p-n结是怎么回事

作者&投稿:蓝风 (若有异议请与网页底部的电邮联系)
p-n结电场是什么?请详解~

你好,我想通俗的回答:它是单晶硅半导体的两个电极 ,我们在两端加上正负不同的电源,它可以处导通或截止状态(电流通过或不通过);我们如果在其中间加上不同的物质,它就可以根据我们需要通过大小不同的电流。 长篇大论可以看书学习,但是理解才是最重要的。不知您是否同意?

同质P-N结的能带结构图的得出方法如下:
因为在p-n结界面附近处存在着内建电场,而该内建电场的方向正好是阻挡着空穴进一步从p型半导体扩散到n型半导体去,同时也阻挡着电子从n型半导体进一步扩散到p型半导体去。于是从能量上来看,由于空间电荷-内建电场的出现,就使得电子在p型半导体一边的能量提高了,同时空穴在n型半导体一边的能量也提高了;而在界面附近处产生出了一个阻挡载流子进一步扩散的势垒——p-n结势垒。根据内建电场所引起的这种能量变化关系,即可画出p-n结的能带图。在达到热平衡之后,两边的Fermi能级(EF)是拉平(统一)的。能带的倾斜就表示着电场的存在。

P-N结的定义:
采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。PN结具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性,例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。

【p-n结】在一块半导体中,掺入施主杂质(以硅为例,在高纯硅的一端掺入一点点硼、铝、镓等杂质就是p型半导体。在另一端掺入一点点磷、砷、锑等杂质就是n型半导体),使其中一部分成为n型半导体。其余部分掺入受主杂质而成为p型半导体, 单纯的一片p型或n型半导体,仅仅是导电能力增强了,但还不具备半导体器件所要求的各种特性。如果在一块n型(或p型)半导体上在制成一层p型(或n型)半导体,于是在p型半导体和n型半导体的交界处就会形成一个pn结。 当p型半导体和n型半导体“结合”在一起时,由于p型半导体的空穴浓度高,自由电子的浓度低;而n型半导体的自由电子浓度高,空穴浓度低,所以交界面两侧的载流子在浓度上形成了很大的差别。这是就在交界面附近产生了多数载流子的扩散运动。所谓扩散运动,就是载流子由浓度高的地方向浓度低的地方运动,即p区的多数载流子(空穴)向n区扩散,同时n区的多数载流子(电子)向p区扩散。随着扩散运动的进行,在p区和n区的交界面p区一侧出现一层带负电的粒子区(这是不能移动的电荷);而在交界面n区一侧出现一层带正电的粒子区。这样,在交界面的两侧就形成了一个空间电荷区。

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P是positive (阳极,正电荷)的缩写,N是negative(阴极,负电荷)的缩写
PN结的简单解释:一个由P型和N型半导体材料组成的半导体器件,其P 型 与 N型半导体材料相互结合的部分(过渡区)称为PN结。
P型半导体材料的简单解释:在“单晶硅”材料中,通过特殊工艺掺入少量的三价元素,使单晶硅内部形成“带正电的空穴”(正电荷);
N型半导体材料的简单解释:在“单晶硅”材料中,通过特殊工艺掺入少量的五价元素,使单晶硅内部形成“带负电的自由电子”(负电荷)。
至于什么是三价元素、五价元素,请查阅相关化学资料,在此不作复述。
PN结形成过程的简单解释:
P型材料有着多数可以移动的正电荷 和 少数固定不动的负电荷(负离子);N型材料有着多数可以移动的负电荷 和 少数固定不动的正电荷(正离子)
当P型和N型材料接触时,通过结合处,正电荷从P型半导体向N型半导体扩散,负电荷从N型半导体向P型半导体扩散。正电荷 与 负电荷相遇而结合,原有的正电荷和负电荷(载流子)消失。因此在结合处的附近区域(结区)中有一段距离缺少正电荷或负电荷(载流子),却有分布在这一区域的带电的固定电荷(固定不动的“负离子”或固定不动的“正离子”),称为空间电荷区 。P 型半导体一边的没有参与扩散的“负离子” ,N 型半导体一边的没有参与扩散的“正离子”,在空间电荷区产生电场,这电场阻止载流子进一步扩散 ,达到平衡。


阐述什么是半导体p-n结
以电子为多数载流子的半导体和以空穴为多数载流子的半导体通过冶金等方法结合在一起,结合处就是pn结了

太阳能电池的P-N结是怎么样的?
是单晶硅中渗入三价电子和五价电子分别形成带正电的空穴和带负电的电子,即电子-空穴对。然后电子空穴相互渗入,形成压差,就使得PN结具有单向导电的特性,即电流只能由P->N。

p-n结是怎么回事
【p-n结】在一块半导体中,掺入施主杂质(以硅为例,在高纯硅的一端掺入一点点硼、铝、镓等杂质就是p型半导体。在另一端掺入一点点磷、砷、锑等杂质就是n型半导体),使其中一部分成为n型半导体。其余部分掺入受主杂质而成为p型半导体, 单纯的一片p型或n型半导体,仅仅是导电能力增强了,但...

p-n结指的是什么
p-n结是半导体单晶内两种半导体材料p型和n型之间的边界或界面。1、p(正)侧包含过量的空穴,而n(负)侧在电中性原子的外壳中包含过量的电子。这允许电流仅沿一个方向通过结。2、pn结是通过掺杂产生的,例如通过离子注入、掺杂剂的扩散或通过外延。(在用另一种类型的掺杂剂掺杂的晶体层上生长一层...

