场效应管工作原理
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
场效应晶体管（Field EffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 -氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。
场效应管的工作原理是。
明确答案：场效应管是一种控制元件，其工作原理基于电场效应。它通过在外部施加电压，控制内部的电荷运动，从而实现放大、开关等功能。详细解释：1. 基本结构 场效应管具有特殊的内部结构，其核心部分是半导体材料，这决定了它的特殊性能。主要由源极、漏极和栅极组成。2. 电场效应原理 当在场效应管的...
场效应管工作原理
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所...
场效应管的工作原理
场效应管的工作原理主要是通过电场来控制载流子的流动。在没有任何外部电场作用时，源极和漏极之间的通道存在自由电子和空穴的流动，形成一定的电流。但当栅极施加电压产生电场后，这个电场会吸引或排斥载流子，从而改变通道中的电流大小。3. 电压控制特性 场效应管是一种电压控制器件，这意味着通过调节输入...
场效应管原理(基本原理和应用)
P沟道型场效应管与N沟道型场效应管的工作原理相反。当栅极与源极之间的电压为零时，P沟道型场效应管处于截止状态，漏极与源极之间的电流几乎为零。当栅极与源极之间的电压为负时，栅极与源极之间形成一个电场，这个电场会引起P沟道中的空穴移动，形成一个导电通道，电流开始流动。当栅极与源极之间的...
场效应管的原理场效应管的工作原理是什么
1、场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。2、场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。主要...
mos管工作原理
MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电...
场效应管工作原理与双极型三极管有何区别?为什么把场效应管称为单极性...
利用两种载流子在基区的复合作用达到控制集电极电流的目的，由于有两种载流子参与导电，故称为双极型三极管。场效应管是利用电压控制电场效应实现对输出电流控制的放大器件，由于其输入电流极小，故为电压控制的电流器件，它工作时只有多数载流子参与导电，故称为单极型三极管。
什么是场效应管及其工作原理
1. 场效应管的工作原理及应用领域 场效应管是一种电子器件，利用电场控制电流流动的特性而得名。它由源极、栅极和漏极组成，在不同的电压下，通过改变栅极电场强弱来调节漏极电流。场效应管具有高输入阻抗、低输出阻抗和高增益等优点，被广泛应用于放大电路的设计、数字逻辑电路和功率放大器等方面。在...
场效应管的工作的原理是什么
场效应管（Field-EffectTransistor，FET）是一种电子器件，其工作原理是通过控制一个电场来控制传导。FET有三个极，包括源极（S）、漏极（D）和门极（G）。当在门极施加电场时，会在门极-源极处产生一个电动势差，这会使得在源极和漏极之间的电子流受到控制。因此，通过调整门极电压，可以控制在...
场效应管的工作原理是什么?
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。1、场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是...
於临至宝： 晶体管原理,教科书上确实讲得太复杂,读起来头疼. 让我们先从场效应管说起吧: 场效应管FET,用水龙头作比喻,还是比较贴切的. 水流,可比喻为电流; 拧开龙头,放水;关闭龙头,水即停止; 以耗尽型FET为例:它是一个导电沟道(...
佳木斯市15539649412： 场效应管的工作原理和基本结构是什么? - ？
於临至宝： 场效应管(FET,Field Effect Transistor)电压产生的电场来控制管子工作的.现在最常用的是MOSFET(M是金属,O是氧化物,S是半导体),三者恰好形成一个电容,中间的氧化物作为电容的电介质.电子往电势高的地方(正极)流动聚集,空...
佳木斯市15539649412： 场效应管工作原理是电压控制电流吗? - ？
於临至宝： 场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”.更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故.在VGS=...
佳木斯市15539649412： 场效应管工作原理 - ？
於临至宝： 场效应管工作原理:漏极-源极间流经沟道的ID,用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID.场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET).由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.
佳木斯市15539649412： 场效应管工作原理是怎样的? ？
於临至宝： 在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动.从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和.将这种状态称为夹断.这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断.
佳木斯市15539649412： 场效应管和三极管的工作原理是不是一样? - ？
於临至宝： 场效应管和三极管都利用了PN结的原理,但是三极管是电流控制元件,基本原理是基于集电极电流和基极电流的比例关系;而场效应管是电压控制元件,其基本原理是通过电压改变导通沟道的宽度.它们另一个主要区别是场效应管的输入阻抗远远高于三极管(两者相差几个数量级到十几个数量级),因此场效应管对于信号源的输出阻抗就没有特别的要求,可以放大微弱或输出阻抗很高的信号.至于功耗、功率驱动能力、频率范围等方面,三极管和场效应管都有各种类型的型号,都同样能用于高频、高速、大电流、大功率、高电压场合.
佳木斯市15539649412： 关于MOS场效应管的原理 - ？
於临至宝： MOS管的工作原理 它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的.在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电...
佳木斯市15539649412： 场效应管中N沟道和P沟道的工作原理 - ？
於临至宝： 原理:两种沟道都是利用多数载流移动来导电,N沟道的多数载流子是电子,p沟道是空穴,当沟道中有电场时,就会有大量载流子,形成通路,,电场消失,沟道消失. 增强型场效应管是高电平导通(高电平时形成沟道),耗尽型是低电平导通谢谢采纳
佳木斯市15539649412： 场效应管工作原理是什么?请高手告诉我,谢谢了.？
於临至宝： 场效应管是通过栅极与源极之间的电场强度控制源极与漏极导通沟道的导通特征(沟道“大小”)实现对源极与漏极的电流进行控制达到电流放大功能的,由于是采取电场控制导通的,跟双极型晶体管的控制原理不同,用一句成语来表述,就是“四两拨千斤”,这就是形象说明场效应管的栅极高输入阻抗特点.
佳木斯市15539649412： 场效应管是个什么东西?原理作用都是什么? - ？
於临至宝： 1.场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点...
