三极管Pb5NF0b 的字符代表什么意思

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三极管的文字符号是什么?~

三极管的文字符号国外一般用宇母QR或Q表示,在国内一般用VT或V表示。
三极管参数中文字符号英文对照
Pcm 集电极最大耗散功率
Icm 集电极最大允许电流
V(br)cbo 发射极开路时,集电极与基极间反向击穿电压
V(br)ceo 基极开路时,集电极与发射极间反向击穿电压
V(br)ebo 集电极开路时,发射极与基极间反向击穿电压
Icbo 发射极开路时,集电极与基极间反向漏电流


扩展资料:
工作原理

理论原理
晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N是负极的意思(代表英文中Negative),N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而P是正极的意思(Positive)是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e (Emitter)、基极b (Base)和集电极c (Collector)。
当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Eb。
在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流子。
三极管是一种电流放大器件,但在实际使用中常常通过电阻将三极管的电流放大作用转变为电压放大作用。

参考资料来源:百度百科-三极管

以我的经验来说吧,你说的字符,很多ic或者元器件上面都有的,

三极管的极性用字母表示,B级为基极,C表示集电极,E表示发射极。
  三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
  晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N表示在高纯度硅中加入磷,是指取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而p是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
  对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e (Emitter)、基极b (Base)和集电极c (Collector)。

PB代表普通锗材料三极管,5nf0b是三极管的具体型号,可以通过查三极管的使用手册得知各个参数,参考资料中有三极管的替换原则可以看看。
三极管5nf0b资料:http://chipmanuals.com/datasheets/history/2010/7/26_13.html


三极管Pb5NF0b 的字符代表什么意思
三极管的极性用字母表示,B级为基极,C表示集电极,E表示发射极。三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核...

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吉州区13467556256: 电子三极管上的字母和数字是什么意思呢? -
温贡积大: 这是采用美国电子工业协会半导体器件型号命名法的符号:其中第一位是2代表三极管;n代表该器件已经在美国电子工业协会注册登记;第三位是多位数字,代表该器件在美国电子工业协会登记的顺序号.

吉州区13467556256: 三极管所以种类和表示符号 -
温贡积大: 半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件.它最主要的功能是电流放大和开关作用.三极管顾名思义具有三个电极.二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用...

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温贡积大: 一般用:Q1或BG1还有V1 一般D用来表示二极管的.

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温贡积大: IE (发射极电流)、 IB(基极电流) 、IC (集电极电流) ß 表示放大倍数 IE = IC+ IB=1+(ß* IB) IC=ß *IB IE=1+(ß *IB)

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温贡积大: 晶体管作为一种可变开关,基于输入的电压,控制流出的电流,因此晶体管可做为电流的开关,和一般机械开关(如Relay、switch)不同处在于晶体管是利用电讯号来控制,而且开关速度可以非常之快,在实验室中的切换速度可达100GHz以上...

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温贡积大: E表示发射机,B表示基极,C集电极.见下图:

吉州区13467556256: 三极管的三个字母是什么? -
温贡积大: 半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”.在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结,组成一个PNP(或NPN)结构.中间的N区(或P区)叫基区,两边的区域叫发射区和集电区,这三部分各有一条电极引线,分别叫基极B、发射极E和集电极C,是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件.

吉州区13467556256: 电阻,电容,电感,二极管,三极管英文字母简写和电路图形表示? -
温贡积大: 单字母文字符号表示: 1》电阻(R) 2》电容(C) 3》电感(L) 4》二极管(V) 5》三极管(V)

吉州区13467556256: PNP三极管上面字母数字什么意思
温贡积大: 3AG 3是三个极 A是锗pnp材料 G是高频 C集电极 B是基极 E是发射极

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