CMOS电路的正文
为什么有的电脑CMOS电池没电了可以不丢失设置，而有的电脑电池没电了就丢失了设置"这个问其实很简单，大家都知道，CMOS电池旁边都有三针的调线，其中一针经一个电阻接地线，一针接南桥，一针接CMOS电池和电源插座5V电压，所以南桥是有两路供电的，如果说CMOS电池没电后可以保存东西，那么另外的那一路5V肯定接的是插座紫5V，也就是第9跟线，如果丢失设置，那就是联的插座红5V。大家都知道，只要电源插到主板上就会有一个待机5V，所以能不能保存东西就要看那一针接在哪里了。
TTL集成电路使用TTL管，也就是PN结。功耗较大，驱动能力强，一般工作电压+5V
CMOS集成电路使用MOS管，功耗小，工作电压范围很大，一般速度也低，但是技术在改进，这已经不是问题。
就TTL与CMOS电平来讲，前者属于双极型数字集成电路，其输入端与输出端均为三极管，因此它的阀值电压是3.4V为输出高电平。
而CMOS电平就不同了，他的阀值电压比TTL电平大很多。而串口的传输电压都是以COMS电压传输的。
1，TTL电平：
输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平
是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是
0.4V。
2，CMOS电平：
1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
3，电平转换电路：
因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5vcmos 3.3v），所以互相连接时需
要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。哈哈
4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能
将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱
动门电路。
5，TTL和COMS电路比较：
1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常
现象。
3）COMS电路的锁定效应：
COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大
。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易
烧毁芯片。
防御措施：
1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。
2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。
3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。
4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电
源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS
1、组成结构
CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)的英文字头缩写，它由绝缘场效应晶体管组成，由于只有一种载流子，因而是一种单极型晶体管集成电路，其基本结构是一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管，如图1所示。
由于两管栅极工作电压极性相反，故将两管栅极相连作为输入端，两个漏极相连作为输出端，如图1(a)所示，则两管正好互为负载，处于互补工作状态。
·
当输入低电平(Vi=Vss)时，PMOS管导通，NMOS管截止，输出高电平，如图1(b)所示。 ·
当输入高电平（Vi=VDD）时，PMOS管截止，NMOS管导通，输出为低电平，如图1(c)所示。
两管如单刀双掷开关一样交替工作，构成反相器。
逻辑门电路的详细介绍
CMOS门电路由单极型MOS管构成的门电路称为Mos门电路。MOS电路具有制造工艺简单、功耗低、集成度高、电源电压使用范围宽、抗干扰能力强等优点，特别适用于大规模集成电路。MOS门电路按所用MOS管的不同可分为三种类型：第一种是由PMOS管构成的PMOS门电路，其工作速度较低；第二种是由NMOS管构成的NMOS门...
MOS电路的介绍
MOS电路为单极型集成电路，又称为MOS集成电路，它采用金属－氧化物半导体场效应管(Metal Oxide Semi-conductor Field Effect Transistor,缩写为MOSFET)制造，其主要特点是结构简单、制造方便、集成度高、功耗低，但速度较慢。
mos管电路工作的原理是什么及详
MOS管由两个基极和一个漏极组成，其中基极之间形成一个控制电流的通道。当通道的控制电压较低时，通道内的电流较小；当通道的控制电压较高时，通道内的电流较大。MOS管的工作原理可以用下图所示的电路来解释：图中的R1和R2分别表示MOS管的基极和漏极。当控制电压Vc较低时，MOS管的通道内的电流较小...
MOS集成电路工艺与制造技术内容简介
本书《MOS集成电路工艺与制造技术》由潘桂忠编著。内容全面系统地介绍了硅集成电路制造技术的基础工艺，涉及硅衬底与清洗、氧化、扩散、离子注入、外延、化学气相淀积、光刻与腐蚀\/N，蚀、金属化与多层布线、表面钝化以及工艺集成制造技术。本书从工艺规范和工序的确定入手，阐述了集成电路工艺制程的构成，...
【干货】mos管驱动电路设计详解,电子工程师手把手教你,秒懂
深入解析：MOS管驱动电路设计，电子工程师实战指南 在电子设计的旅程中，MOS管驱动电路是关键的一环。让我们一起探索它的奥秘，从参数设计到芯片选型，手把手教你轻松掌握。参数设计：图腾柱放大与电阻选择 驱动电阻Rg，通常在10k到几十kΩ之间，它的精确值对开关瞬态性能影响重大。理想范围应在10Ω至...
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MOS开关电路
MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用4.5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用2.5V就能驱动。当电压为2.5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。也可以用IRF540N，1A条件下一点问题都没有，当时做精密恒流源，可以控制到精度1mA。不过散热很重要，要有足够大的...
mos管是什么原理,起什么作用的
MOS管，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种电压控制型器件。其主要原理是基于金属氧化物半导体材料构成的PN结。MOS管在电路中起放大、开关、整流等多种作用。二、工作原理 MOS管的工作原理基于半导体材料的特性。当在MOS管的源极和漏极之间施加电压时，会在其表面形成导电通道，即形成电流。而这一切...
MOS电流模逻辑电路的设计方法和流程 逻辑电路图符号大全
1 MOS电路模逻辑电路设计特点 1.1?MOS管电路的结构特性 从MOS管的主要特性可知,MOS管电路不但工作的基本条件依赖于直流偏置,其使得MOS管一直工作在一个固定直流工作点上,而电路的功能只要是处理交流信号,例如对于交流电的信号放大。根据MOS管电路和信号的特点,就可以直接去确定提供的直流通道和交流通道的...
mos管是什么原理,起什么作用的
MOS管是一种利用电压控制电流的半导体器件，其工作原理是通过改变栅极电压（VGS）来控制被称为“感应电荷”的数量，进而调整由这些电荷形成的导电沟道，进而控制漏极电流（ID）。当栅极电压变化时，沟道中的电荷量也随之变化，导致导电沟道宽窄变化，电流随之调整。MOS管在电路中的应用广泛多样：它被用于放大...
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田梁醒脑： cmos有很多定义,你说的是在相机里还是电脑里?反正他就一互补金属半导体.通俗的理解就是由两层金属互补成的半导体,一层是p型金属,一层是n型金属.
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田梁醒脑： CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),互补金属氧化物半导体,电压控制的一种放大器件.是组成CMOS数字集成电路的基本单元. —————————————————————————————————————— 1963年...
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崇左市19739648826： 什么是CMOS静态电路 - ？
田梁醒脑： 常规CMOS逻辑采用互补型MOS管,任何时刻都有确定且不变的逻辑状态,此为静态逻辑.但还可利用栅电容的电容存储效应,构成动态逻辑,即逻辑状态在一定时间内可以保持,但随着时间推移,逻辑状态会发生改变,此即为动态电路.动态电路结构简单,但对工作时序有更严格的要求.
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田梁醒脑： 由场效应管组成的数字集成电路被称为CMOS逻辑电路.
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田梁醒脑： CMOS是单词的首字母缩写,代表互补的金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor),它指的是一种特殊类型的电子集成电路(IC).集成电路是一块微小的硅片,它包含有几百万个电子元件.术语IC隐含的含义是将多...
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田梁醒脑： 第五节 CMOS逻辑门电路 http://www.fjtu.com.cn/fjnu/courseware/0321/course/_source/web/lesson/char2/j6.htm 看看把 CMOS逻辑门电路是在TTL电路问世之后 ,所开发出的第二种广泛应用的数字集成器件,从发展趋势来看,由于制造工艺的改...
