光耦可控硅问题

关于光耦控制双向可控硅的问题。~

MOC3041最大能承受1A的峰值输出电流，驱动BTA16是没有任何问题的，为了保证安全，建议给光耦的输出串联一个300欧姆左右的电阻到可控硅控制极。
再就是光耦的驱动端，3041的驱动电流是15mA，3043的驱动电流是5mA，如果用单片机直接驱动，建议用3043，否则最好使用三极管驱动，为了保证寿命，还必须增加老化系数，建议3043使用7mA,3041 使用20mA,还有驱动方式，3041是过零触发器件，需要电平驱动，脉冲驱动无效，要使用脉冲驱动请重新选择光耦。

按理说，在各器件无损坏以及接法正确的情况下，不会出现R15和可控硅烧坏；出现这两个损坏，有可能MOC363是坏的，串电过去会烧毁R15和可控硅1、3脚；严重情况下1、2脚也会短路

　　光耦可控硅：

　　晶闸管，又称可控硅（单向SCR、双向BCR）是一种4层的（PNPN）三端器件。在电子技术和工业控制中，被派作整流和电子开关等用场。在这里，介绍它们的基本特性和几种典型应用电路。

　　1、锁存器电路。

　　图1是一种由继电器J、电源（＋12V）、开关K1和微动开关K2组成的锁存器电路。当电源开关K1闭合时，因J回路中的开关K2和其触点J－1是断开的，继电器J不工作，其触点J－2也未闭合，所以电珠L不亮。一旦人工触动一下K2，J得电激活，对应的触点J－1、J－2闭合，L点亮。此时微动开关K2不再起作用（已自锁）。要使电珠L熄灭，只有断开电源开关K1使继电器释放，电珠L才会熄灭。所以该电路具有锁存器（J－1自锁）的功能。
    图2电路是用单向可控硅SCR代替图1中的继电器J，仍可完成图1的锁存器功能，即开关K1闭合时，电路不工作，电珠L不亮。当触动一下微动开关K2时，SCR因电源电压通过R1对门极加电而被触发导通且自锁，L点亮，此时K2不再起作用，要使L熄灭，只有断开K1。由此可见，图2电路也具有锁存器的功能。

　　图2与图1虽然都具有锁存器功能，但它们的工作条件仍有区别：

　　（1）图1的锁存功能是利用继电器触点的闭合维持其J线圈和L的电流，但图2中，是利用SCR自身导通完成锁存功能。

　　（2）图1的J与控制器件L完全处于隔离状态，但图2中的SCR与L不能隔离。所以在实际应用电路中，常把图1和图2电路混合使用，完成所需的锁存器功能。
2、单向可控硅SCR振荡器。

　　图3电路是利用SCR的锁存性制作的低频振荡器电路。

　　图中的扬声器LS（8Ω／0．5W）作为振荡器的负载。当电路接上电源时，由于电源通过R1对C1充电，初始时，C1电压很低，A、B端的电位器W的分压不能触发SCR，SCR不导通。当C1充得电压达到一定值时，A、B端电压升高，SCR被触发而导通。一旦SCR导通，电容器C1通过SCR和LS放电，结果A、B 端的电压又下降，当A、B端电压下降到很低时，又使SCR截止，一旦SCR截止，电容器C1又通过R1充电，这种充放电过程反复进行形成电路的振荡，此时LS发出响声。电路中的W可用来调节SCR门极电压的大小，以达到控制振荡器的频率变化。按图中元件数据，C1取值为0．22～4μF，电路均可正常工作。
3、SCR半波整流稳压电源。

　　如图4电路，是一种输出电压为＋12V的稳压电源。

　　该电路的特点是变压器B将220V的电压变换为低压（16～20V），采用单向可控硅SCR半波整流。SCR的门极G从R1、D1和D2的回路中的C点取出约13．4V的电压作为SCR门阴间的偏置电压。电容器C1起滤波和储能作用。在输出CD端可获得约＋12V的稳压。
    电路工作时，当A点低压交流为正半周时，SCR导通对C1充电。当充电电压接近C点电压或交流输入负半周时，SCR截止，所以C1上充得电压（即输出端CD）不会高于C点的稳压值。只有储能电容C1输出端对负载放电，其电压低于C点电压时，在A点的正半周电压才会给C1即时补充充电，以维持输出电压的稳定。图4电路与电池配合已成功用于某设备作后备电源。该稳压电源，按图中参数其输出电流可达2～3A。
4、SCR全波整流稳压电源。

　　上述的半波整流稳压电源，其缺点是电源的效率低，其纹波也较大。图5的SCR全波整流稳压电源，完全克服了上述的缺点。该电路的输出电压也为12V（也可改接成其他电压输出）。该电路实际是由图4的两个半波整流和稳压电路组合而成。D1、SCR1、D4等工作在交流的正半周；D2、SCR2、D6等工作在交流的负半周，他们共同向输出的C、D端提供电流。电路中的D3、D5起隔离作用，即D3是防止A点交流负半周时，其电流通过R1；D5是防止A点交流正半周时，其电流通过R2的。电路的其他工作过程与上期图4相同。

