温度升高为什么晶体管的电流放大倍数增大？
电流放大倍数下降，当到达Icm指标时放大倍数仅为中等电流的一半左右。
晶体管的电流放大倍数是基极电流IB与集电极电流IC的比值β，β=IC/IB，这个代表三极管的电流控制能力，一般希望稍微大一些例如100-1000，有时候为了更大的数值采用达林顿接法，用2个三极管组合在一起使β=5000-10000.
放大电路的电压放大倍数是指输出电压与输入电压的比值，A=V0/VI
这个数值与β有关系，但是还与三极管的基区电阻rbe和集电极电阻RC、负载电阻RL有关，对于共发射极放大电路来说，A=β*RL`/rbe,
其中RL`=RC//RL, rbe=300+(1+β）26/IE,
一般rbe大约在1K欧姆左右。
模拟电子中,温度升高时,晶体管的正向结电压为什么是减小的.
因为晶体管的正向结是半导体材料,当温度升高时,那它载流子的扩散运动大于漂移运动,使PN结内部电压减小,所以正向结电压也随减小.
模拟电子中,温度升高时,晶体管的正向结电压为什么是减小的。
因为晶体管的正向结是半导体材料，当温度升高时，那它载流子的扩散运动大于漂移运动，使PN结内部电压减小，所以正向结电压也随减小。
温度升高时,晶体管共射输入特性曲线为什么左移,输出特性曲线为什么
UBE随温度变化的规律与二极管正向导通电压一样，即：温度每升高1℃，UBE减小2～2.5mV。而IB基本不变，所以输入特性曲线随温度升高向左移。
晶体管的β值受什么影响
晶体管的β值受温度影响。因为温度每上升1摄氏度，β值增大百分之零点五至百分之一，所以晶体管的β值受温度影响。晶体管是一种固体半导体器件。
温度越高三极管放大倍数越大吗
温度越高，三极管晶体管内部电子越活跃，直流通电Ic变大，但是交流放大倍数减小，一方面是因为内部PN结电容变大，另一方面是因为大量电荷摆脱pn结束缚成为自由电荷而不受基极控制，所以导致瞬态响应变差也就是交流放大能力变差，
某一放大器采用分压式偏置电路,当温度升高时,Uce将如何变化?
通常温度每升高1°C，晶体管β值增大约0.5%~1%。因此，在Ib不变情况下，温度升高，Ic增大，Uce减小。不过由于发射极反馈电阻的负反馈作用，分压式偏置电路温度升高后Ic增大量及Uce减小量都比基本共射放大电路的要小，所以工作点得到一定程度的稳定。
模拟电子中,温度升高时,晶体管的正向结电压为什么是减小的
温度升高，PN结内的少数载流子（少子）增加，相当于结电阻减小，因此造成结压降减小！手打不易，如有帮助请采纳，或点击右上角的满意，谢谢！！
温度升高时,静态工作点将向哪里移动
晶体管的穿透电流和正向导通的死区电压（还有其它参数，这里就不多举例了）随温度的升高分别增大和下降，因此，温度升高时，晶体管放大器的静态工作点沿负载线向左上方移动。
基本晶体管放大电路分析
一、静态工作点的稳定与温度影响环境温度的变化对基本共射放大电路的静态工作点至关重要。当电源电压(Vcc<\/)和极基偏置电阻(Rb<\/)设定后，基极偏置电流(IB<\/)相对稳定。然而，温度上升会促使晶体管参数ICBO、ICEO、β值上升，导致输出特性曲线向上移动，静态工作点Q随之沿负载线移至Q'，主要表现为...
某一放大器采用分压式偏置电路,当温度升高时,Uce将如何变化?
温度升高1度C，晶体管β值大约增长0.5%~1%。导数负，数量减。导数正，数量增。集电极偏置电流Ic关于晶体管β值的导数为正，故温度升高时Ic少许变大。Uce=Ucc-(Rc+Re)Ic 故温度升高时Uce少许变小。
毓鸦赛络： 因为半导体的载流子温度高了热运动加剧,能量大了移动就强了,也可以理解为势垒减小了,所以同等条件下IC大了,B高了
峨眉山市18950337833： 晶体三极管的电流放大系数和温度有关系吗?如果有,是什么关系, - ？
毓鸦赛络：[答案] 有关 当然有关了 晶体三极管的电流放大系数随温度的升高而增大的!
峨眉山市18950337833： 温漂是什么意思 ？
毓鸦赛络： 温漂是指环境温度变化时会引起晶体管参数的变化,这样会造成静态工作点的不稳定,使电路动态参数不稳定,甚至使电路无法正常工作.一般来说,温度升高,晶体管的电流放大倍数增大,Q点(静态工作点)升高;反之减小.这部分额外增加的电流是温度变化引起的,理解为温度漂移.
峨眉山市18950337833： 什么是电路参数?以及电路参数变化对静态工作点和电压放大倍数的影响? - ？
毓鸦赛络： 负载(RL)增大,放大倍数增大;Rc增大放大倍数增大;Rb增大时,静态工作点无明显变化,放大倍数变大.
峨眉山市18950337833： 三级管随温度的升高,为什么集电极电流会升高 - ？
毓鸦赛络： 温度的升高会导致: 1、发射结的结电压Vbe下降,如由0.7V变为0.6V,使得静态的Ib增加,导致Ic增加. 2、使得共射电流放大系数β增加,从而使得Ic=βIb增加. 3、造成集射见漏电流Iceo增加. 以上3点共同作用导致Ic的增加.
峨眉山市18950337833： 在测晶体管的放大倍数时,为何数据一直在增大 - ？
毓鸦赛络： 是因为刚刚用手拿过三极管,使其温度逐渐升高导致穿透电流上升显得β升高.再有一个因为是测量的时候通过电流使三极管温度升高也会增加穿透电流的.
峨眉山市18950337833： 自激振荡和温度漂移区别 - ？
毓鸦赛络： 自激震荡是指不外加激励信号而自行产生的恒稳和持续的振荡.[1] 从数学的角度出发,它是一种出现于某些非线性系统中的一种自由振荡.一个典型例子是范达波尔(Van der Pol)方程所描述的系统,方程形式为 mx¨-f(1-x2)x·-kx=0 (m>0, f>0...
峨眉山市18950337833： 当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic( ),发射结压降( )? - ？
毓鸦赛络： 当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变大 ),发射结压降(降低 )
峨眉山市18950337833： 总结电路参数变化对静态工作点和电压放大倍数的影响? - ？
毓鸦赛络： 唉,只得猜你说的是单个三极管共发电路,而不是运放电路或者是更复杂的电路. 你列出放大倍数公式,可知Rc的参数变化会影响到放大倍数,基极偏置电阻的参数变化,如果导致基极电流电变化时,就会改变集电极电流,从而改变静态工作点,同时Ic的改变也影响到输入电阻参数,以至于影响到放大倍数.
峨眉山市18950337833： 三极管得放大倍数与温度得关系? - ？
毓鸦赛络： 温度升高会使杂质半导体逐浙显示出本征半导体性质,这是导致半导休器件在高温下失效的原因.至于对放大倍数的影响,各种型号的三极管都有它的温度特性,只能在应用时参考规格书.解决的方法主要是散热和降低三极管的功率损耗.
