如下图，NMOS管的工作状态是怎样的？
MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化
这个mos管是P沟道的。
光耦不通时，mos管G端电压等于高电位，截止。
当光偶导通时，mosG端电压降低，mos管导通。
DOUT3和地之间应该有负载，比如继电器什么的。
这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；
另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。
MOS管又称场效应管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。
2. MOS管工作原理--Mos管的结构特点
MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
3. MOS管工作原理--MOS管的特性
3.1MOS管的输入、输出特性
对于共源极接法的电路，源极和衬底之间被二氧化硅绝缘层隔离，所以栅极电流为0。
当VGS
3.2MOS管的导通特性
MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。下面以NMOS管为例介绍其特性。
图 (a)为由NMOS增强型管构成的开关电路。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
4. MOS管工作原理
MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些
如下图,NMOS管的工作状态是怎样的?
这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。
增强型MOS管的源漏极能不能反接?
当NMOS管的控制电压(栅源电压) >开启电压 (2V以上)时，在D、S之间会形成反型层(又称作导电沟道，因沟道的导电离子极性与衬底的多子极性相反而被称为反型层)。当D、S之间没有电压即 =0时，是不会产生漏源电流 的(如上图左)。只有 >0时，即电动势 > 时才会产生电流 >0，电流...
nmos三极管的管脚怎么接
G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。
与非门的电路原理图是怎样的?
此电路功能为三输入与门形式，输入为A,B,C,输出为Y。用CMOS实现反相器电路，PMOS和NMOS管进行全互补连接方式，栅极相连作为输入，电路上面是三个PMOS并联，PMOS的漏极与下面NMOS的漏极相连作为输出，POMS管的源极和衬底相连接高电平，NMOS管的源极与衬底相连接低电平；与非门是与门和非门的结合，先进...
请问:用图中的2个共漏极的NMOS管子如何接线驱动10v 350ma 的LED灯珠...
如图一般是这样的，将蜂鸣器改成LED，VDD改成10即可，至于电流，放心，NMOS一般5A起步。你的比较特别，那就只能串在源极然后接地了。还有H桥的电路，不过那是一个PMOS和一个NMOS
MOSFET-P和MOSFET-N区别在那里?谢谢了
MOSFET-P和MOSFET-N的区别：1、MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；2、为了能正常工作，NMOS管外加的Vds必须是正值，开启电压VT也必须是正值，实际电流方向为流入漏极。而与NMOS不同，PMOS管外加的Vds必须是负值，开启电压VT也必须是负值，实际电流方向为流出漏极。N沟道和P沟道MOSFET分为增强型和...
NMOS管的工作状态有几种呢?
NMOS管的工作状态主要分为三类：截止区，线性区（或称为三极管区），以及饱和区。首先，截止区是当NMOS管的栅极电压低于阈值电压，使得沟道无法形成，源极和漏极之间处于高阻态。这种情况下，NMOS管相当于一个断开的开关，电流无法从源极流向漏极。其次，线性区或者称为三极管区，是当栅极电压大于阈值...
Pmos管开关电路?
下图是两种PMOS管经典开关电路应用：其中第一种NMOS管为高电平导通，低电平截断，Drain端接后面电路的接地端；第二种为PMOS管典型开关电路，为高电平断开，低电平导通，Drain端接后面电路的VCC端。首先要进行MOSFET的选择，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N...
PMOS,NMOS,CMOS,BIOS有何区别
PMOS,NMOS,CMOS,BIOS的主要区别在导通特性，开关管损失，驱动方面 1、导通特性 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便...
大一模电场效应管例题。看图,为什么输入电阻不加上R?那个射极偏置电路求...
妹子：首先感谢你的图治好了我的劲椎病。其次，这个是NMOS管，NMOS管的G极和S极中间有一层绝缘层，因此G极和S极是不导通的，也就是断开状态，自然没有电阻。而三极管的B极和E极之间是有个PN结，PN结在加电压后可以导通，具有导通电阻。
巧策单克： 三个电路硅晶体管的状态分别是a道通b截止c截止.
