的常见诱因。当强电场作用于器件的氧化物薄膜，或细金属化线因大电流导致过热，都可能触发闩锁，形成电源与地之间的短路，导致大电流、电过载和器件损坏。早期CMOS工艺中，闩锁效应是个严重问题，但现在随着工艺的进步和设计优化，已经不再是主要威胁。
Latch up（闩锁）现象通常在易受外部干扰的I/O电路或内部电路中发生，它源于CMOS芯片中，电源VDD和地线GND之间的寄生PNP和NPN双极晶体管之间的低阻抗通路。随着集成度的提升，Latch up的风险也随之增大，对IC布局的精心设计以防止过度电流量对芯片造成的永久性损害显得至关重要。
经济学中锁入效应和锁定效应有什么区别?
“锁定效应”本质上是产业集群在其生命周期演进过程中产生的一种“路径依赖”现象。阿瑟(Arthur W B)最先做出关于技术演变过程中路径依赖的开创性研究。阿瑟认为,新技术的采用往往具有收益递增的机制,先发展起来的技术通常可以凭借先占的优势,实现自我增强的良性循环,从而在竞争中胜过自己的对手。与之相反一...
什么是锁定效应
锁定效应的含义：两个相同意义上的科学技术产品，一个是较先进入市场，积累了大量用户，用户对其已产生依赖；另一个较晚才进入市场，同种意义上的科学产品，用户对第一个已经熟悉了解，而另一个还需要用户重新学习了解，产生了很大麻烦，因此较晚进入市场的那个很难再积累到用户，从而慢慢退出市场。
什么是锁定效应
这时候按照短期内的成本收益分析，人们应该永远停留在这个小山峰上，因此使得另外的更高的山峰不再能够达得到。这就是锁定效应，被锁定在小山峰上面永远不可能到达更高的山峰上去了。之所以出现这样的情况，原因在于，人们对于未来的预测一般是短时期的，不可能预测很长时间以后的事情，人们只能预测到短时期...
闩锁效应原理简单解释
闩锁效应，也被称为自锁效应，是一种物理现象，主要出现在半导体器件中。当半导体器件的电压或电流达到某一特定值时，器件的状态会自发改变，从而导致电流的自锁现象。这种现象在许多电子设备中都发挥着重要作用，尤其是在集成电路设计中。以下是 闩锁效应是半导体器件内部载流子运动的结果。在半导体材料中，当...
什么是COMS电路的锁定效应
COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大 。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易 烧毁芯片。防御措施：1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现...
闭锁效应的名词介绍
闭[自]锁效应(latch-up effect):这是某些器件或集成电路中发生像晶闸管（可控硅，SCR）那样的栅极（控制极）能够控制导通、但是不能控制关断的一种现象，是造成IC失效的一种重要原因。晶闸管的结构是p-n-p-n，它可看成是由两个BJT共用一个基区而组合起来的一种器件。它的栅极（控制极）电压可以...
闩锁效应(latch-up)
内部MOS管与I\/O相连处，也应增设Guard ring，对于I\/O使用PMOS（N阱）需谨慎，以免触发闩锁效应。总结：解锁Latch-up的防护策略 Latch-up并非不可战胜，通过科学的间距设计、细致的环形结构布局以及对每个环节的严谨处理，我们可以有效地抑制这个潜在的危机，确保CMOS集成电路的稳定运行，维护电子世界的秩序...
什么是闩锁效应?
闩锁效应，也被称为自锁效应，是一种电子工程现象。在数字电路中，特别是在CMOS电路中，闩锁效应是一种重要的物理效应。当电路中的晶体管受到强烈的正向偏压时，会引发栅极和漏极之间的强电场，从而导致半导体中的载流子行为改变，使得晶体管从一种状态快速转变到另一种状态，也就是常说的开关状态切换。...
锁定效应的演变过程
,锁定效应的演化过程为:空间集聚形成后集聚经济体的创新网络推动的产业集群不断演化,在一定阶段形成“路径依赖”的特征,促进产业集群不断成长并走向成熟。而“路径依赖”特征则将诱发产业集群生命周期演化中的“锁定效应”,并导致产业集群衰亡。
帮忙介绍自锁效应。
即：μ≥tanθ 如果作用于物体的主动力的合力Q的作用线在摩擦角之内，则无论这个力怎样大，总有一个全反力R与之平衡，物体保持静止；反之，如果主动力的合力Q的作用线在摩擦角之外，则无论这个力多么小，物体也不可能保持平衡。这种与力大小无关而与摩擦角有关的平衡条件称为自锁条件。物体在这种...
明强息宁： 即闩锁效应,又称自锁效应、闸流效应,它是由寄生晶体管引起的,属于CMOS电路的缺点.通常在电路设计和工艺制作中加以防止和限制.该效应会在低电压下导致大电流,这不仅能造成电路功能的混乱,而且还会使电源和地线间短路,引起芯片的永久性损坏.防止:在集成电路工艺中采用足够多的衬底接触.
达拉特旗13785776716： 试述双极性晶体管产生一次击穿的原因 - ？
明强息宁： 闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片.闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的,当其中一个三极管正偏时,就会构成正反馈形成闩锁.避免闩锁的方...
达拉特旗13785776716： 什么是mos晶体管时防止闩锁效?什么是mos晶体管时防止闩锁效应 ？
明强息宁： p衬底,n阱和PMOS的源构成的.当两个双极型晶体管之一前向偏置时(例如由于流经阱... 闩锁效应在早期的CMOS工艺中很重要.不过,现在已经不再是个问题了
达拉特旗13785776716： mos管中,为什么当栅极与源极之间电压相同时,D - S之间相当于两个PN结反向串联?怎么看出来? - ？
明强息宁： 呵呵,其实楼主看看MOS的结构图就清楚了,比如对于NMOS来说,是做在P型衬底上的,它的D和S都是N型的,中间的沟道就是P型的,这就形成了NPN结构.在CMOS电路中,有个很重要的闩锁效应就是这个寄生NPN三极管的导通.
达拉特旗13785776716： 闩锁效应中,寄生的两个双极型管中的一个变为正向偏置时,它提供了另...？
明强息宁： 在+B脚和地之间接假负载(灯泡)即可!
达拉特旗13785776716： 普通晶闸管是多少半导体结构 - ？
明强息宁： 四层半导体结构
达拉特旗13785776716： 寻找微电子方面的高手 - ？
明强息宁： 汗,画图题,简述题和描述题我就不解了,名词解释请查百科.16.简单地说同步电路,所有芯片使用同一个时钟脉冲,一同工作;异步电路的时钟脉冲有可能接其他电路的输出,只有该输出引脚电平变化一次,该芯片才会动作一次.18.概念...
