请问，晶体管晶格失配会导致什么后果？
1 一个中国的不错的耳机牌子，价格不贵，音质不错，走低端路线。
2是一种高分子半导体材料。其分子式为CuIn3Se5或CuIn 2Se3.5，掺Ga时为Cu(In1-xGax)3Se5或Cu(In1-xGax)2Se3.5。
OVC在CIS/CIGS薄膜太阳电池中起着很重要的作用。
在CIS/CIGS薄膜电池中形成OVC后，CIS/CIGS与CdS之间的异质结变为两个异质结的串联：一个是p-CIS/CIGS与n-OVC构成的反型异质结；另一个是n-OVC与n-CdS构成的同型异质结。异质结的p-n结被做在窄带吸收层CIS/CIGS里，大大减少了结界面处的缺陷。同时，在CIS/CIGS与CdS两个禁带宽度之间形成一个过渡，减小了彼此之间的禁带宽度台阶，从而减小了晶格失配，减小界面态密度，也减小了带边失调值，由原来的－0.298eV减小为－0.276eV，大大改善了异质结的结特性。从而大大改善了电池的性能。
组成晶体的结构粒子（分子、原子、离子）在三维空间有规则地排列在一定的点上,这些点周期性地构成有一定几何形状的无限格子,叫做晶格.按照晶体的现代点阵理论,构成晶体结构的原子、分子或离子都能抽象为几何学上的点.这些没有大小、没有质量、不可分辨的点在空间排布形成的图形叫做点阵,以此表示晶体中结构粒子的排布规律.构成点阵的点叫做阵点,阵点代表的化学内容叫做结构基元.因此,晶格也可以看成点阵上的点所构成的点群集合.对于一个确定的空间点阵,可以按选择的向量将它划分成很多平行六面体,每个平行六面体叫一个单位,并以对称性高、体积小、含点阵点少的单位为其正当格子.晶格就是由这些格子周期性地无限延伸而成的.空间正当格子只有7种形状（对应于7个晶系）,14种型式.它们是简单立方、体心立方、面心立方；简单三方；简单六方；简单四方、体心四方；简单正交、底心正交、体心正交、面心正交；简单单斜、底心单斜；简单三斜格子等.晶格的强度由晶格能（或称点阵能）度量.
晶格失配一般是指两种晶体的晶格常数不一致所引起的现象，在界面处会出现畸变，严重时会产生位错——失配位错。位错等缺陷起着复合中心的作用，降低少子寿命，减短少子扩散长度。对于异质结晶体管，这就会增大反向电流，降低放大系数。参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。
什么是晶格失配?
总的来说，晶格失配度的计算是半导体材料科学中一项基础且精细的工作，它涉及理论与实践的结合，对提升半导体器件的性能和可靠性有着深远影响。通过深入理解Verghard定律，我们可以更好地驾驭这一领域，推动科技的进步。
晶格失配率计算公式
1除以n个αi、αo的和。晶格失配率计算公式是1除以n个αiαo的和，N是晶胞重复倍数，αi、αo分别是实验测量值和标准晶胞参数值，晶格失配度越大，晶体结构晶胞参数相对标准参数差异更大，失配率就越高，晶体结构质量就越低。
什么是外延工艺?
在单晶Si中引入Ge形成的SiGe单晶层可以降低带隙宽度，增大晶体管的特征截止频率fT(cut-off frequency)，这使得它在无线及光通信高频器件方面应用十分广泛；另外在先进的CMOS集成电路工艺中还会利用Ge跟Si的晶格常数失配(4%)引入的晶格应力来提高电子或者空穴的迁移率(mobility)，从而增大器件的工作饱和电流以...
什么是虚衬底,什么是赝晶
衬底就是说最底部是这种材。赝晶：不是真晶。结构较松散，还有较多气孔等，待进一步烧结后，致密化成陶瓷晶体。赝晶体就是晶格存在畸变的晶体。一般，赝晶体是生长在晶格失配（晶格常数不同）的衬底上的薄膜材料。赝晶生长技术是制备高质量的晶格失配异质结的一种重要技术——一种特殊的外延技术。在外延...
请问,晶体管晶格失配会导致什么后果?
晶格失配一般是指两种晶体的晶格常数不一致所引起的现象，在界面处会出现畸变，严重时会产生位错——失配位错。位错等缺陷起着复合中心的作用，降低少子寿命，减短少子扩散长度。对于异质结晶体管，这就会增大反向电流，降低放大系数。参见“http:\/\/blog.163.com\/xmx028@126\/”中的有关说明。
什么是晶格匹配与晶格失配?
匹配就是某些晶面间距相近或相等，晶格凝固时完全对接。否则就是失配。这两个不匹配。用pcpdfwin软件看下有没有面间距相等的晶面没？还要考虑实际情况。
请问,晶体管晶格失配会导致什么后果?
1. 晶格失配通常描述的是两种不同晶体在结合处晶格常数不匹配的现象。2. 这种不匹配会在界面引发畸变，严重情况下可能形成失配位错。3. 位错的存在作为复合中心，会缩短少数载流子的寿命并减小其扩散长度。4. 在异质结晶体管中，晶格失配导致的缺陷可能会增大反向电流，从而降低放大系数。参考文献：http:...
晶格失配度
建议统一使用同一定义.采用简化模型系统地探讨了各种情况下半导体外延生长层和衬底的二维晶格失配度的计算,最后讨论了结合XRD衍射图谱确定失配度的方法.结果表明,正三角形晶格和长方形晶格匹配,长方形晶格的宽列原子的匹配具有优先性,不受长列原子匹配的影响.长方形的长宽比接近匹配比时,整体匹配较好.
