外延生长为什么是单晶。
常用的比如说硅单晶。单晶晶格常数比较大，所以外延生长氧化物薄膜一般用钛酸锶单晶。生长石墨烯可以用铜单晶。
外延生长薄膜原理是：薄膜的某个结晶取向的晶格常数和单晶衬底的晶格常数相匹配，这样衬底就有诱导薄膜定向结晶的作用。但是薄膜不能生长的太厚，太厚了就没有诱导作用了。具体某种材料能不能进行外延生长、需要什么材料当沉底，请自行查阅文献吧。
单晶薄膜和多晶薄膜的区别：一般在两种情况下需要生长单晶薄膜。1、只有特定取向的薄膜才有最佳的性能。这是因为一般材料的单晶的性能都是各向异性的。2、晶界对材料的某个性能影响非常大，为了消除晶界影响把薄膜做成单晶。
总结起来就是单晶的性能比多晶好很多才有必要做单晶薄膜。也有其他因素，比如你想发好文章就做了单晶的薄膜。
外延生长薄膜时需要用单晶材料作为衬底。
常用的比如说硅单晶。单晶晶格常数比较大，所以外延生长氧化物薄膜一般用钛酸锶单晶。生长石墨烯可以用铜单晶。
外延生长薄膜原理是：薄膜的某个结晶取向的晶格常数和单晶衬底的晶格常数相匹配，这样衬底就有诱导薄膜定向结晶的作用。但是薄膜不能生长的太厚，太厚了就没有诱导作用了。具体某种材料能不能进行外延生长、需要什么材料当沉底，请自行查阅文献吧
外延生长为什么是单晶。
外延生长薄膜时需要用单晶材料作为衬底。常用的比如说硅单晶。单晶晶格常数比较大，所以外延生长氧化物薄膜一般用钛酸锶单晶。生长石墨烯可以用铜单晶。外延生长薄膜原理是：薄膜的某个结晶取向的晶格常数和单晶衬底的晶格常数相匹配，这样衬底就有诱导薄膜定向结晶的作用。但是薄膜不能生长的太厚，太厚了就...
外延生长为什么是单晶。
外延生长薄膜时需要用单晶材料作为衬底。常用的比如说硅单晶。单晶晶格常数比较大，所以外延生长氧化物薄膜一般用钛酸锶单晶。生长石墨烯可以用铜单晶。外延生长薄膜原理是：薄膜的某个结晶取向的晶格常数和单晶衬底的晶格常数相匹配，这样衬底就有诱导薄膜定向结晶的作用。但是薄膜不能生长的太厚，太厚了就...
外延和沉积有什么区别
1. 生长原理：外延生长通常温度较高，例如气象外延，其反应室是热壁的，得到的是单晶。而沉积的生长温度一般较低，得到的多是多晶。2. 生长参数：外延生长的主要参数包括衬底温度、激光能量、背景气压、激光频率等，其中等离子体运动的动力学以及腔体气氛之间的平衡对生长高质量的外延薄膜起着重要作用。而...
外延外延生长
外延生长是一种晶体生长技术，它在单晶基片上形成一层与基片晶向相同的单晶层，就像原有的晶体向外延伸一样。这种过程对于制造精密电子器件尤其重要。最常见的外延生长方法是气相外延，以硅（Si）为例，如图1所示。在这个过程中，氢气携带着四氯化硅（SiCl4）、三氯氢硅（SiHCl3）、硅烷（SiH4）或二氯...
外延生长简介
在低阻值衬底上生长一层薄的高阻外延层，是外延生长技术的核心。这一过程能确保新生成的单晶层在导电类型、电阻率等特性上与衬底存在差异，实现多层单晶的生长，极大地提高了器件设计的灵活性和性能。外延工艺在集成电路领域也发挥着重要作用，特别是在PN结隔离技术（隔离技术）和改善大规模集成电路材料质量...
晶体生长技术外延
晶体生长技术中的外延，指的是在已有的单晶基片上生长一层与基片匹配的单晶薄层。这一技术又称为取向附生，分为同质外延和异质外延。同质外延是将与基片相同的材料进行外延生长，如在硅片上外延硅层。而异质外延则是将与基片不同的材料进行外延，如在白宝石基片上外延硅层。外延生长技术在半导体材料的制...
led外延片是什么
1. 基本定义：LED外延片是在一种衬底上通过外延生长技术形成的薄膜结构。简单来说，就是在硅片上生长出特定的晶体薄膜，这个薄膜包含了制造LED所需的关键材料层。这些层具有特定的电学和光学特性，是实现LED发光的基石。2. 外延生长技术：外延生长是一种精密的制造技术，通过在单晶衬底上沉积原子或分子...
