介质损耗详细资料大全

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介质损耗:绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失,简称介损。在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角δ称为介质损耗角。

基本介绍 中文名 :介质损耗 外文名 :Dielectric loss 简称 :介损 形式 :漏导损耗,电离损耗等 危害 :介质的过热使得绝缘破坏 表征 :以介质损耗率表征 概念,形式,表征,工程材料, 概念 电介质在外电场作用下,其内部会有发热现象,这说明有部分电能已转化为热能耗散掉,电介质在电场作用下,在单位时间内因发热而消耗的能量称为电介质的损耗功率,或简称介质损耗(diclectric loss)。介质损耗是套用于交流电场中电介质的重要品质指标之一。介质损耗不但消耗了电能,而且使元件发热影响其正常工作。如果介电损耗较大,甚至会引起介质的过热而绝缘破坏,所以从这种意义上讲,介质损耗越小越好。 形式 各种不同形式的损耗是综合起作用的。由于介质损耗的原因是多方面的,所以介质损耗的形式也是多种多样的。介电损耗主要有以下形式: 1)漏导损耗 实际使用中的绝缘材料都不是完善的理想的电介质,在外电场的作用下,总有一些带电粒子会发生移动而引起微弱的电流,这种微小电流称为漏导电流,漏导电流流经介质时使介质发热而损耗了电能。这种因电导而引起的介质损耗称为“漏导损耗”。由于实阿的电介质总存在一些缺陷,或多或少存在一些带电粒子或空位,因此介质不论在直流电场或交变电场作用下都会发生漏导损耗。 2)极化损耗 在介质发生缓慢极化时(松弛极化、空间电荷极化等),带电粒子在电场力的影响下因克服热运动而引起的能量损耗。
一些介质在电场极化时也会产生损耗,这种损耗一般称极化损耗。位移极化从建立极化到其稳定所需时间很短(约为10 -16 ~10 -12 s),这在无线电频率(5×10 12 Hz 以下)范围均可认为是极短的,因此基本上不消耗能量。其他缓慢极化(例如松弛极化、空间电荷极化等)在外电场作用下,需经过较长时间(10 - 10 s或更长)才达到稳定状态,因此会引起能量的损耗。 若外加频率较低,介质中所有的极化都能完全跟上外电场变化,则不产生极化损耗。若外加频率较高时,介质中的极化跟不上外电场变化,于是产生极化损耗。 3)电离损耗
电离损耗(又称游离损耗)是由气体引起的,含有气孔的固体介质在外加电场强度超过气孔气体电离所需要的电场强度时,由于气体的电离吸收能量而造成指耗,这种损耗称为电离损耗。
4)结构损耗 在高频电场和低温下,有一类与介质内邻结构的紧密度密切相关的介质损耗称为结构损耗。这类损耗与温度关系不大,耗功随频率升高而增大。 试验表明结构紧密的晶体成玻璃体的结构损耗都很小,但是当某此原因(如杂质的掺入、试样经淬火急冷的热处理等)使它的内部结构松散后。其结构耗就会大大升高。 5)巨观结构不均勾性的介质损耗 工程介质材料大多数是不均匀介质。例如陶瓷材料就是如此,它通常包含有晶相、玻璃相和气相,各相在介质中是统计分布口。由于各相的介电性不同,有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀,造成局部有较高的电场强度而引起了较高的损耗。但作为电介质整体来看,整个电介质的介质损耗必然介于损耗最大的一相和损耗最小的一相之间。 表征 电介质在恒定电场作用下,介质损耗的功率为
W=U 2 /R=(Ed) 2 S/ρd=σE 2 Sd 定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为 ω=σE 2 在交变电场作用下,电位移D与电场强度E均变为复数矢量,此时介电常数也变成复数,其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。 D,E,J之间的相位关系图 如图所示,从电路观点来看,电介质中的电流密度为 J=dD/dt=d(εE)/dt=J τ +iJ e 式中J τ 与E同相位。称为有功电流密度,导致能量损耗;J e ,相比较E超前90°,称为无功电流密度。 定义 tanδ=J τ /J e =ε〞/εˊ 式中,δ称为损耗角,tanδ称为损耗角正切值。 损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小,是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗,希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=(tanδ) -1 在高频绝缘套用条件下称为电介质的品质因素,希望它的值要高。 工程材料 离子晶体的损耗 离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。 紧密结构的晶体离子都排列很有规则,键强度比较大,如α-Al 2 O 3 、镁橄榄石晶体等,在外电场作用下很难发生离子松弛极化,只有电子式和离子式的位移极化,所以无极化损耗,仅有的一点损耗是由漏导引起的(包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导)。这类晶体的介质损耗功率与频率无关,损耗角正切随频率的升高而降低。因此,以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等 结构松散的离子晶体,如莫来石(3Al 2 O 3 · 2SiO 2 )、董青石(2MgO · 2Al 2 O 3 · 5SiO 2 )等,其内部有较大的空隙或晶格畸变,含有缺陷和较多的杂质,离子的活动范围扩大。在外电场作用下,晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动,产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动,形成热离子松弛,出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大,由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频,只能套用于低频场合。 玻璃的损耗 复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分:电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势,取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下,电导损耗占优势:在高频下,主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗:在高频和低温下,主要是结构损耗,其损耗机理目前还不清楚,可能与结构的紧密程度有关。般来说,简单玻璃的损耗是很小的,这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列,结构紧密,没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加,并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后,使离子所在处点阵受到破坏,结构变得松散,离子活动性增大,造成电导损耗和松弛损耗增加。 陶瓷材料的损耗 陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外,表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。 在结构紧密的陶瓷中,介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能,往往在配方中引人此易熔物质(如黏土),形成玻璃相,这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大,介质损耗也增大。因面一般高频瓷,如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大,主要的原因是:主晶相结构松散,生成了缺固济体、多品型转变等。 高分子材料的损耗 高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地,偶极矩在0~0.5D(德拜)范围内的是非极性高聚物;偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗,其介电常数约为2,介质损耗小于10 -4 ;极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗,并且极性愈大,这两个值愈高。 高聚物的交联通常能阻碍极性基团的取向,因此热固性高聚物的介电常数和介质损耗均随交联度的提高而下降。酚醛树脂就是典型的例子,虽然这种高聚物的极性很强,但只要固化比较完全,它的介质损耗就不高。相反,支化使分子链间作用力减弱,分子链活动能力增强,介电常数和介质损耗均增大。 高聚物的凝聚态结构及力学状态对介电性景响也很大。结品能抑制链段上偶极矩的取向极化,因此高聚物的介质损耗随结晶度升高而下降。当高聚物结晶度大于70%时,链段上的偶极的极化有时完全被抑制,介电性能可降至最低值,同样的道理,非晶态高聚物在玻璃态下比在高弹态下具有更低的介质损耗。此外,高聚物中的增塑利、杂质等对介电性能也有很大景响。




