电路分析关于PMOS管的导通条件，请大神帮忙分析一下？
个人观点。。。。。。
首先MOS管是四端器件，栅源漏衬，一般源衬短接。
在集成电路制造中，NMOS制作在P型衬底上，P衬上做N阱，而PMOS做在N阱上的，
如果只有一个PMOS管（比如左边的电路），
那么当控制引脚是高电平时，左边电路导通，现在假设只有Q5，电源通过Q5的源端再经过沟道区到达漏端然后输出。
也就是说，此时漏端是高电平，而漏端是P型半导体区域，衬底是N型的，这即是说漏到N阱有一条低阻通路（正向pn结，很小的电压即可导通），一旦N阱接到什么低电平的地方，立马会出现大的电流，那就完蛋啦。
如果在串联一个PMOS，注意第二个PMOS是反向的，现在我们从电源开始走一遍。
首先是电源，然后来到第一个PMOS的衬，P+（表示重掺杂）半导体区域，然后来到第一个PMOS的源，P区域，再经过第一个的栅来到第一个PMOS的漏端，还是P区域。接下来来到第二个PMOS‘漏’（其实这种说法不对但是更易于理解），这个也是P区域，那么第二个PMOS的‘漏’是不是可以和第一个的漏合并咯，都是P区域半导体嘛。再下来到第二个MOS的栅再到第二个MOS的‘源’，然后来到第二个的衬，P+区域，而这个P+区域接的是高电位。也就是说电荷只会在每个P区域之间交换，不会无聊的去克服势垒到达N阱的N区域的。这样避免了大规模漏电。也就是说输出端只输出高电平而不输出大的电流。在电路上讲输出阻抗很较大，这样就不会影响下一级电路的设计了，这是大部分电路的理想要求哦
至于肖特基二极管，应该是用来钳位的吧，保证输出不会高于某个电压值。比如钳位电压是1.5V，那么选中左边的时候，输出是1.5V而不是3.3V
。。。。。。。只是个人这么觉得，，，，，
MOSFET的G极电流只有uA nA极 推挽输出的两个Q2 和 Q3 应该不能和想象中的能导通(像没有负载一样)
一直导通说明 Q3 8550 反而 成了G极 的弱下拉 (应该要分析9014和8550的特性)
这样改改应该就ok了
这个大于小于的，因为是负数，看起来可能不够直观；
其实就是 |Ugs| >= |VT| ，场效应管就导通；
如果 VT为正值时，就是 Ugs >= VT；管子导通，反之截止；
如果 VT为负值时，就是 Ugs =< -VT；管子导通，反之截止；
另外，当 Vi=0， 就是Tp的栅极电压 Ug=0，此时 Tp 导通，Tn截止；
因为Tp其漏极d点并没有接地（与你前面的问题是不一样的），
那么 Usd < Usg，即 g极电压会比 d极电压要低；
电路分析关于PMOS管的导通条件,请大神帮忙分析一下?
其实就是 |Ugs| >= |VT| ，场效应管就导通；如果 VT为正值时，就是 Ugs >= VT；管子导通，反之截止；如果 VT为负值时，就是 Ugs =< -VT；管子导通，反之截止；另外，当 Vi=0， 就是Tp的栅极电压 Ug=0，此时 Tp 导通，Tn截止；因为Tp其漏极d点并没有接地（与你前面的问题是不一样的...
电路分析关于CMOS管的电路分析,求大神解答
此时若 A=0，则T1导通（因为T1源极 S=0），T2不导通，那么 F=0，==> L=1 此时若 A=1，则T1不导通，T2导通，加上前面T3导通，所以 F=1，==> L=0
pmos管工作原理及详解nmos管工作原理
1、NMOS晶体管的工作原理：在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底（提供大量可以动空穴）上，制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源)，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。2、然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层...
Pmos管开关电路?
第一种应用，PMOS管经典开关电路由PMOS来进行电压的选择，当V8V存在时，此时电压全部由V8V提供，将PMOS关闭，VBAT不提供电压给VSIN，而当V8V为低时，VSIN由8V供电。注意R120的接地，该电阻能将栅极电压稳定地拉低，PMOS管经典开关电路确保PMOS的正常开启，这也是前文所描述的栅极高阻抗所带来的状态隐患。
关于一个电源电子开关的电路分析。用PNP和PMOS做的。
那么Q3截止，反之，Q1截止Q2导通，Q导通；另外给个技巧点的方法（查了下Q3手册），只是担心Q3导通不够完全，你去试试吧；在你原电路图中，发射极上再串联个电阻，如图，其他不变，目的是提升G点电压，使源栅电压小于夹断电压，从而使得控制端输入5V时，场效应管截止，输入0V时导通：...
关于一个MOS管组成的电压选择电路的电路分析,请个人大侠帮忙分析一下...
首先MOS管是四端器件，栅源漏衬，一般源衬短接。在集成电路制造中，NMOS制作在P型衬底上，P衬上做N阱，而PMOS做在N阱上的，如果只有一个PMOS管（比如左边的电路），那么当控制引脚是高电平时，左边电路导通，现在假设只有Q5，电源通过Q5的源端再经过沟道区到达漏端然后输出。也就是说，此时漏端是...
