二维材料背栅硅衬底n还是p

~ P。二维材料是指电子仅可在两个维度的纳米尺度上自由运动的材料，其中材料的背栅硅衬底P，不是N，可以集成速度更快的NMOSFET。材料是能用来制作成品的东西，如砖瓦、水泥，是建筑材料。

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九江县15794405120： CCD电荷注入方式 - ？
布贪贝飞： CCD(Charged Coupled Device,电荷耦合器件)是由一系列排得很紧密的MOS电容器组成.它的突出特点是以电荷作为信号,实现电荷的存储和电荷的转移.因此,CCD工作过程的主要问题是信号电荷的产生、存储、传输和检测.以下将分别...

九江县15794405120： PMOS是什么系统 - ？
布贪贝飞： 楼主所说的PMOS系统是从YunOS上进行深层开发而来,其采用了自主开发的内核实时主动防御技术,同时通过硬件安全增强方式实现安全引导,防止系统被刷机PMOS系统已经装载到了中兴生产的手机上并运用于日常警务工作中,而加密的专用系统,包括安全加固的警用即时通信平台.

九江县15794405120： 关于主板的场效应管,讨个通俗的解释 - ？
布贪贝飞： 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为...

九江县15794405120： P型硅衬底和N型硅衬底的区别?P型硅和N型硅的区别是什么? 谢谢!高手 - ？
布贪贝飞： p型应该是空穴,n型才是电子吧!http://baike.baidu.com/view/84698.htm

九江县15794405120： 场效应管的常见的场效应管 - ？
布贪贝飞： MOS场效应管 即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),属于绝缘栅型.其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(最高可达...

九江县15794405120： 耗尽型阈值电压大好还是小一点好 - ？
布贪贝飞： 1、原理不同,最关键的区别在于耗尽型在g端不加电压都存在导电沟道,而增强型只有在开启后,才出现导电沟道. 2、控制方法是不一样的.耗尽型ugs可以用正、零、负电压控制导通,而增强型必须使得ugs>ugs(th)才行,一般的 增强型nmos,都是正电压控制的.

九江县15794405120： CCD的基本工作原理是什么 - ？
布贪贝飞： CCD的基本工作原理: 在N型或 P型硅衬底上生长一层二氧化硅薄层,再在二氧化硅层上淀积并光刻腐蚀出金属电极,这些规则排列的金属-氧化物-半导体电容器阵列和适当的输入、输出电路就构成基本的 CCD移位寄存器. 对金属栅电极施加...

九江县15794405120： p沟道mos管怎么实现场效应 - ？
布贪贝飞： 金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N够道与P沟道两大类,P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两级之间不通导,栅极上有足够的正电压(源极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道.改变栅压可以改变沟道中的电子密度,从而改变沟道的电阻.这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管.如果N型硅衬底表面不加栅压就以存在P型反型层沟道,加上适当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小.这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管.统称为PMOS晶体管.

九江县15794405120： 为什么太阳能电池板的伏安特性曲线呈现那样的变化 - ？
布贪贝飞： 太阳能电池的输出物性主要包括太阳能电池的极性、太阳电池的性能参数、太阳能电环保电池的伏安特性三个方面: 1、太阳能电池的极性 硅太阳能电池的一般制成p+/n型结构或n+/p型结构,p+和n+,表示太阳能电池正面光照层半导体材料的导...

九江县15794405120： 衬底的材料选用 - ？
布贪贝飞： 对于制作LED芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题.应该采用哪种合适的衬底,需要根据设备和LED器件的要求进行选择.目前市面上一般有三种材料可作为衬底:·蓝宝石(Al2O3) ·硅(Si) ·碳化硅(SiC) 蓝宝石衬底通常,...