化学高手IN,什么是晶格失配??
基本的计算方法是通过对两种纯金属的晶格常数进行加权平均得到合金的晶格常数，具体公式为 \\( a = (x \\cdot a_A + (1-x) \\cdot a_B)^{(1\/3)} \\)， 其中 \\( a_A \\) 和 \\( a_B \\) 是两种原子的纯金属晶体常数，\\( x \\) 是合金中第一种原子的摩尔分数。4. 晶格常数可以通过...
非外延生长是否存在晶格失配问题
因为“若生长的两种材质不同或不相近，他们各自的原子结构会有差别。如：化学键能、原子间隙、键距离及原子立体空间分布等。使用他们做外延，势必破坏他们各自的空间分布状态。键能、间隙、键距在他们结合面就会或多或少发生变形扭曲，最终导致晶格失配问题。我们能做的主要是选用具有相同或相近的材质来进行...
哀疫络贯： 这个他们早就考虑好了,制造产品就像是在游戏里打造装备一样,是有这么个良品率的问题存在的,如果做的是整体化设计的话,就会出现坏了一小部分而导致整个都废掉的情况发生.而如果我们在设计上就把各个运算单元分隔开,之间保留信...
隆化县17365237891： 如何判断晶体管的工作状态 - ？
哀疫络贯： 晶体三极管是电子电路的基础元件之一.设计人员根据电路要求,将电路中的晶体管分别设计工作于放大状态、饱和状态或截止状态.一旦这些晶体管因某种原因非正常地改变了工作状态,就会引起电路工作失常,导致电子产品发生故障.因此,通过检查电路中相关晶体管的工作状态,对故障进行分析,进而查找故障发生的部位,是维修人员的常用方法,也是电子技术初学者必须掌握的基本功之一. 晶体管放大状态的判断 晶体管工作于放大状态时,其最基本的特点是发射结(b、e极)为正向偏置,而集电结(b、.极)为反向偏置.以小功率NPN型硅管为例,表现为V'.一o·6一o·7V,而V、. (本文共计1页)[继续阅读本文]
隆化县17365237891： 如果CPU中有一个晶体管坏了,会产生什么问题?？
哀疫络贯： 你好,这种情况不会发生的,一般要坏是一起坏的,比如高温,不可能只坏一个,而且CPU晶体管数不清的.
隆化县17365237891： cpu里晶体管有坏的吗 - ？
哀疫络贯： 如果只有一个晶体管坏了,是不会导致整个CPU不能使用的,最多或在执行某些输入时得到错误的结果或者使其性能有所下降(如,峰值频率降低). 因为在数字电路中,一般情况使用的都是多驱动的门,也就是说几个晶体管是并行的,即使坏掉一个晶体管,别的与该晶体管并行的晶体管还是能够工作,但是肯定驱动能力就是下降,也就是时延会增大,CPU能运行的频率会下降.电路中还存在屏蔽效应,如果坏掉的晶体管不在关键路径上,或者根本被屏蔽了,就更不会导致CPU不能运行了. 如果是memory,坏掉一个晶体管是无影响的,因为memory中做了大量的冗余,某一个存储单元坏掉了,它会自己用冗余存储单元把这个坏掉的存储电源替换掉.
隆化县17365237891： 太阳能热水器的晶体管有一根破裂,会影响其他晶体管么? - ？
哀疫络贯： 1、太阳能热水器的晶体管有一根破裂,会影响其他晶体管,需及时更换.2、太阳能热水器是将太阳光能转化为热能的装置,将水从低温加热到高温,以满足人们在生活、生产中的热水使用.太阳能热水器按结构形式分为真空管式太阳能热水器和平板式太阳能热水器,主要以真空管式太阳能热水器为主.3、晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能.晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流.与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上.
隆化县17365237891： 什么叫煲机? - ？
哀疫络贯： 煲机是一种快速使器材老化稳定的措施.有些元器件例如晶体管、集成电路、电容全新的时候电器参数不稳定,经过一段时间的使用后才能逐渐稳定.对于耳机来说,煲机实际就是在煲振膜折环,新耳机振膜折环机械顺性差,导致失真比较大,...
隆化县17365237891： 晶体管工作在什么时,具有电流放大作用? - ？
哀疫络贯： 晶体管工作在特性曲线的直线部分,具有电流放大作用
隆化县17365237891： 电磁炉fga25n120场效晶体管坏了会导致什么后果？
哀疫络贯： 会导致不加热啊!
隆化县17365237891： 如果三极管在电路中损坏,各个电级电位会出现什么情况? - ？
哀疫络贯： 锗管,NPN, 8V端集电极C,5,3V端基极B,5V段发射极E. 分析如下: 1.根据测得几个电压均是正值说明管为NPN管, 2.根据其中两端间压差为,0.3或0.7其中之一说明两者是基极和发射极,是0.3V说明是锗管. 3.根据上面判断为NPN管所以5V和5.3V中电压较高者为基极,另外一个为发射极,剩下一个就是集电极了. 4.最后验证一下:根据工作于放电状态的三极管集电结反偏,发射结正偏置,从集电极,基极,发射极电位依次降低,与题意相符.
隆化县17365237891： 功放电压低于额定值有什么影响 - ？
哀疫络贯： 1、对于定阻输出的晶体管或集成电路功放,在供电电压低于额定值时,最大的影响是输出电压摆幅变小、同时输出功率也减小.因目前的功放电路一般都加有较深的负反馈,电压在一定范围内变化,各级放大管的工作点仍能保持稳定,在电压...
