在mos管的源极和栅极之间并一个电阻,是为保护MOS的寄生电感,在电源瞬间上电时候?该如何理解呢
图中只有源极2与漏极3之间存在一个二极管，栅极1与源极之间并没有二极管。
你大概把那个表示“P沟道”的箭头符号看成二极管了。箭头冲上指，表示P沟道，箭头冲栅极方向指，表示N沟道，并不表示二极管。
你那是多大功率的MOS 管，这种电路通常是保护用的。防止di/dt上升太快。
mos管如果G端悬空的话，会使mos管导通，造成mos管因电流过大而烧毁，加电阻的作用是拉地电阻，起到限流的作用，防止其悬空导通烧毁！
MOS管是一个ESD敏感元件，本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以很容易受外界或者静电影响而带电，容易引起静电击穿。
源极与栅极之间电阻很大，他们之间会有一定的电容量（二极管也有叫PN节电容，所以高频信号时要考虑到PN节电容），
并上电阻之后，当信号由大电压变小时他们之间通过电阻放电，当信号电压由小到大变时就不会与极间电容的电压叠加（因为极间电容的电已经通过电阻放掉了），信号电压就不足于击穿，起到保护作用
是为了放电，因为MOS管内部类似于一个电容，如果Dout没有下拉功能，MOS导通后就会一直处于导通状态，这里并联一个电容后，当Dout变成低电位时，可以把MOS管结电容的电放掉！如果信号有下拉功能，可以取消此电阻！
你这个问题我帮你在大比特电子变压器论坛发过帖子了，就等待那边的高手提供更详细的解答。
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在mos管的源极和栅极之间并一个电阻,是为保护MOS的寄生电感,在电源瞬 ...
MOS管是一个ESD敏感元件，本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以很容易受外界或者静电影响而带电，容易引起静电击穿。MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P...
mos管三个引脚如何区分
判定源极S、漏极D：在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(...
什么是MOS管的三个极?
MOS管是一种关键的半导体元件，它具有三个基本电极，它们分别是：栅极（G）、源极（S）和漏极（D）。MOS管是电压控制器件，其工作原理是通过改变栅极电压来调控源极和漏极之间的电流状态。当栅极电压小于阈值电压时，无论是NMOS管（一种常见的MOS管类型）还是NPN三极管，它们的行为类似，都如同两个...
MOS管的引脚,G、S、D分别代表什么?
MOS管的引脚G、S、D分别代表栅极（Gate）、源极（Source）和漏极（Drain）。MOS管，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种重要的半导体器件。它的引脚分布和功能对于理解其工作原理和正确应用至关重要。在MOS管中，G、S、D三个引脚分别对应着栅极、源极和漏极。栅极（Gate）是MOS管的控制端，通常...
什么是MOS管的三个极?
MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。NPN三极管也一样，如果偏压小于阈值电压，也相当于两个背靠背的二极管，不导通。MOS管饱...
MOS管G、 S、 D各代表什么?
漏极（D）是MOS管的输出端，也是电流流出的一端。在N型MOS管中，漏极连接负载电阻或负载电路；在P型MOS管中，漏极同样连接负载电阻或负载电路。当MOS管导通时，电流从源极流向漏极，通过负载电阻产生压降，从而实现电路的控制或调节功能。总的来说，MOS管的栅极、源极和漏极分别负责控制、输入和输出...
mos管栅极和源级之间的关系?如下图!!!坐等
图中只有源极2与漏极3之间存在一个二极管，栅极1与源极之间并没有二极管。你大概把那个表示“P沟道”的箭头符号看成二极管了。箭头冲上指，表示P沟道，箭头冲栅极方向指，表示N沟道，并不表示二极管。
mos管栅极和源极电压一样会怎样
截止状态。当MOS管的栅极和源极电压相同时，会导致MOS管处于截止状态，即关闭状态，当栅极和源极电压相同时，栅极和源极之间的电势差为零，无法形成电场，无法形成沟道，从而无法形成导电通道。
什么是栅源电压?