介质损耗详细资料大全
基本介绍 中文名 :介质损耗 外文名 :Dielectric loss 简称 :介损 形式 :漏导损耗,电离损耗等 危害 :介质的过热使得绝缘破坏 表征 :以介质损耗率表征 概念,形式,表征,工程材料, 概念 电介质在外电场作用下,其内部会有发热现象,这说明有部分电能已转化为热能耗散掉,电介质在电场作用下,在单位时间内因发热而消耗...

介质损耗种类
电介质在交替电场的作用下,其电荷积累表现出两种不同特性:(1)有功功率,这部分能量被转化为热能,我们称之为同相分量;(2)无功功率,即异相分量,它与同相分量的比率定义为介质损耗正切值,记作tanδ。这个值可以通过公式tanδ=1\/(WCR)来计算,其中W是交变电场的角频率,C是介质的电容,R是损...

介质损耗是测什么的
介质损耗:绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失,简称介损。在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角δ称为介质损耗角。介质损耗测试仪:介质损耗测试仪是一种新颖的测量介质损耗角正切值(tg...

介质损耗有哪几种形式 产生的原因是什么
1、漏导损耗,实际使用中的绝缘材料在外电场的作用下,总有一些带电粒子会发生移动而引起微弱的电流,漏导电流流经介质时使介质发热而损耗了电能。这种因电导而引起的介质损耗称为“漏导损耗”。2、极化损耗,在介质发生缓慢极化时,带电粒子在电场力的影响下因克服热运动而引起的能量损耗。3、电离损...

介损的参数介绍
1、介质损耗角δ在交变电场作用下,电介质内流过的电流向量和电压向量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角(δ)。 简称介损角。2、介质损耗正切值tanδ又称介质损耗因数,是指介质损耗角正切值,简称介损角正切。介质损耗因数的定义如图(1):如果取得试品的电流相量 和电压相量 ,则可以得到如下相量...

合理损耗包括什么
合理损耗包括的内容有:蒸发损耗、氧化损耗等。详细解释如下:一、蒸发损耗 在物质存储和运输过程中,部分液态或固态物质会因环境因素影响,如温度、湿度等,通过蒸发方式损失掉一部分。这种因自然因素导致的损耗即为蒸发损耗,属于合理损耗的一种。例如,在存储汽油、酒精等液体时,由于温度和环境的变动,...