晶体生长技术的外延
又名取向附生，它是指在一块单晶片上再生长一层单晶薄层,这个薄层在结构上要与原来的晶体(称为基片)相匹配。外延可分为同质外延和异质外延。像半导体材料的硅片再外延一层硅是属同质外延；如果在白宝石基片上外延硅，那就是异质外延了。外延生长的方法，主要有气相外延和液相外延，也还有分子束外延等。
分子束外延法特点
而是动力学过程，这意味着它能够生长出常规热平衡生长方法难以获取的特殊晶体结构，为材料科学提供了新的探索领域。最后，MBE生长过程中的表面始终保持在真空中，这使得在生长的同时，可以利用配套设备进行实时的表面观察、成分分析和状态研究，极大地增强了对生长过程的理解和控制。
外延片与芯片区别,外延芯片是什么意思
1. 外延片：这是在单晶衬底上通过所谓的外延生长技术生长出来的半导体材料层。这些材料通常包括一种或多种不同类型的半导体，例如N型和P型半导体。这些层形成了LED的主要部分，即PN结，它在电流通过时产生光。外延片是制造过程的一部分，它为制作芯片提供了必要的材料。2. 芯片：这是在外延片基础上，...
皇壮复安： 外延生长薄膜时需要用单晶材料作为衬底. 常用的比如说硅单晶.单晶晶格常数比较大,所以外延生长氧化物薄膜一般用钛酸锶单晶.生长石墨烯可以用铜单晶.外延生长薄膜原理是:薄膜的某个结晶取向的晶格常数和单晶衬底的晶格常数相...
延边朝鲜族自治州19620217521： 气相外延的生长状态以什么为单元 - ？
皇壮复安：[答案] 气相外延一种单晶薄层生长方法.气相外延广义上是化学气相沉积的一种特殊方式,其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续,而且与衬底的晶向保持对应的关系. 在气相状态下,将半导体材料淀积在单晶片上,使它沿着单晶片的结晶轴方向生长出一...
延边朝鲜族自治州19620217521： LED从芯片制作到外延,衬底,再到最后封装的过程 - ？
皇壮复安： 1.衬底是指蓝宝石晶棒或者是硅经过切片,清洗,还没有其他工艺加工的裸片.也叫基片.2.外延片是指经过MOCVD加工的片子.外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上,气态...
延边朝鲜族自治州19620217521： 半导体材料的实际运用 - ？
皇壮复安： 制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求,包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等.半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺.常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长.所有的半导体材料都需要对...
延边朝鲜族自治州19620217521： 硅外延是什么意思 - ？
皇壮复安： 外延生长【epitaxial growth】【】 在单晶衬底(基片)上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层的方法.外延生长技术发展于20世纪50年代末60年代初,为了制造高频大功率器件,需要减小集电极串联电阻.生长外延层有多种方法...
延边朝鲜族自治州19620217521： 什么叫同质外延 - ？
皇壮复安： 外 延:是指在单晶衬底上、按衬底晶向生长单晶薄膜的工艺过程. 广义:也是一种化学气相淀积(CVD)工艺.正向外延:在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延.反向外延:与正向外延相反.同质外延:生长外延层和衬底是同一种材料,这种工艺就是同质外延.异质外延:外延生长的薄膜材料和衬底材料不同,或者说生长化学组分、甚至是物理结构和衬底完全不同的外延层,相应的工艺就叫做异质外延
延边朝鲜族自治州19620217521： LED外延片,什么是LED外延片 - ？
皇壮复安： 普朗克光电为您解答,外延片指的是在晶体结构匹配的单晶材料上生长出来的半导体薄膜,以GaN为例,在蓝宝石(Al2O3)上生长一层结构复杂的GaN薄膜(包括n-GaN,量子阱,n-GaN等),这层薄膜就叫做外延. 而芯片指的是把外延进行加工,其主要目的是在外延上加上电极,以便与封装和应用.芯片的主要材料为单晶硅不正确,仍为GaN材料.可以说外延是芯片的原材料,芯片就是在外延的基础上增加了电极(有的芯片还做钝化膜,反射镜等等)
延边朝鲜族自治州19620217521： 石墨烯制备 - ？
皇壮复安： 1.1微机械剥离法 石墨烯最早是通过微机械剥离法制得的.2004年,曼彻 斯特大学Geim等[1]用胶带从石墨上剥下少量单层石墨烯片, 成为石墨烯的发现者,并引发了新一波碳质材料的研究热潮. 该法虽然可以获得质量较好的单层和双层石墨烯...
延边朝鲜族自治州19620217521： 原子层沉积和分子束外延生长的区别 - ？
皇壮复安： 原子层外延可以精确的以每周期一个单原子层来控制外延生长,外延表面更加原子级平整,外延层的厚度只决定于外延的周期数,而对温度、束流大小等不敏感,可以在较低的温度下生长高质量的薄膜材料;分子束流外延即传统意义上的分子束外延方法,与生长温度、V/III束流比等生长参数有关.
延边朝鲜族自治州19620217521： 盐的结晶,加入晶种的作用能引发溶液结晶,有没有改变溶液过饱和度的作用呢? - ？
皇壮复安： 晶种是用于过饱和溶液的结晶;也用于单晶制备.后者属于“外延生长”;前者属于非匀相形核.晶种在非匀相形核过程中的作用是“降低了形核功”;增大形核率;让盐快速结晶.提高生产率.没有改变过饱和率.