栅源电压是指场效应管的栅极(G)与源极(S）之间的电压。场效应管是类似于电子管性能的一种半导体器件，是电压控制型的器件，输入阻抗很高，栅源电压影响输出电流的变化，场效应晶体管的英文简称为FET,中文简称为场效应管或者单极型晶体管。它是由电压控制的半导体器件,输入电阻在108Ω~109Ω之间(输入...
mos管中的G, S, D,什么意思?
G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。
兆昆瑾恒洛：[答案] 因为如果栅极和源极之间不加电压的话,漏极和源极之间是两只背向的PN结,不存在导电沟道,因此即使漏极和源极之间加电压,也不会产生漏极电流,则MOS管无法正常工作. 补充:衬底对应的是P型硅,源极对应的是N型硅,怎么可能实现一样...
耿马傣族佤族自治县19578412366： 在mos管的源极和栅极之间并一个电阻,是为保护MOS的寄生电感,在电源瞬间上电时候?该如何理解呢？
兆昆瑾恒洛： 是为了放电,因为MOS管内部类似于一个电容,如果Dout没有下拉功能,MOS导通后就会一直处于导通状态,这里并联一个电容后,当Dout变成低电位时,可以把MOS管结电容的电放掉!如果信号有下拉功能,可以取消此电阻!
耿马傣族佤族自治县19578412366： 在mos管的源极和栅极之间并一个电阻,是为电源瞬间上电时候保护MOS的寄生电感.该如何理解这句话? - ？
兆昆瑾恒洛： mos管如果G端悬空的话,会使mos管导通,造成mos管因电流过大而烧毁,加电阻的作用是拉地电阻,起到限流的作用,防止其悬空导通烧毁!MOS管是一个ESD敏感元件,本身的输入电阻很高,而栅源极间电容又非常小,所以很容易受外界...
耿马傣族佤族自治县19578412366： 怎么样判别mos管的好与坏,>?？
兆昆瑾恒洛： 在栅极和源极之间加一个正电压,同时测量漏极和源极之间的电流.若电流随电压增大而急速增大,则可断定该MOS管是好的,否则是坏的.
耿马傣族佤族自治县19578412366： 便教如何让MOS管延时1秒后导通?？
兆昆瑾恒洛： 正在MOS管栅极与源极并个年夜电容便可,电容充谦电MOS才导通
耿马傣族佤族自治县19578412366： 请教如何让MOS管延时1秒后导通?？
兆昆瑾恒洛： 在MOS管栅极与源极并个大电容即可,电容充满电MOS才导通
耿马傣族佤族自治县19578412366： 场效应管什么是晶闸管 - ？
兆昆瑾恒洛： MOS管与场效应管是一个概念.MOS管是全控型的,是电压驱动的;晶闸管是半控型的,由电流驱动的.可以控制其开通与关断的晶体管都可称为可控硅.MOS管要维持导通必须要栅极和源极之间保持一电压差,一般10V左右.
耿马傣族佤族自治县19578412366： 与MOS管栅极并联的电阻稳压管起什么作用 - ？
兆昆瑾恒洛： 因为MOS管栅极与漏极和源极之间的绝缘电阻很高,绝缘层很薄,栅极很容易积累电荷把绝缘层击穿而损坏MOS管,在使用过程中如果有较高电压加到栅极也要击穿绝缘层而损坏MOS管,所以要在MOS管栅极并联稳压管以限制栅极电压在稳压管稳压值以下,保护MOS管栅极不被击穿.MOS管栅极并联的电阻是为了释放栅极电荷,不让电荷积累.总之与MOS管栅极并联的电阻稳压管起保护MOS管栅极的作用.
耿马傣族佤族自治县19578412366： irfp450 这个场效应管能否并联使用来增加输出功率? - ？
兆昆瑾恒洛： 不能,容易造成流过两个场效应管的电流不平均,容易烧.
耿马傣族佤族自治县19578412366： mos管中,为什么当栅极与源极之间电压相同时,D - S之间相当于两个PN结反向串联?怎么看出来? - ？
兆昆瑾恒洛： 呵呵,其实楼主看看MOS的结构图就清楚了,比如对于NMOS来说,是做在P型衬底上的,它的D和S都是N型的,中间的沟道就是P型的,这就形成了NPN结构.在CMOS电路中,有个很重要的闩锁效应就是这个寄生NPN三极管的导通.
