光耦可控硅问题
MOC3041最大能承受1A的峰值输出电流,驱动BTA16是没有任何问题的,为了保证安全,建议给光耦的输出串联一个300欧姆左右的电阻到可控硅控制极。
再就是光耦的驱动端,3041的驱动电流是15mA,3043的驱动电流是5mA,如果用单片机直接驱动,建议用3043,否则最好使用三极管驱动,为了保证寿命,还必须增加老化系数,建议3043使用7mA,3041 使用20mA,还有驱动方式,3041是过零触发器件,需要电平驱动,脉冲驱动无效,要使用脉冲驱动请重新选择光耦。
按理说,在各器件无损坏以及接法正确的情况下,不会出现R15和可控硅烧坏;出现这两个损坏,有可能MOC363是坏的,串电过去会烧毁R15和可控硅1、3脚;严重情况下1、2脚也会短路
光耦可控硅:
晶闸管,又称可控硅(单向SCR、双向BCR)是一种4层的(PNPN)三端器件。在电子技术和工业控制中,被派作整流和电子开关等用场。在这里,介绍它们的基本特性和几种典型应用电路。
1、锁存器电路。
图1是一种由继电器J、电源(+12V)、开关K1和微动开关K2组成的锁存器电路。当电源开关K1闭合时,因J回路中的开关K2和其触点J-1是断开的,继电器J不工作,其触点J-2也未闭合,所以电珠L不亮。一旦人工触动一下K2,J得电激活,对应的触点J-1、J-2闭合,L点亮。此时微动开关K2不再起作用(已自锁)。要使电珠L熄灭,只有断开电源开关K1使继电器释放,电珠L才会熄灭。所以该电路具有锁存器(J-1自锁)的功能。
图2电路是用单向可控硅SCR代替图1中的继电器J,仍可完成图1的锁存器功能,即开关K1闭合时,电路不工作,电珠L不亮。当触动一下微动开关K2时,SCR因电源电压通过R1对门极加电而被触发导通且自锁,L点亮,此时K2不再起作用,要使L熄灭,只有断开K1。由此可见,图2电路也具有锁存器的功能。
图2与图1虽然都具有锁存器功能,但它们的工作条件仍有区别:
(1)图1的锁存功能是利用继电器触点的闭合维持其J线圈和L的电流,但图2中,是利用SCR自身导通完成锁存功能。
(2)图1的J与控制器件L完全处于隔离状态,但图2中的SCR与L不能隔离。所以在实际应用电路中,常把图1和图2电路混合使用,完成所需的锁存器功能。
2、单向可控硅SCR振荡器。
图3电路是利用SCR的锁存性制作的低频振荡器电路。
图中的扬声器LS(8Ω/0.5W)作为振荡器的负载。当电路接上电源时,由于电源通过R1对C1充电,初始时,C1电压很低,A、B端的电位器W的分压不能触发SCR,SCR不导通。当C1充得电压达到一定值时,A、B端电压升高,SCR被触发而导通。一旦SCR导通,电容器C1通过SCR和LS放电,结果A、B 端的电压又下降,当A、B端电压下降到很低时,又使SCR截止,一旦SCR截止,电容器C1又通过R1充电,这种充放电过程反复进行形成电路的振荡,此时LS发出响声。电路中的W可用来调节SCR门极电压的大小,以达到控制振荡器的频率变化。按图中元件数据,C1取值为0.22~4μF,电路均可正常工作。
3、SCR半波整流稳压电源。
如图4电路,是一种输出电压为+12V的稳压电源。
该电路的特点是变压器B将220V的电压变换为低压(16~20V),采用单向可控硅SCR半波整流。SCR的门极G从R1、D1和D2的回路中的C点取出约13.4V的电压作为SCR门阴间的偏置电压。电容器C1起滤波和储能作用。在输出CD端可获得约+12V的稳压。
电路工作时,当A点低压交流为正半周时,SCR导通对C1充电。当充电电压接近C点电压或交流输入负半周时,SCR截止,所以C1上充得电压(即输出端CD)不会高于C点的稳压值。只有储能电容C1输出端对负载放电,其电压低于C点电压时,在A点的正半周电压才会给C1即时补充充电,以维持输出电压的稳定。图4电路与电池配合已成功用于某设备作后备电源。该稳压电源,按图中参数其输出电流可达2~3A。
4、SCR全波整流稳压电源。
上述的半波整流稳压电源,其缺点是电源的效率低,其纹波也较大。图5的SCR全波整流稳压电源,完全克服了上述的缺点。该电路的输出电压也为12V(也可改接成其他电压输出)。该电路实际是由图4的两个半波整流和稳压电路组合而成。D1、SCR1、D4等工作在交流的正半周;D2、SCR2、D6等工作在交流的负半周,他们共同向输出的C、D端提供电流。电路中的D3、D5起隔离作用,即D3是防止A点交流负半周时,其电流通过R1;D5是防止A点交流正半周时,其电流通过R2的。电路的其他工作过程与上期图4相同。
只要触发电流一直存在,则不管有无工作电流,可控硅都是处于导通状态的。
如果触发电流撤消了,则可控硅需要有维持电流才能保持继续导通,否则就会关断。至于最小的维持电流是多大,则看可控硅的具体参数了,不好一概而论。
光耦可控硅问题
晶闸管,又称可控硅(单向SCR、双向BCR)是一种4层的(PNPN)三端器件。在电子技术和工业控制中,被派作整流和电子开关等用场。在这里,介绍它们的基本特性和几种典型应用电路。1、锁存器电路。图1是一种由继电器J、电源(+12V)、开关K1和微动开关K2组成的锁存器电路。当电源开关K1闭合时,因J回...
