变频器硅整流二极管模块炸裂怎么回事?

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~ 导致变频器整流二极管模块炸裂的原因有:
1、通常是由于电源电压波动大,有瞬间高压输入到变频器导致的。380V输入的变频器的整流模块耐压值一般是1600V,所以能把整流模块击穿的电压是很高的;此时,可以选用大感量的变频器专用输入电抗器来解决。
2、当整流模块后面的负载(如滤波电容、输出模块)发生短路时,由于电流太大也可烧坏整流模块。
3、电源中的高次谐波过大,导致变频器整流二极管模块频繁损坏。此时,也可以选用大量干粮的MLAD-VR-SR变频器专用输入电抗器来解决。
4、如果环境太差,或者是有异物留在变频器内部,也可能导致变频器整流二极管炸裂。
5、接线错误,也有可能导致变频器硅整流二极管模块炸裂。

扩展资料:

一、变频器IGBT模块炸裂
IGBT是电力电子器件的中央处理器,在电力电子变换器和控制中起着重要的作用。IGBT模块在变频器中更为重要。然而,IGBT模块经常爆炸。
由于某些原因,IGBT模块的损耗非常巨大,热量无法散发,导致内部温度极高,产生气体并突破外壳,这就是所谓的IGBT爆炸。
二、IGBT模块爆炸原因
1、内部因素:
既然爆炸的本质是加热功率超过冷却功率,那么内因应该是过热。
2、人为因素
a、进线连接到出线端子。
b、逆变器连接到错误的电源。
c、不能满足要求的负荷
3、常见原因
a、过流:一是负载短路,二是控制电路处逻辑干扰,导致上下桥臂组件贯通。
b、绝缘损坏
c、过电压:通常由线路杂散电感在极高di/dt作用下产生的峰值电压引起。解决方案是设计一个高性能的吸收电路,降低线路的杂散电感。
d、过热:IGBT不能完全打开,有电流时,元器件损耗增加,导致温度升高损坏。
f、突发错误信息导致IGBT误导、IGBT爆炸;通信板FPGA程序运行不稳定导致IGBT误导和IGBT爆炸。
4、其他原因
a、电路中过流检测电路的响应时间跟不上。
b、IGBT短路保护是检测饱和压降,留给执行器的时间一般为10us(过流的8倍),通电时容易烧坏制动单元中的预充电电阻和IGBT。
c、工艺问题:铜排紧,螺丝不紧等。
d、短时大电流:原因很多,比如死区设置不好,主电路过压,吸收电路做得不好。
e、驱动电源也是一个需要特别注意的问题。隔离加隔离和滤波加滤波。
f、电机冲击反馈电压过大导致IGBT爆炸。但是充电时爆炸的概率不大。
●电机启动时,输入电压瞬间下降,电容放电。输入电压恢复后,电容充电的浪涌电流过大,导致IGBT爆炸。


变频器硅整流二极管模块炸裂怎么回事?
导致变频器整流二极管模块炸裂的原因有:1、通常是由于电源电压波动大,有瞬间高压输入到变频器导致的。380V输入的变频器的整流模块耐压值一般是1600V,所以能把整流模块击穿的电压是很高的;此时,可以选用大感量的变频器专用输入电抗器来解决。2、当整流模块后面的负载(如滤波电容、输出模块)发生...

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