介质损耗的正切值有什么作用吗?
介质损耗正切角:表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小。δ称为损耗角,tanδ称为损耗角正切值。介质损耗不但消耗了电能,而且使元件发热影响其正常工作。如果介电损耗较大,甚至会引起介质的过热而绝缘破坏,所以从这种意义上讲,介质损耗越小越好。介质损耗正切角是电介质作为绝缘材料使用时的重...

介质损耗角简介
介质损耗角,也称为dielectric loss angle,是一个关键的电气参数,它描述了电介质在受到交变电场影响时的特性。具体来说,这个角度反映了电位移(即电介质内部的电荷分布)与电场强度之间的相位差。在理想情况下,当电场频率和介质类型保持不变,理想介质中的电位移与电场强度在时间上是同步的,极化强度...

什么是变压器的介质损耗
变压器是利用电磁感应的原理来改变交流电压的装置,主要构件是初级线圈、次级线圈和铁芯。主要功能有电压变换、电流变换、阻抗变换、隔离、稳压等。介质损耗是指在绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。介质损耗根据形成的机理可分为弛豫损耗、共振损耗和电导损耗。

什么是介质损耗?
电介质损耗,即dielectric losses,是指在电介质在交变电场的作用下转化为热能的过程。这种转化会导致电介质温度上升,甚至可能引发热击穿,因此在电绝缘技术中,选择介质损耗角正切(tgδ,即电介质损耗与无功功率的比例)低的材料是关键。然而,电介质损耗也有其利用价值,特别是在高频(0.3至300兆赫...

明水县14719041343: 介质损耗 - 搜狗百科
苏狡舒肝: 变压器电压等级≥35KV且容量≥10000kVA以上时应测量介质损耗因素(tanδ)被测绕组的tanδ应≤出厂试验值的130%,当>130%时,应结合其他试验结果分析判断.变压器...

明水县14719041343: 什么是介质损耗? -
苏狡舒肝: 电介质损耗(dielectric losses ):电介质中在交变电场作用下转换成热能的能量.这些热会使电介质升温并可能引起热击穿,因此,在电绝缘技术中,特别是当绝缘材料用于高电场强度或高频的场合,应尽...

明水县14719041343: 绝缘的介质损耗是什么?测量介质损耗有什么意义? -
苏狡舒肝: 绝缘在交流电压作用下为容性阻抗,但并不是纯容性,其有功功率损失部分统称为绝缘的介质损耗.绝缘受潮后有功功率损失明显增大,因此对大部分电气设备通过检测介质损耗,可以查出绝缘是否受潮.

明水县14719041343: 什么叫介质损失? -
苏狡舒肝: 介质损耗:绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗.也叫介质损失,简称介损.在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角δ称为介质损耗角电...

明水县14719041343: 介电损耗 介质损耗 -
苏狡舒肝: 电介质在外电场的作用下,将一部分电能转变成热能的物理过程,称为电介质的损耗.简称介电损耗.介质损耗很少见过.可能包括电介质在使用过程中的机械损耗吧,当然也可以指介电损耗.范畴不一样

明水县14719041343: 什么叫介损它主要由哪两部分组成为什么要设法降低绝缘材料的介损 -
苏狡舒肝: tan介损是介质损耗的简称. 它的大小等于阻性电流比上容性电流阻性电流也就是泄露电流 所以降低泄露电流能提高绝缘的耐电性能

明水县14719041343: 绝缘油介质损耗测试仪中的介质损耗是指什么? -
苏狡舒肝: 绝缘油介质损耗测试仪是用于绝缘油等液体绝缘介质的介质损耗角及体积电阻率的高精密仪器.一体化结构.内部集成了介损油杯、温控仪、温度传感器、介损测试电桥、交流试验电源、标准电容器、高阻计、直流高压源等主要部件.其中加热...

明水县14719041343: 变压器油介损超标有哪些原因? -
苏狡舒肝: 介质损耗是指变压器油在交变电厂的作用下产生的电导损耗和极化损耗.此类损耗 会导致绝缘强度和传热性能下降,最终有可能导致变压器过热损坏和击穿等问题. 在变压器的使用过程中,通过介质损耗因数可以对变压器的运行状况进行有效...

明水县14719041343: 介质损耗因数与功率损耗之间的关系 -
苏狡舒肝:[答案] 介质损耗包含栅极损耗及介质材料的损耗?功率损耗多指电路损耗如线路,电机,电阻,及其他损耗如电子管(晶体管)功率损耗和介质损耗如设备调试最佳损耗就小,如果调试不好介质损耗大功率(效率就小)

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