太阳能电池的p-n结,形成电子和空穴的基本原因是什么?
有的可以

p- n结的形成过程有何不同?
1. 掺杂材料不同:P型和N型单晶硅片中,掺杂的材料不同。P型单晶硅片中掺杂的是三价元素(如硼或铝),掺杂后形成的杂质原子会失去一个电子,留下一个空位或“空穴”。而N型单晶硅片中掺杂的是五价元素(如磷或砷),掺杂后形成的杂质原子会多余一个电子,成为自由电子。2. 负载载流子类型不同:...

什么是突变结?什么是单边突变结?什么是线性缓变结
突变结:是一种具有特殊杂质浓度分布的突变p-n结,P和N区都是均匀掺杂的,在交界面处,杂质的浓度有一个突然的跃变;超突变结的势垒电容具有较高的电压灵敏度,可用作为变容二极管。单边突变结:指的是P和N区的其中一者重掺杂,分为p+ n和n+ p结构 线性缓变结:指的是掺杂浓度是到冶金结(p-...

p-n结电场是什么?请详解
回答:PN结(PN junction)采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。P是positive的缩写,N是negative的缩写,表明正荷子与负荷子起作用的特点。一块单晶半导体中 ,一部分掺有受主杂质是P...

能带结构图怎么理解?
实际上,在p-n结界面处的内建电场就使得p型半导体与n型半导体之间产生了电位差——内建电势差(或内建电压)。电场越强,内建电势差就越大。此内建电势差所对应的能量差(能量差=电势差×电子电荷),即为p-n结的势垒高度。虽然势垒高度并不直接反映的... band structure图怎么看 MS 计算能带图分析 能带图的横座...

n--运算符怎么用?
1、n--,先取n的值进行运算,运算结束后再n自减;例如:n=10;k=10*n--+3;则结束后,k=103, n=9 2、--n:先n自n自减,再取n的值进行运算;例如:n=10;k=--n*10+3;则结束后,k=93, n=9

哈密市17128444768: p - n结是怎么回事 -
单于行恒康: 【p-n结】在一块半导体中,掺入施主杂质(以硅为例,在高纯硅的一端掺入一点点硼、铝、镓等杂质就是p型半导体.在另一端掺入一点点磷、砷、锑等杂质就是n型半导体),使其中一部分成为n型半导体.其余部分掺入受主杂质而成为p型半...

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单于行恒康: 是单晶硅中渗入三价电子和五价电子分别形成带正电的空穴和带负电的电子,即电子-空穴对.然后电子空穴相互渗入,形成压差,就使得PN结具有单向导电的特性,即电流只能由P->N.

哈密市17128444768: 什么是p型半导体,n型半导体,p -
单于行恒康:[答案] 【n型半导体】“n”表示负电的意思,在这类半导体中,参与导电的主要是带负电的电子,这些电子来自半导体中的“施主... 所以叫做空穴半导体,简称p型半导体.\x0d【p-n结】在一块半导体中,掺入施主杂质,使其中一部分成为n型半导体.其余部...

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单于行恒康: 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场.当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态.当外界有正...

哈密市17128444768: PN 结是什么意思?怎么来理解呀? -
单于行恒康: 物理教材说正向接电把pn结产生的内电势给削弱了所以可以通电.我的理解:从电源负极出来的电子把半导体N段处于相对来说比较自由的电子给挤到下一原子的控制范围,下一原子自己所携带的相对来说比较自由的电子又被挤到下一原子控制...

哈密市17128444768: 芯片为什么会发光? -
单于行恒康: 说白了就是一个PN结的关系,发光二极管的核心部分是由p型半导和成的晶片,在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层,称为p-n结.在某些半导体材料的PN结中,注 入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来,从而把电能直接转换为光能.PN结加反向电压,少数载流子难以注入,故不发光.

哈密市17128444768: 什么是集成温度传感器?P - N结为什么可以用来做温敏元件? -
单于行恒康: 1、集成温度传感器就是把温度传感器和相关电路作在一块集成芯片上. 2、P-N结中,少数载流子(专有名词,不是少数的载流子)会发生漂移运动,而少数载流子浓度与温度密切相关,通过观测少数载流子电气特性变化,可以推导出温度值. 这部分具体可以参考模拟电子技术或者传感器书.最典型的就是DS18B20了.

哈密市17128444768: p - n结的测温原理与条件是什么 -
单于行恒康: 测温原理,随温度变化PN结的阻值发生变化.测温条件是PN组成电桥的一条臂,由恒压源供电桥或者用恒流源对PN结供电,测量二端电压,转换成温度显示

哈密市17128444768: 半导体导电原理半导体分为n,p两种类型,为什么当给n类型的那边加
单于行恒康: n型半导体 “n”表示负电的意思,在这类半导体中,参与导电的主要是带负电的电... 这两个区域之间的交界层就是p-n结.p-n结很薄,结中电子和空穴都很少,但在靠近n...

哈密市17128444768: PN结二极管的单向导电性原理 -
单于行恒康: 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场.当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态. 当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流.

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