如图,图(1)将一金属薄片垂直置于磁场B中,在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时,另外两侧c、f间产生电
(1)电流的方向水平向右时,电子向左定向移动,根据左手定则,电子向f面偏转.f面得到电子带负电,c面失去电子带正电,所以C端的电势高.(2)最终电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等,设半导体薄片的宽带为a,有 e U H a =evB ,根据电流I=nevS,v= I neS = I nead ,所以 U H =vBa= I nead Ba= IB ned ,则尔系数R H = 1 ne .故本题答案为:(1)C,(2) 1 ne .
(1)电流的方向向右,则电子定向移动的方向水平向左,根据左手定则知,电子向f侧面偏转,f侧面带负电,c侧面带正电,所以c侧面电势高.(2)根据evB=eUma,因为电流I=nevS=nevad联立两式得,Um=IBned,增大磁感应强度,则Um增大.故答案为:(1)c,(2)增加.
解答:解:(1)如右图(2)由题意得:UM=k
IB |
d |
由图象可知
UM |
I |
1.1+1.9+3.4+4.5+6.2+6.8 |
3+6+9+12+15+18 |
解得:k=UM
d |
IB |
0.4 |
0.1 |
(3)由于在时间t内,霍尔元件输出的脉冲数目为P,则有:
P=mNt
圆盘转速为 N=
P |
mt |
故答案为:(1)如图;(2)1.5;(3)N=
P |
mt |
如图,图(1)将一金属薄片垂直置于磁场B中,在薄片的两个侧面a、b间通以...
解答:解:(1)如右图(2)由题意得:UM=kIBd由图象可知UMI=1.1+1.9+3.4+4.5+6.2+6.83+6+9+12+15+18=0.38解得:k=UMdIB=0.38×0.40.1≈1.5×10-3(3)由于在时间t内,霍尔元件输出的脉冲数目为P,则有: P=mNt圆盘转速为 N=Pmt故答案为:(1)如图;(2)1.5;...
...广泛应用于测量和自动控制等领域。如图1,将一金属或半导体薄片_百度...
解:(1)U H =E H l;c端电势高 (2)由 ①得 ②当电场力与洛伦兹力相等时eE H =evB 得E H =vB ③ 又I=nevS ④ 将③、④代入②得 (3)a.由于在时间t内,霍尔元件输出的脉冲数目为P,则P=mNt 圆盘转速为 b.提出的实例或设想合理即可 ...
...广泛应用于测量和自动控制等领域. 如图1,将一金属或半导体薄_百度知 ...
④将③、④带入②得: R H =vBl d IB =vl d nevS = ld neS = 1 ne (3)、a.由于在时间t内,霍尔元件输出的脉冲数目为P,则有: P=mNt圆盘转速为 N= P mt b.提出的实例或设想合理即可.答:(1)、c端电势高.(2)、霍...
物理课上,同学们观察下图所示的实验:用细线将一金属小球悬挂起来,把小 ...
(1)小球拉开时,高度升高,即重力势能增加,松手后,小球开始运动,产生了动能.(2)我们的实验目的是为了探究金属小球摆动快慢的决定因素,故我们要用到小球,D,E都为金属球且形状一样,故均可选,我们要探究的是摆动快慢,要记录时间,所以要用的秒表;因要看不同长度的细线对时间的影响,所以...
...同学们观察了下图所示的实验:用细线将一金属小球悬挂起来,把小球拉...
(1)动能和势能可以相互转化 (2)ABCD或ABCE; 具体操作:① 把小球用0.8m的细线悬挂起来,拉到一定的高度后释放,用秒表记下小球摆动一次所用的时间 ;② 把小球用1.0m的细线悬挂起来,拉到同样的高度后释放,用秒表记下小球摆动一次所用的时间 ;③ 比较 和 。(3)①小球摆动的快慢...
如图1所示,用弹簧测力计吊着一金属块逐渐放入水中,图2图象反映了这个过 ...
弹簧测力计的拉力即为金属块的重力G=F=5N,则m=Gg=5N10N\/kg=0.5kg;当h=6cm,金属块全部浸入水中时,弹簧测力计的拉力F拉=2N,金属块受的浮力F浮=G-F拉=5N-2N=3N;(2)由F-h图象可知,金属块浸入水中的最大深度为hmax=10cm=0.1m,则金属块受到水的最大压强:p=ρghmax=1×103...
五险一金全揭秘【图解】
假定你是税前月薪1万元,个人每月缴纳“五险一金”:(8%+2%+0.5%+7%)*10000=1750元 单位每月缴纳“五险一金”:(20%+10%+1%+0.5%+1%+7%)*10000=3950元 个人实际到手工资=10000-1750-个人所得税395=7855元 单位用工支出总计=10000+3950=13950元 也就是说,公司为你付出的钱中,你只GET...
(2008?萝岗区一模)(1)如图所示,一金属球沿光滑斜面滚下,请画出该球所...
(1)重力和支持力的作用点画在物体的重心上;重力的方向竖直向下;支持力的方向与斜面垂直,垂直斜面向上.故答图如下:(2)由杠杆的平衡条件可知,在阻力乘阻力臂不变时,动力臂越长所用的动力越小;如图,支点为O,过支点O做直径OA,过A做OA的垂线,可得动力的作用线,按这个方向用力,动力臂...