光耦可控硅打开后关不死机
1、光耦可控硅的工作受到控制信号的影响,控制信号一直处于高电平状态,那么光耦可控硅就无法关闭,是由于控制信号电路的设计问题或信号输入的异常导致;检查光耦可控硅的控制信号电路,确保信号输入正常。2、控制回路的稳定性不好,导致光耦可控硅一直保持打开状态,环路不稳定性是由于电源噪声、干扰或其他...
光电耦合器和双向可控硅的问题请教
如果控制端(24V侧)断路,光耦里的发光二极管不发光,光耦里的触发管侧不导通,可控硅的控制极没有触发信号,可控硅不导通;反之,如果控制端接通,光耦里的发光二极管发光,光耦里的触发管导通,可控硅的控制极得到触发信号,可控硅导通。R2,R3的取值可以满足要求,这个取值不是太严格,只要能满足可控硅的可靠触发即可(R2、...
关于光耦控制双向可控硅的问题。
MOC3041最大能承受1A的峰值输出电流,驱动BTA16是没有任何问题的,为了保证安全,建议给光耦的输出串联一个300欧姆左右的电阻到可控硅控制极。再就是光耦的驱动端,3041的驱动电流是15mA,3043的驱动电流是5mA,如果用单片机直接驱动,建议用3043,否则最好使用三极管驱动,为了保证寿命,还必须增加老化系数...
请教下图中光耦和可控硅控制电压的原理是什么,moc3063接的是51的io...
就是用光耦给可控硅的控制极加一个正向电压,可控硅就导通了.说白了就是小电流控制大电流.光耦的电流不够大.加个可控硅
关于光耦和可控硅接法问题(如图)
按理说,在各器件无损坏以及接法正确的情况下,不会出现R15和可控硅烧坏;出现这两个损坏,有可能MOC363是坏的,串电过去会烧毁R15和可控硅1、3脚;严重情况下1、2脚也会短路
光耦moc3041控制双向可控硅电路,图1实验没成功,图2还不知道,请高手指点...
图1你没有成功的原因是:Q1的右边没有电压,所以就算你给Q1的G级一个触发电压 它也不会导通,所以就算你短接AB Q1同样不会导通,因为Q1的右边无电压 解决办法是 把Q1撤掉不用, B直接接到Q2的G级 然后把Q2换个方向接入电路:这样,当光耦导通的时候,复发电压有了,电压和T1,T2(Q2的另外两端...
光耦可控硅工作的原理是什么
光耦可控硅工作原理光耦可控硅是一种可以控制电流的电子元件,它由一个可控硅和一个光耦合器组成。可控硅是一种可以控制电流的电子元件,它由一个可控硅和一个光耦合器组成。可控硅的工作原理是,当电流通过可控硅时,它会产生一个电磁场,这个电磁场会使光耦合器中的光纤发出光信号,这个光信号会被...
光耦双向可控硅工作的原理是什么
光耦双向可控硅的工作原理是什么?光耦双向可控硅是一种利用光学信号来传递电信号的器件,它主要由一个发光二极管(LED)和一个光检测器(通常是晶体管)组成。这种器件的核心功能是在两个电路之间提供电气隔离,同时允许信号的单向传递。工作原理的详细解释如下:1. 当输入电路中的信号需要传递时,发光...
双向可控硅用光耦的作用
光耦3021是一种用于隔离和控制高压电源的器件。它通过内置的光电转换器将低压信号转换为光信号,然后通过光耦的输出控制双向可控硅。根据您提供的信息,如果可控硅的输入是220V-240V交流电,那么R1和R2的阻值需要根据可控硅的特性来计算。首先,需要确定可控硅的门极电流(通常以mA为单位)和门极电压(通常...
