mos管的三个极
MOS管三个极分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。
当栅极和源极之间电压大于某一特定值，漏极和源极才能导通。MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的，由于Sio2绝缘层的存在，在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在，电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。
此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小，控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小。MOS管是一个由改变电压来控制电流的器件，是电压器件。其属于半导体主动元件中的分立器件，能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
MOS管的常见应用：
（1）PMOS
PMOS管常用于管理电源的通断，属于无触点开关（无触点开关是一种由微控制器和电力电子器件组成的新型开关器件，依靠改变电路阻抗值，阶跃地改变负荷电流，从而完成电路的通断）。
栅极低电平时完全导通，高电平时完全截止。而且，栅极可以加高过电源的电压，则可以用5v信号管理3.3v电源的开关，此原理也用于电平转换。
（2）NMOS
NMOS常用于管理某电路是否接地，属于无触点开关，栅极高电平时导通接地，低电平时截止。其高电平可以高过被控制部分的电源，因为栅极是隔离的。因此也可以用5v信号控制3.3v系统的某处是否接地。
MOS管的三个电极分别是什么?
G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。
MOS管的三个极分别是什么
MOS管是集成电路中的绝缘性场效应管。它的三个极分别是：栅极、漏极和源极。栅极简称为G；源极简称为S；漏极简称为D。栅极是由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极，多极电子管中最靠近阴极的一个电极，具有细丝网或螺旋线的形状，插在电子管另外两个电极之间，起控制板极电流强度、改变电子管性能的...
mos管三个极分别是什么极?
答案明确：mos管的三个极分别是源极、漏极和栅极。解释如下：mos管，即金属氧化物半导体场效应晶体管，其结构决定了它的三个主要电极。这三个电极在mos管的工作中扮演着不同的角色。1. 源极: 在mos管中，源极是多数载流子的注入端。简单来说，它就是提供电流的起始点。源极与衬底相连，当mos管处...
mos管的三个极
总之，MOS管的三个极——源极、漏极和栅极，各自扮演着不同的角色，共同实现了电流的传输和控制。对这三个电极的正确理解和应用，是理解和运用MOS管的基础。
mos管的三个极
2、三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E分成NPN和PNP两种MOS管的源source和漏drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端。3、场效应管对应的三个级为源级，漏级 栅级 三极管的三个级为 基极 发射级 集电极...
MOS管的三个极是什么?
1. G（Gate，栅极）：这是MOS管的控制引脚。通过在栅极上施加电压，你可以控制MOSFET的通道的导电性，从而打开或关闭它。改变栅极电压可以控制MOSFET的导通与截止。2. S（Source，源极）：这是MOSFET的源极，通常是电流进入MOSFET的地方。3. D（Drain，漏极）：这是MOSFET的漏极，通常是电流离开MOSFET...
mos管三个极分别是什么极?
MOS管是一种电压控制型电子元件，其结构由三个基本极组成：栅极（G）、源极（S）和漏极（D）。栅极是MOS管的控制极，通过施加电压，可以调控源极和漏极之间的导通状态。当栅极电压低于阈值电压时，无论是NMOS管还是NPN三极管，它们的行为类似于两个背对背的二极管，处于截止状态，电流不会流动。然而，...
mos管的三个极
MOS管三个极分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。当栅极和源极之间电压大于某一特定值，漏极和源极才能导通。MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的，由于Sio2绝缘层的存在，在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在，电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的...
场效应晶体管中的三极分别是什么?
栅极、源极、漏极是场效应晶体管中的三个重要电极。解释如下：一、栅极 栅极是场效应晶体管控制电流的主要电极。在MOS管中，通过施加电压在栅极上，可以控制源极和漏极之间的通道，从而控制电流的流动。简单来说，栅极就像是一个开关，调节电流的开关。二、源极 源极是场效应晶体管中电流流出的电极。
mos管的三个极?
MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。NPN三极管也一样，如果偏压小于阈值电压，也相当于两个背靠背的二极管，不导通。MOS管饱和...
鄢咽重组： ■mos管开关电路中要用到MOS场效应管来代替开关,场效应管有三个极:源极S、漏极 D和栅极(或叫控制极)G. 工作原理是:在给源极和漏极 之间加上正确极性和大小的电压(因为管型而异)后,再给G极和源极之间加上控制电压,就会有相应大小的电流从源极流向漏极 ,如果信号电压够大,这个电路就能瞬间饱和而成为一个开关了.
衢州市13754306724： mos管的三个极怎么识别? - ？
鄢咽重组： 3个电极以地为参考,电压绝对值最大的为集电极,最小的为发射极,中间的为基极(理论) 用万用表壳直接测(实际)
衢州市13754306724： 三极管符号中,有箭头指向的一定是e极吗 - ？
鄢咽重组： 对于双极型三极管来说是对的. 但是对于MOS管来说不是.因为MOS里面的三个极是叫做源极,漏极,栅极,对应于前者的发射极,集电极和基极.
衢州市13754306724： 请问三极管的 工作原理,MOS管的工作原理 - ？
鄢咽重组： 三极管的工作原理 三极管是电流放大器件,有三个极,分别叫做集电极C,基极B,发射极E.分成NPN和PNP两种.我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理.一、电流放大 下面的分析仅对于NPN...
衢州市13754306724： MOS管中VD是什么意思 - ？
鄢咽重组： MOS管的三个电极为,栅极G,漏极D,源极S!VD表示的是漏极的电压
衢州市13754306724： mos管 电极b是干什么的?谢谢! - ？
鄢咽重组： B极是连接衬底的,一般直接与源极S直接相连而不单独引出.如果B极不与源极S相连接,则衬-源之间电压Usb必须保证衬-源间的PN结反向偏置.因此N沟道管的Ubs应小于零,P沟道管的Ubs应大于零.此时导电沟宽度将受Ugs和Ubs双重控制,Ubs使开启电压或夹断电压数值增大.相对而言,N沟道受Ubs的影响更大些.
衢州市13754306724： 场效应管(MOS)三个脚怎么区分?N和P怎么区分?？
鄢咽重组： 场效应管的栅极相当于晶体管的基极,源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极.将万用表置于R*1k档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻.当某两个管脚间的正、反向电阻相等,均为数KΩ时,则这两个管脚为漏极D和源极S(可互换),余下的一个管脚即为栅极G. 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极:若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极.
衢州市13754306724： MOS管的三个电极分别为Us= - 5V,Ug=1V,Ud=3V,Ugs(th)=4V为什么此时的工作状 - ？
鄢咽重组： 算一下几个值就好了,UGS=6V.UDS=8V. 根据NMOS增强型场效应管(UGSth就说明了是增强型,电压UD>US说明是N沟道)的状态判断条件: 当UGS<UGSth时,截止(关断区); UDS<UGS-UGS(th)时,可变电阻区(相当于三极管饱和区); UDS=UGS-UGS(th)时,预夹断(恒流区与可变电阻区的临界点); UDS>UGS-UGS(th)时,恒流区(相当于三极管放大区); 你现在可以计算一下:UDS=8V>UGS-UGS(th)=2V,所以明显是属于恒流区,此时对于每个UGS,都有一个iD与它对应,MOS管可视为电压UGS控制的恒流源. 你可以参考:童诗白,《模拟电子技术基础》第四版,P46页.