一金属丝由图1可知其长度为___,图2可知直径为__
1、游标卡尺的主尺读数为8mm,游标尺上第0个刻度和主尺上某一刻度对齐,所以游标读数为0×0.02mm=0.00mm,所以最终读数为:8mm+0.00mm=8.00mm=0.800cm.2、螺旋测微器的固定刻度为0.5mm,可动刻度为17.9×0.01mm=0.179mm,所以最终读数为0.5mm+0.179mm=0.679mm.故答案为:0.800 ...
用游标卡尺(图1)测量某一金属管的内径和外径时,游标的位置分别如图2甲...
所以游标读数为7×0.1mm=0.7mm,所以最终读数为:23mm+0.7mm=23.7mm,2、游标卡尺的主尺读数为:3cm=30mm,游标尺上第3个刻度和主尺上某一刻度对齐,所以游标读数为3×0.1mm=0.3mm,所以最终读数为:30mm+0.3mm=30.3mm.故答案为:23.7;30.3 ...
夷湛肝泰:[答案] (1)如右图(2)由题意得:UM=kIBd由图象可知UMI=1.1+1.9+3.4+4.5+6.2+6.83+6+9+12+15+18=0.38解得:k=UMdIB=0.38*0.40.1≈1.5*10-3(3)由于在时间t内,霍尔元件输出的脉冲数目为P,则有: P=mNt圆盘转速为...
房县15588001679: 如图,将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中,在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时,另外两侧c、f间产生电势差,这一现象称为霍尔效应.其原因是薄片中... - ?
夷湛肝泰:[答案] (1)电流的方向水平向右时,电子向左定向移动,根据左手定则,电子向f面偏转.f面得到电子带负电,c面失去电子带正电,所以C端的电势高.(2)最终电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等,设半导体薄片的宽带为a,有e...
房县15588001679: 利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器,广泛应用于测量和自动控制等领域.如图1,将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中,在薄片的两个侧面a、b间... - ?
夷湛肝泰:[答案] (1)、由场强与电势差关系知UH=EHl.导体或半导体中的电子定向移动形成电流,电流方向向右,实际是电子向左运动.由左手定则判断,电子会偏向f端面,使其电势低,同时相对的c端电势高.(2)、由题意得:UH=RHIBd...
房县15588001679: 如图,图(1)将一金属薄片垂直置于磁场B中,在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时,另外两侧c、f间产生电 - ?
夷湛肝泰: 解答:解:(1)如右图(2)由题意得:UM=kIBd由图象可知UMI=1.1+1.9+3.4+4.5+6.2+6.83+6+9+12+15+18=0.38解得...
房县15588001679: 将一金属或半导体薄片垂直置于磁场中,并沿垂直磁场方向通入电流,则在导体中垂直于电流和磁场方向会产生一个电势差,这一现象称为霍尔效应,此电势... - ?
夷湛肝泰:[答案] (1)电流的方向水平向右时,电子向左定向移动,根据左手定则,电子向f面偏转.f面得到电子带负电,c面失去电子带正电,所以C端的电势高. (2)电子收到的洛伦兹力与电场力平衡evB0=eE 电场强度E= UH L 电流的微观表达式 I=nevLh 可得n= B0I ...
房县15588001679: 利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器,广泛应用于测量和自动控制等领域. 如图1,将一金属或半导体薄 - ?
夷湛肝泰: (1)、由场强与电势差关系知U H =E H l.导体或半导体中的电子定向移动形成电流,电流方向向右,实际是电子向左运动.由左手定则判断,电子会偏向f端面,使其电势低,同时相对的c端电势高. (2)、由题意得: U H = R HIBd …① 解得: R ...
房县15588001679: 如图将一金属薄片垂直置于磁场B中,在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时,另外两侧c、f间产生电势差,这一 - ?
夷湛肝泰: (1)电流的方向向右,则电子定向移动的方向水平向左,根据左手定则知,电子向f侧面偏转,f侧面带负电,c侧面带正电,所以c侧面电势高. (2)根据evB=e Um a ,因为电流I=nevS=nevad 联立两式得,Um= IB ned ,增大磁感应强度,则Um增大. 故答案为:(1)c,(2)增加.
房县15588001679: (2012?温州模拟)如图所示,有一金属块放在垂直于表面C的匀强磁场中,磁感应强度B,金属块的厚度为d,高 - ?
夷湛肝泰: |最终电子在电场力和洛伦兹力作用下处于平衡,有evB=e.解得v= 电流的微观表达式为I=nevS=nevhd,所以n==.故C正确,A、B、D错误. 故选C.
房县15588001679: (1)如图1所示,固定于水平面上的金属框架abcd,处在竖直向下的匀强磁场中.金属棒MN沿框架以速度v向右 - ?
夷湛肝泰: (1)见解析 (2)洛伦兹力做功为0,管的支持力做功 试题分析:(1) 如图1所示,在一小段时间Dt内,金属棒MN的位移 (2分) 这个过程中线框的面积的变化量 (1分) 穿过闭合电路的磁通量的变化量 (1分) 根据法拉第电磁感...