洞头县19868003656： 若nmos管 vgs>vtn且vgd<vtn则该晶体管工作在什么状态 - ？
巧策单克： UGD=UGS-UDS<Uth 所以把算式变换一下,可以得出:UDS>UGS-Uth,工作在放大状态. 具体可以参考童诗白的《模拟电子技术基础》第四版P46页,图1.4.9下一段,里面说的非常清楚.
洞头县19868003656： NMOS晶体管的工作原理 - ？
巧策单克： N沟道增强型MOS管的输出特性曲线与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分. 转移特性曲线由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同...
洞头县19868003656： 怎么看MOS管是高电平导通还是低电平导通 在电路图纸中怎么看一直不明白 - ？
巧策单克： 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
洞头县19868003656： ttl与非门工作原理与解析？
巧策单克：TTL非门的电路组成及工作原理,反相器 2008-06-12 00:02:58 作者: 来源:互联网 浏览次数:0 文字大小:【大】【中】【小】 * 反相器 TTL非门的电路组成及工作原理: 典型TTL与非门电路电路组成إ 输入级——晶体管T1和电阻Rb1构成....
洞头县19868003656： Mos型静态存储单元工作状态下如何进行信息保持 - ？
巧策单克： 一位静态存储单元是由 6个MOS晶体管组成的一位静态存储单元.由增强型和耗尽型 MOS晶体管T□ T□连接成双稳态电路,T□和T□组成向单元存信息或取信息
洞头县19868003656： NMOS场效应管工作在可变电阻区的条件 - ？
巧策单克： NMOS管的uGS>UTN且uDS值较小,工作在可变电阻区....
洞头县19868003656： mos管的发热分析 - ？
巧策单克： 做电源设计,或者做驱动方面的电路,难免要用到MOS管.MOS管有很多种类,也有很多作用.做电源或者驱动的使用,当然就是用它的开关作用. 无论N型或者P型MOS管,其工作原理本质是一样的.MOS管是由加在输入端栅极的电压来控...
洞头县19868003656： MOS管的三个电极分别为Us= - 5V,Ug=1V,Ud=3V,Ugs(th)=4V为什么此时的工作状 - ？
巧策单克： 算一下几个值就好了,UGS=6V.UDS=8V. 根据NMOS增强型场效应管(UGSth就说明了是增强型,电压UD>US说明是N沟道)的状态判断条件: 当UGS<UGSth时,截止(关断区); UDS<UGS-UGS(th)时,可变电阻区(相当于三极管饱和区); UDS=UGS-UGS(th)时,预夹断(恒流区与可变电阻区的临界点); UDS>UGS-UGS(th)时,恒流区(相当于三极管放大区); 你现在可以计算一下:UDS=8V>UGS-UGS(th)=2V,所以明显是属于恒流区,此时对于每个UGS,都有一个iD与它对应,MOS管可视为电压UGS控制的恒流源. 你可以参考:童诗白,《模拟电子技术基础》第四版,P46页.
洞头县19868003656： 下面图片中的MOS管在什么情况下导通. - ？
巧策单克： 在PQB03收到ACDRV这个信号之前是出于截止状态,因VIN加到了PQB03的漏极所以P1此时并没有电压.见图:当芯片发出ACDRV这个信号后PQB03和PQB04两个NMOS开启,此时有了P1和P2,P1为适配器电压19V经PRB11和PRB12分压(PRB12*19/(PRB11+PRB12)),分压后的电压是4.75V.见下图.那么根据NMOS管的导通条件栅极电压必须高于源极4.5V以上才可以导通,现在源极是19V而栅极是4.75V,这个管子怎么可以导通.见下图.即便此管可以正常导通,但是ACDRV得信号电压是25V加到此管的漏极,这个MOS管还是不能够导通.见下图:
