三极管F640可以什么代替

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三极管A1015可以用什么代替?~

可替换三极管型号有:
2SA1317:PNP 60V 200mA TO-92 ECB
2SA675:PNP 80V 100mA TO-92 ECB
CG1015:PNP 50V 150mA TO-92 ECB
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、 晶体三极管,是一种电流控制电流的 半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体 三极管,是 半导体 基本 元器件 之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。
三极管是在一块 半导体 基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。

你可以用NCE0218替换,厂家是新洁能,华南地区有代理商——润得源(rundex),相关资料可以到润得源网站下载

用场效应三级管代替。

场效应管用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。

ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。

从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。

场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

扩展资料:

主要参数:

1、直流参数

饱和漏极电流IDSS它可定义为:当栅、源极之间的电压等于零,而漏、源极之间的电压大于夹断电压时,对应的漏极电流。

夹断电压UP它可定义为:当UDS一定时,使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。

开启电压UT它可定义为:当UDS一定时,使ID到达某一个数值时所需的UGS。

2、交流参数

交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数,输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间,而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内,特殊的可达100mS,甚至更高。

低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。

极间电容场效应管三个电极之间的电容,它的值越小表示管子的性能越好。

参考资料来源:百度百科-场效应管






F640 N沟道场效应三级管 200V 18A.可以用IRF640,IRL640NS,FQP19N20代用。
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。

IRF640 N沟道场效应三级管 200V 18A
三极管资料参见IRF640百度文库
以下网上找的数据,自己在里面找替换,替换原件参数等于或大于原原件即可。
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200V MOSFET场效应管系列:
2SK2350 TO-220F TOSHIBA DIP/MOS N场 200V 8.5A 0.4Ω
IRFD210 IR DIP-4 N场 200V 0.6A
SI9420DY-T1 VISHAY SOP-8 N场 200V 1A
IRLM220A FAIRCHILD SOT-223 N场 200V 1.13A
IRFM210A FAIRCHILD SOT-223 N场 200V 0.77A
IRFR210 IR SOT-252 N场 200V 2.6A
IRFR15N20DTR IR SOT-252 N场 200V 15A
FQD10N20TF FAIRCHILD SOT-252 N场 200V 10A
IRFR220 IR SOT-252 N场 200V 5A
FQD5N20LTM FAIRCHILD SOT-252 N场 200V 5A
FDD2670 FAIRCHILD SOT-252 N场 200V 3.6A
IRF640S IR SOT-263 N场 200V 18A
IRF630S IR SOT-263 N场 200V 9A
IRL640NS IR SOT-263 N场 200V 18A
FQB34N20 FAIRCHILD SOT-263 N场 200V 34A
IRF640散 FAIRCHILD TO-220 N场 200V 18A
IRF630RL02 ROHM TO-220 N场 200V 9A
FQP19N20 FAIRCHILD TO-220 N场 200V 19A
IRF650A FAIRCHILD TO-220 N场 200V 28A
IRF620N IR TO-220 N场 200V 5.2A
FQP10N20 FAIRCHILD TO-220 N场 200V 10A
FQP630 FAIRCHILD TO-220 N场 200V 9A
IRF610N IR TO-220 N场 200V 3.3A
IRF630N IR TO-220 N场 200V 9A
IRF620 FAIRCHILD TO-220 N场 200V 5.2A
IRF640N IR TO-220 N场 200V 18A
PHP9NQ20T PHILIPS TO-220 N场 200V 8.7A
PHP33NQ20T PHILIPS TO-220 N场 200V 33A
IRF630B FAIRCHILD TO-220 N场 200V 9A
IRL610A FAIRCHILD TO-220 N场 200V 3.3A
PHP33NQ20T 07 NXP/恩智浦 TO-220 N场 200V 33A
PHP14NQ20T PHILIPS TO-220 N场 200V 14A
FQP4N20L FAIRCHILD TO-220 N场 200V 3.6A
CEPF640 CET/华瑞 TO-220 N场 200V 18A
FQPF10N20C FAIRCHILD TO-220F N场 200V 10A
FQPF32N20C FAIRCHILD TO-220F N场 200V 28A
FQPF4N20 FAIRCHILD TO-220F N场 200V 4A
IRFS640B散 FAIRCHILD TO-220F N场 200V 18A
IRFS640B FAIRCHILD TO-220F N场 200V 18A
IRFI630G IR TO-220F N场 200V 9A
IRFS630B散 FAIRCHILD TO-220F N场 200V 9A
STP19NB20FP ST TO-220F N场 200V 19A
FKP202 SK TO-220F N场 200V 45A
RDN150N20L02 ROHM TO-220F N场 200V 15A
2SK2382 TOSHIBA TO-220F短 N场 200V 15A
IRFP260NPBF IR TO-247 N场 200V 50A
STW50NB20 ST TO-247 N场 200V 50A
IRFU220N IR TO-251 N场 200V 5A
IRFU220N散 IR TO-251 N场 200V 5A
IRFU13N20DPBF IR TO-251 N场 200V 13A
IRFP250A FAIRCHILD TO-3P N场 200V 32A
IXFH80N20 IXYS TO-3P N场 200V 80A