关于伪PMOS(Pseudo-PMOS)反相器的具体电路连接问题。
ML的源极和漏极相连后，就饱和导通，相当于一个恒流源，作为MD的负载。在Vout处要ML的源极与MD的漏极相连，如果源极和源极相连，就有一个管是反向的，假如ML反向。它将截止，就不能作负载了。这个图中Vdd是负值。
体效应(衬偏效应)
为了减弱体效应的负面影响，设计者采取了策略：1. 短接源漏：如在NMOS中，将源和漏端接地，而在PMOS中接VDD，这是常见的做法。2. 电路结构优化：对于无法短接的情况，需要在电路层面调整，例如在CMOS中应用有源负载，这是一种高级的电路设计技术。补充解释：关于栅压与衬底电压对沟道形成的影响，理解...
模拟电路关于P沟道增强型MOS管的状态判断,请问Vds不是等于0吗?_百度...
你的分析没有错，是题目出错了。所以Pmos导通。Vgs为0或者负压时，Pmos导通；Vgs为正压时，且大于最小阈值电压，Pmos截止；
关于cadence 电路元件pmos和nmos
在“discrete”元件库中，查找下“MFE823“和”MFE825“这两个就是你想要的，只需要修改下封装即可使用了。
胥蔡美克： 认真审题后:题目已经提示了管子是P型MOS管,开启电压UTP<0的,所以开启电压的绝对值要大的话,电压就要低于UTP,应该填“小于”.
金秀瑶族自治县13448918161： P型MOS管的导通条件是什么?是不是 uG - uS|uGS(th)| , uGS|th|是开启电压 - ？
胥蔡美克：[答案] 对PMOS增强型管是正确的,耗尽型则不同.
金秀瑶族自治县13448918161： CMOS传输门Tp导通的问题 - ？
胥蔡美克： 这个一个互补性传输门.其中T1为nmos;T2为pmos;mos管导通条件是|vgs|-|vth|>0; 那么对于pmos作为开关来说Vg=0,Vs=Vo,Vi=Vo那么根据导通条件,|0-Vi|>|Vthp|,即Vi>|Vthp|; 总之一句话,N管适合传输低电平,P管适合传输高电平. 另外加载在T2的VDD只是pmos的衬底偏置,保证pmos正常工作,不参与电路分析.
金秀瑶族自治县13448918161： pmos晶体管的工作原理 - ？
胥蔡美克： PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管 全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor 别名 : positive MOS 金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
金秀瑶族自治县13448918161： 这个双沟道Pmos管电路是如何打开的?帮忙分析下 - ？
胥蔡美克： PMOS卡通的条件是VGS要提供一个负压,型号不同,Vth阀值也不同,一般都在-2.5V以下;在图上,则是/AD-ED的电压为0V的时候,则VGS = - USB的电压,这两个管同时开通.
金秀瑶族自治县13448918161： cmos与非门电路分析 - ？
胥蔡美克： 其实都可以推算的,这里的与非门都工作在开关状态. A\B=0\0时,T3\T4(都是PMOS)都导通,所以F就是VDD,也就是高电平. 其实从这里推论,只要A、B任意有一个是0,F都是VDD. A\B=1\1时,T3\T4都截止,这没话说. 而下面的两个,T1先导通,导通后,T2的S极接地,T2也满足了饱和导通的条件,所以也跟着导通,所以F的电位就相当于接地,所以是0V. 把这四种情况汇总起来,就是与非门的真值表. PS:数字电路的晶体管状态非常好判断,晶体管基本上都工作在开关状态.如果是放大状态的话,管子要消耗压降,再加上电流,很容易热起来.
金秀瑶族自治县13448918161： 求救nmos电容和pmos电容的区别 - ？
胥蔡美克： NMOS的电流Id必须从D流到S,而PMOS的电流必须从s流到d 一般RDS(ON)非常小,在导通时D与S电压几乎一样;“G端电压比D端高出一个启动电压”实际上就是G端电压比D端高出一个启动电压,这是N沟道MOS管导通的必要条件. ...
金秀瑶族自治县13448918161： 关于三极管和场效应管导通的问题 - ？
胥蔡美克： 三极管分为NPN型和PNP型,作为NPN型,BE之间电压>0.7V时,三极管导通,PNP型正好相反,而MOS管也是同样的道理,不过分类更多,比如J型场效应管等等,当Vgs>Vo(开启电压)时有一类MOS导通,还有一类MOS是Vgs
金秀瑶族自治县13448918161： MOS管电路分析 - ？
胥蔡美克： Q83为P沟道MOS管,Q84为N沟道MOS管.RELAY1_SET_N为3.3V时Q83截止,Q84导通;RELAY1_SET_N为0V时Q83导通,Q84截止.
金秀瑶族自治县13448918161： 请教PMOS管开关电路？
胥蔡美克： 多谢.接入电源后,VIN=5V,三极管导通,MOS管S极电位为零,可是G极电位怎么看,因为G极就是输出,这样VGS算满足条件吗?
