双极型晶体管的影响
双极型晶体管就是三极管，最简单的区分就是：
三个极是使用：集电极、基极、发射极来称呼的都是双极型晶体管。
因为单极型管（场效应管）不使用这样的称呼（使用：源极、栅极、漏极来称呼）
Bipolar-junction transistor(BJT) -----双极型晶体管
1.电流控制电流的流控器件
2.有两种载流子参与导电过程(这也是为什么叫双极型的原因），多子是电子，少子是空穴(以NPN型举例），少子容易受温度影响,热稳定性差
3.输入输出回路皆有电流参与，故功耗相对来说比较大
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Field-effect transistor(FET)------场效应管
1.电压控制电流的压控器件
2.只有一种载流子参与导电，也称为单极型管，也正如此，受温度影响较低，热稳定性好
3.只有一个回路参与导电，故功耗相对较低
4.最小可制作到纳米级，容易集成，所以广泛应用于大规模集成电路中
这是共发射极组态的击穿电压，即基极开路时、集电极与发射极之间的击穿电压。由于在基极开路时，集电结是反偏、发射结是正偏的，即BJT处于放大状态。
温度对的影响： 是集电结加反向电压时平衡少子的漂移运动形成的，当温度升高时，热运动加剧，更多的价电子有足够的能量挣脱共价键的束缚，从而使少子的浓度明显增大， 增大。
温度每升高10 时， 增加约一倍。硅管的 比锗管的小得多，硅管比锗管受温度的影响要小。
温度对输入特性的影响：温度升高，正向特性将左移。
温度对输出特性的影响：温度升高时 增大。
光电三极管：依据光照的强度来控制集电极电流的大小。
暗电流ICEO：光照时的集电极电流称为暗电流ICEO，它比光电二极管的暗电流约大两倍；温度每升高25 ，ICEO上升约10倍。
晶体管原理
根据结构和制造工艺的不同可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管;其还可根据电流容量的不同、工作频率的不同、封装结构的不同等分类方式分为不同的种类。但晶体管多指晶体三极管，主要分为双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)，接下来我们就以BJT和FET为例来讲述晶体管的工作原理。晶体管...
绝缘栅双极晶体管是由什么和电力晶体管优点复合而成
单极性的MOS和双极型晶体管复合而成。1、绝缘栅双极晶体管综合了电力晶体管和电力场效应晶体管的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；IGBT也是三端器件：栅极，集电极和发射极。2、绝缘栅双极晶体管综合了电力晶体管和电力场效应晶体管的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；IGBT也是三端器件：栅极，...
电子管和晶体管的区别有哪些?
晶体管主要分为两大类：双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET).晶体管有三个极,双极性晶体管的三个极分别是发射极(Emitter)、基极(Base)和集电极(Collector).场效应晶体管的三个极分别是源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain).1.在双极性晶体管中,发射极到基极的很小的电流会使得发射极到...
什么是集成电路
而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关，消耗更低能量，因为组件很小且彼此靠近。2006年，芯片面积从几平方毫米到350 mm²，每mm²可以达到一百万个晶体管。第一个集成电路雏形是由杰克·基尔比于1958年完成的，其中包括一个双极性晶体管，三个电阻和一个电容器。
双极型晶体管就是二极管吗?
不是的，双极性晶体管是三极管，不是二极管。双极型晶体管（Bipolar Transistor），由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。三极管又叫BJT二极管没有别称的。
晶体管是一种什么控制器件
与普通机械开关不同，晶体管利用电信号来控制自身的开合，所以开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。三端子晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET，单极性）。晶体管有三个极（端子）；双极性晶体管的三个极（端子），分别是由N型、P型半导体组成的发射极...
三极管B883可替代D882么
集电极--发射极击穿电压 (Uce): 30 发射极--基极击穿电压 (Ueb): 5 最大集电极电流 (Ic): 3 工作温度最高值 (Tj), °C: 150 最大工作频率 (ft): 90 输出电容 (Cc), pF: 45 直流电流增益 (hfe): 60 晶体管封装类型: TO126 2SD883 参数-双极性晶体管datasheet-PDF中文资料大全 制...
什么是晶体管?