250V MOSFET场效应管系列:
2SK2250 FUJ SOT-252 N场 250V 2A
IRF634N IR TO-220 N场 250V 8.1A
IRFS244B FAIRCHILD TO-3PF N场 250V 10.2A
FQP9N25 FAIRCHILD TO-220 N场 250V 9A
FDA64N25 FAIRCHILD TO-3P N场 250V 64A
IRF654B FAIRCHILD TO-220 N场 250V 21A
IRF644B FAIRCHILD TO-220 N场 250V 14A
FQA27N25 FAIRCHILD TO-3P N场 250V 27A
IRFU224B FAIRCHILD TO-251 N场 250V 3.8A
2SK1221 FUJ TO-220 N场 250V 10A
FQAF40N25 FAIRCHILD TO-3PF N场 250V 40A
IRFS634A FAIRCHILD TO-220F N场 250V 8.1A
IRFS654B定型脚 FAIRCHILD TO-220F N场 250V 21A
IRF614 IR TO-220 N场 250V 2A
FS20KM-5 RENESAS/瑞萨 TO-220F定型脚 N场 250V 20A
IRFU12N25D IR TO-251 N场 250V 14A
FS20KM-5三凌 三凌/MITSUBISHI TO-220F定型脚 N场 250V 20A
IRFS654B FAIRCHILD TO-220F N场 250V 21A
FKP253 SK TO-220F N场 250V 20A
CEFF634 CET/华瑞 TO-220F N场 250V 8A
FQA40N25 FAIRCHILD TO-3P N场 250V 40A
IXTK62N25 IXYS TO-3PL N场 250V 62A

F640 N沟道场效应三级管 200V 18A.可以用IRF640,IRL640NS,FQP19N20代用。


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格尔木市13750062151: 三极管F640可以什么代替 -
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格尔木市13750062151: IRFS640A型号三极管可用啥代替 -
丛钥小儿: 代替如下:IRFS640A 200V ,9.8A 43W 代替 IRF640 200V 18A 125W 634.840,740都可以用 10N60. 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号.

格尔木市13750062151: 三极管 用什么代替
丛钥小儿: 单个三极管可以用 场效应管代替 多个三极管的功能单元可以用集成电路代替,但是都是不能直接代替的,只是功能上的一种代替,需要改变电路.

格尔木市13750062151: 请问三极管6160A是什么管子,用什么管子代替 -
丛钥小儿: 高压三极管6160A实际上就是mie13003,它的主要参数是:集电极-基极最高反向耐压 VCBO=700V、集电极-发射极最高反向耐压 VCEO=400V、发射极-基极最高耐压 VEBO=9V、集电极电流 IC=2A、耗散功率 PC=40W,看看手里是否有与其相近的三极管就可以替换.

格尔木市13750062151: IRFS640A型号三极管可用啥型号代替
丛钥小儿: IRFS640A N-Channel Power MOSFET(200V,0.18Ω,9.8A)(N沟道功率MOS场效应管(漏源电压200V,导通电阻0.18Ω,漏电流9.8 可以用易购的IRF640A直接代换

格尔木市13750062151: 贴片三极管用什么代替 -
丛钥小儿: 一、三极管只能是同一型号的替换同一型号的.也可以根据三极管在电路的作用,换用不同型号的三极管.常用的S8050NPN,S8550PNP型. 二、三极管的简单介绍: 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关.晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种. 三、三极管的图示:

格尔木市13750062151: 三极管的替换问题 -
丛钥小儿: 可用9014代换. 1、NPN型和PNP型三极管之间不能代换,硅管和锗管之间不能代换. 2、原则上要原型号代换,介在实际维修中很做到同型号代换,一般采用的三极管大多是硅管,所以代换时,只须做到硅管代换硅管,NPN型代换NPN型,...

格尔木市13750062151: 1rfp450三极管可以用什么代替? -
丛钥小儿:IRFP450LCT是一种场效应管(N-MOSFET),不是三极管,具体参数如下图: 可以使用参数相当或者更强的场效应管进行代替,具体型号及参数如下:24NM65N——650V 19A 160W 0.16Ω N-MOSFET;21NM60、15NM60、STP21NM60N...

格尔木市13750062151: 三极管c2060可以用什么替代. -
丛钥小儿: C2060参数:(Vceo)32V(Ic)1A(Pc)0.75W S8050参数:(Vceo)25V(Ic)1A(Pc)0.625W 一般情况下可以替代. 另可用:BC377(45V1A)、2SD1331、3DA2060等型号替换

格尔木市13750062151: 三极管rdf5n50可以用什么管替代? -
丛钥小儿: 这时N沟道场效应三极管.5N代表5A,60表示耐压600V,只要满足这个条件的都可以代换.常见的有6N60;8N60;10N60等等都行.

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