　　

只要触发电流一直存在，则不管有无工作电流，可控硅都是处于导通状态的。
如果触发电流撤消了，则可控硅需要有维持电流才能保持继续导通，否则就会关断。至于最小的维持电流是多大，则看可控硅的具体参数了，不好一概而论。

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横山县13185037224： 关于光耦控制双向可控硅的问题. - ？
采委立可： MOC3041最大能承受1A的峰值输出电流,驱动BTA16是没有任何问题的,为了保证安全,建议给光耦的输出串联一个300欧姆左右的电阻到可控硅控制极. 再就是光耦的驱动端,3041的驱动电流是15mA,3043的驱动电流是5mA,如果用单片机直接驱动,建议用3043,否则最好使用三极管驱动,为了保证寿命,还必须增加老化系数,建议3043使用7mA,3041 使用20mA,还有驱动方式,3041是过零触发器件,需要电平驱动,脉冲驱动无效,要使用脉冲驱动请重新选择光耦.

横山县13185037224： 光电耦合器和双向可控硅的问题请教 - ？
采委立可： 原理? 没啥好解释的啊! 如果控制端(24V侧)断路,光耦里的发光二极管不发光,光耦里的触发管侧不导通,可控硅的控制极没有触发信号,可控硅不导通; 反之,如果控制端接通,光耦里的发光二极管发光,光耦里的触发管导通,可控硅的控制极得到触发信号,可控硅导通. R2,R3的取值可以满足要求,这个取值不是太严格,只要能满足可控硅的可靠触发即可(R2、R3的取值会在一定程度上影响可控硅的导通角). R3也可以不用.

横山县13185037224： 单片机+MOC光耦移相电路 可控硅误触发怎么解决?(转帖)？
采委立可： 这种采用光耦的触发电路可靠性不高,原因是: MOC系列触发光耦内部含有一只可控硅,这个可控硅会误触发,再加上外接的功率可控硅同样存在误触发,合在一起误触发更严重. 目前还没有好的解决方法! 建议选用:脉冲变压器触发电路

横山县13185037224： 关于光耦和可控硅接法问题(如图) - ？
采委立可： 按理说,在各器件无损坏以及接法正确的情况下,不会出现R15和可控硅烧坏;出现这两个损坏,有可能MOC363是坏的,串电过去会烧毁R15和可控硅1、3脚;严重情况下1、2脚也会短路

横山县13185037224： 光耦moc3041控制双向可控硅电路,图1实验没成功,图2还不知道,请高手指点,问题有哪些? - ？
采委立可： 图1你没有成功的原因是:Q1的右边没有电压,所以就算你给Q1的G级一个触发电压 它也不会导通,所以就算你短接AB Q1同样不会导通,因为Q1的右边无电压 解决办法是 把Q1撤掉不用, B直接接到Q2的G级 然后把Q2换个方向接入电路:这样,当光耦导通的时候,复发电压有了,电压和T1,T2(Q2的另外两端)的方向一致,Q2便导通.灯就亮了

横山县13185037224： 单片机上电瞬间光耦触发可控硅误导通是什么原因 - ？
采委立可： 提醒你,单片机的IO口上电后输出高电平,你查一下光耦是怎么与IO口连接的

横山县13185037224： 如图,最近做一个电路,直流控制380V交流,使用了BTA06 - 600B的双向可控硅,但是谁能解答一下电阻问题呢? - ？
采委立可： 图中可控硅控制极接法有点奇怪,光敏器件无输入时R2提供电压给控制极,可控硅会导通;而光敏器件有输入时,即使饱和导通,由于R3的作用可控硅还是可能导通,起不了开关作用.可控硅控制极一般接在R3与光耦连接处.此时光耦有输入时可控硅导通,无输入时关断.R2为控制极提供触发电压,一般取100欧左右;R3用于消除光耦漏电流影响,防止误触发,一般取1K左右.这两个电阻不需要承受多大的功率,1/8-1/4瓦都可以.R4、C1是阻容吸收电路,一般取几十欧,功率1W.

横山县13185037224： 用光耦控制双向可控硅门极,双向可控硅控制风扇通断,为什么风扇导通一段时间后会自动关闭啊 - ？
采委立可： 可控硅在直流和交流电源下工作方式不一样,在直流下控制极只要一次瞬间电压就可以保持导通,在交流下需要控制极一直有电压!

横山县13185037224： 大家看看,到底坏在哪里?？
采委立可： 主要电阻的话,看来可控硅问题,除了自身,就是触发问题较多了

横山县13185037224： 可控硅调光的问题 - ？
采委立可： 来凑下热闹!我个人认为第一次就接触可控硅就无需把电路搞那复杂,理论基础实可以纯计算出来!至于担心电阻过小会烧触发极,要烧也是先烧你光电耦合,RC对调光不会有什么影响,说到误导通情况是假如你用的是感性负载会发生,而一个白炽灯完全可以把它当成纯电阻!要说调个灯,你可以把光耦及以前全去掉把R49改成可调电位器也能调!