采委立可: MOC3041最大能承受1A的峰值输出电流,驱动BTA16是没有任何问题的,为了保证安全,建议给光耦的输出串联一个300欧姆左右的电阻到可控硅控制极. 再就是光耦的驱动端,3041的驱动电流是15mA,3043的驱动电流是5mA,如果用单片机直接驱动,建议用3043,否则最好使用三极管驱动,为了保证寿命,还必须增加老化系数,建议3043使用7mA,3041 使用20mA,还有驱动方式,3041是过零触发器件,需要电平驱动,脉冲驱动无效,要使用脉冲驱动请重新选择光耦.
横山县13185037224: 光电耦合器和双向可控硅的问题请教 - ?
采委立可: 原理? 没啥好解释的啊! 如果控制端(24V侧)断路,光耦里的发光二极管不发光,光耦里的触发管侧不导通,可控硅的控制极没有触发信号,可控硅不导通; 反之,如果控制端接通,光耦里的发光二极管发光,光耦里的触发管导通,可控硅的控制极得到触发信号,可控硅导通. R2,R3的取值可以满足要求,这个取值不是太严格,只要能满足可控硅的可靠触发即可(R2、R3的取值会在一定程度上影响可控硅的导通角). R3也可以不用.
横山县13185037224: 单片机+MOC光耦移相电路 可控硅误触发怎么解决?(转帖)?
采委立可: 这种采用光耦的触发电路可靠性不高,原因是: MOC系列触发光耦内部含有一只可控硅,这个可控硅会误触发,再加上外接的功率可控硅同样存在误触发,合在一起误触发更严重. 目前还没有好的解决方法! 建议选用:脉冲变压器触发电路
横山县13185037224: 关于光耦和可控硅接法问题(如图) - ?
采委立可: 按理说,在各器件无损坏以及接法正确的情况下,不会出现R15和可控硅烧坏;出现这两个损坏,有可能MOC363是坏的,串电过去会烧毁R15和可控硅1、3脚;严重情况下1、2脚也会短路
横山县13185037224: 光耦moc3041控制双向可控硅电路,图1实验没成功,图2还不知道,请高手指点,问题有哪些? - ?
采委立可: 图1你没有成功的原因是:Q1的右边没有电压,所以就算你给Q1的G级一个触发电压 它也不会导通,所以就算你短接AB Q1同样不会导通,因为Q1的右边无电压 解决办法是 把Q1撤掉不用, B直接接到Q2的G级 然后把Q2换个方向接入电路:这样,当光耦导通的时候,复发电压有了,电压和T1,T2(Q2的另外两端)的方向一致,Q2便导通.灯就亮了
横山县13185037224: 单片机上电瞬间光耦触发可控硅误导通是什么原因 - ?
采委立可: 提醒你,单片机的IO口上电后输出高电平,你查一下光耦是怎么与IO口连接的
横山县13185037224: 如图,最近做一个电路,直流控制380V交流,使用了BTA06 - 600B的双向可控硅,但是谁能解答一下电阻问题呢? - ?
采委立可: 图中可控硅控制极接法有点奇怪,光敏器件无输入时R2提供电压给控制极,可控硅会导通;而光敏器件有输入时,即使饱和导通,由于R3的作用可控硅还是可能导通,起不了开关作用.可控硅控制极一般接在R3与光耦连接处.此时光耦有输入时可控硅导通,无输入时关断.R2为控制极提供触发电压,一般取100欧左右;R3用于消除光耦漏电流影响,防止误触发,一般取1K左右.这两个电阻不需要承受多大的功率,1/8-1/4瓦都可以.R4、C1是阻容吸收电路,一般取几十欧,功率1W.
横山县13185037224: 用光耦控制双向可控硅门极,双向可控硅控制风扇通断,为什么风扇导通一段时间后会自动关闭啊 - ?
采委立可: 可控硅在直流和交流电源下工作方式不一样,在直流下控制极只要一次瞬间电压就可以保持导通,在交流下需要控制极一直有电压!
横山县13185037224: 大家看看,到底坏在哪里??
采委立可: 主要电阻的话,看来可控硅问题,除了自身,就是触发问题较多了
横山县13185037224: 可控硅调光的问题 - ?
采委立可: 来凑下热闹!我个人认为第一次就接触可控硅就无需把电路搞那复杂,理论基础实可以纯计算出来!至于担心电阻过小会烧触发极,要烧也是先烧你光电耦合,RC对调光不会有什么影响,说到误导通情况是假如你用的是感性负载会发生,而一个白炽灯完全可以把它当成纯电阻!要说调个灯,你可以把光耦及以前全去掉把R49改成可调电位器也能调!