半导体三极管[font color=#000000]是电路中[\/font]应用最广泛的器件之一,在电路中用“V”或“VT”(旧文字符号为“Q”、“GB”等)表示。 半导体三极管主要分为两大类:双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。晶体管有三个极;双极性晶体管的三个极,分别由N型跟P型组成发射极(Emitter)、基极 (Base) 和...
替换管是什么意思?
替换管是一种电子元件，可用于替换原有电子器件中的损坏或故障部分。它有多种不同类型，包括晶体管、场效应管、双极性晶体管等。替换管的作用是重建电路，使设备恢复正常工作。替换管的使用十分广泛，应用于各种电子设备中。特别是在电视机、收音机、音响等家用电器中，替换管的市场需求很大。替换管的...
晶体管是谁发明的?
晶体管的出现为集成电路的发展铺平了道路。在20世纪的第一个十年，通信系统已经开始利用半导体材料。在20世纪上半叶，半导体材料如矿石收音机中的检波器得到了广泛应用。电话系统同样利用了半导体的电学特性。晶体管主要分为双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET，也称为单极性晶体管）。双极性晶体管由...
伏之参芪： 双极型光晶体管通常增益很高,但速度不太快,对于GaAsGaAlAs,放大系数可大于1000,响应时间大于纳秒,常用于光探测器,也可用于光放大
宜春市13959978574： 双极晶体管的工作原理 - ？
伏之参芪： 双极型晶体管是一种电流控制器件,电子和空穴同时参与导电.同场效应晶体管相比,双极型晶体管开关速度慢,输入阻抗小,功耗大.双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高,已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域,起放大、振荡、开关等作用. 晶体管:用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,就构成了晶体管.
宜春市13959978574： 为什么双极型晶体管的速度比MOS管高? - ？
伏之参芪： 双极型晶体管即BJT. 因为器件的速度主要决定于对电容的充放电时间常数,这与电容本身的大小有关,也与电流的大小有关.一般,BJT的电流较大于MOSFET,所以BJT的速度高于MOSFET. 不过现在MOSFET的尺寸已经大大缩小了,相应的电容也得到很大减小,所以,即使充电电流不大,其对电容的充放电时间常数也可能很短,所以这时BJT的速度就不一定高于MOSFET了.
宜春市13959978574： 请介绍一下绝缘栅双极型晶体管的特性及其用途? - ？
伏之参芪： 绝缘栅双极晶体管缩写IGBTIGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化.由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的...
宜春市13959978574： 什么是单极型晶体管和双极型晶体管? - ？
伏之参芪： 一、单极型晶体管 单极型晶体管也称场效应管,简称FET(Field Effect Transistor).它是一种电压控制型器件,由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小.它工作时只有一种载流子(多数载流子)参与导电,故称为单极型晶体管. 特点...
宜春市13959978574： 双极型晶体管与场效应晶体管有何区别? - ？
伏之参芪： Bipolar-junction transistor(BJT) -----双极型晶体管1.电流控制电流的流控器件2.有两种载流子参与导电过程(这也是为什么叫双极型的原因),多子是电子,少子是空穴(以NPN型举例),少子容易受温度影响,热稳定性差3.输入输出回路皆...
宜春市13959978574： 比较场效应管与双极型晶体管的特点 - ？
伏之参芪： 场效应管是利用栅极电场的作用来工作的;是一种载流子——多数载流子工作的器件;在电流的主要通路(沟道)上不存在pn结;输入电阻接近无穷大;输入端不需要电流驱动,只需要电压即可,即是电压驱动的器件,输入回路简单等.双极...
宜春市13959978574： MOS管是什么? - ？
伏之参芪： MOS管一般又叫场效应管,与二极管和三极管不同,二极管只能通过正向电流,反向截止,不能控制,三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流,MOS管是小电压控制电流的. MOS管的输入电阻极大,兆欧级的,容易驱动,但是价格比三极管要高,一般适用于需要小电压控制大电流的情况,电磁炉里一般就是用的20A或者25A的场效应管. 拓展资料: MOS电容的特性能被用来形成MOS管.Gate,电介质和backgate保持原样.在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域.其中一个称为source,另一个称为drain.假设source 和backgate都接地,drain接正电压.
宜春市13959978574： 三极管有什么作用,性能, - ？
伏之参芪： 半导体三极管也称双极型晶体管,晶体三极管,简称三极管,是一种电流控制电流的半导体器件. 作用:把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关. 晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管.而每一种又有...
