说出晶体三极管中ib ic ie 形成过程及三者之间的关系
设三极管的电流放大倍数是B,三极管工作于放大状态时Ib,Ic,Ie的关系是：一、Ic=B*Ib二、Ie=Ic+Ib=B*Ib+Ib=(1+B)*IbNPN和PNP 管都是这样计算。
分NPN、PNP两种情况：
NPN：Ic+Ib=Ie，Ic=β.Ib
PNP：Ie+Ib=Ic，Ic=β.Ib
β为晶体管放大倍数。以上是之前的答案。答案是误，对于他人造成的误会，在此表示由衷的歉意。此外，也对给我提出不同意见的朋友表示感谢。为此，补充下面图纸供参考。
下面是我2022.01.25的修改答案示意图。
PNP电路图与传统的画法有点不一样。
ic形成过程有点复杂，它既要求要有集电极回路，还要求要有ib，就是说只是给三极管的C-E之间加电压是没有电流通过的，必需还有ib才能有ic，并且ic的大小除了有受电源还受ib及hFE的控制，准确的说就是，ic的最大值由集电极回路限制，（小于最大值的）实际ic=ib * hFE。举例，设三极管的hFE是100，电源20V串联电阻100欧姆接三极管集电极，那么集电极回路最大电流值是200mA ，当ib是0时ic也是0，当ib是1mA时ic是100mA，当ib是2mA时ic是200mA，当ib是2mA以上时，ic却只能都是200mA。
因为E极是ib和ic的公共电路，所以ie是ib和ic的数学和。只要有ib或ic，就有ie。它们的大小关系是
ic=ib * hFE（可见ib比ic小很多）
ie=ib+ic。
进一步说，ib回路与普通电路还是有不同的，主要有两点，一是偏置电压要大于三极管的基-射极正向压降（硅管以0.6~0.7V计，锗管以0.2V~0.3V计)，小于此电压以下不能形成ib。二是偏置电压的方向对于基-射极来说是正向。
在三极管中iaibic的关系
首先纠正，没有IA NPN型三极管为例 IE=IC+IB IE，IC,远大于IB（找不到远大于的符号）IC=βIB 电流IB的微小变化量会引起IC较大的变化 IB是输入信号，输出信号：有电压放大有电流放大。发射极正偏，发射结的电子向集电极扩散，IB从基区不断拉走电子，基区就形成了少量的空穴。由于基区很薄，空穴...
Ib电流是怎么计算出来的?三极管分压偏置电路中
pnp管,ib串电阻rb,电源电压u发射极接地时：ib=u\/rb 基极电流等于流经电阻rb的电流，因为这一支路为串联电路电流相等，所以ib电流等于串接在基极上的电阻rb流经的电流。在工程上，三极管的内阻被忽略，主要是因为三极管不是线性元件，所以基极电压变化时三极管内阻和这个电压不成正比，所以计算上忽略器件...
三极管中iB表示的是流入三极管的电流还是整个输入电流
iB表示的是流入三极管的电流
(采纳～)用电流表测得晶体三极管的Ie =10.2A,Ic =10A,求Ib 和β的值...
Ie=Ib+Ic Ib=10.2-10=0.2 A β=Ic\/Ib=10\/0.2=50
为什么三极管的基极电流Ib可以被忽略
这是在特定情况下、为了简便设计计算的一种说法。例如：三极管的集电极电流近似等于发射极电流，基极电流就被忽略了。其实集电极电流+基极电流=发射极电流。由于基极电流很小，通常是uA级的这里就不加了。
三极管的电流分配关系是怎么的?
三极管各电极上的电流分配关系为：发射极IE=基极IB+集电极IC。发射极电流IE，集电极电流IC大于基极电流IB，集电极IC=β基极IB。晶体三极管有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative）。N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压...
一晶体三极管工作中放大状态时Ib=00.4毫安,B=50 Ic Ie 是多少_百度知 ...
一晶体三极管工作于放大状态时，Ib＝0.04毫安，B＝50。Ic=0.04×50=2毫安， Ie=Ic+Ib=2+0.04=2.04毫安。
电路中lb是什么
通常 Ib代表 电晶体三极管的 基极电流...
晶体管输出的特性
从曲线上可以看出，晶体管的工作状态可分成三个区域。饱和区：Uce很小，Ic很大。集电极和发射极饱和导通，好像被短路了一样。这时的Uce称作饱和压降。此时晶体管的发射结、集电结都处于正向偏置。放大区：在此区域中Ib的很小变化就可引起Ic的较大变化，晶体管工作在这一区域才有放大作用。在此区域Ic...
在三极管里为什么说UBE的变化会引起Ib的变法..该怎样解释啊
2 我们平时所说的三极管一般是指BJT,双叫双极性晶体管,流过它的电流是由空穴与电子组和而成的,电流是由外部施加电压而形成的,不加电压时当然不会导通,更不会有电流.3 三极管在线性工作区域时,由它的构造而决定了集电极电流与基极电流成比例的关系,即:ic=βib 集电极电流的能量是由直流偏置电源提供...
隗黄息喘： 三极管有三个端口,E射极、B基极和C集电极,而I代表电流,也就是说IE表示射极端的电流,IB表示基极端的电流,IC表示集电极端的电流.
西藏自治区13360313300： 在三极管中,IE与IB,IC的关系为( ),由于IB的数值远远小于IE=( )mA,如果忽略IB,则IC( )IE. - ？
隗黄息喘：[答案] 在三极管中,IE与IB,IC的关系为(IE=IB+IC ),由于IB的数值远远小于IE=(几 )mA,如果忽略IB,则IC(约等于 )IE.
西藏自治区13360313300： 三极管的基础问题~三极管中电流Ib控制电流Ic的微观解释是否如下:由于Ib在发射结上是正向偏置,所以Ib的大小就控制了发射结空间电荷区的宽窄程度,从... - ？
隗黄息喘：[答案] yes,PN要导通,必须要在PN结的结合部形成空穴和电子的交汇区,也就是导电沟道,这个导电沟道里的电子和空穴越稠密,导电越强,反之相反.如你说的,如果P端有空穴而N端没有电子,不行形成导电通道,是不会导通的.
西藏自治区13360313300： 在三极管中,IE与IB,IC的关系为( ),由于IB的数值远远小于IE=( )mA,如果忽略IB,则IC( )IE. - ？
隗黄息喘： 在三极管中,IE与IB,IC的关系为(IE=IB+IC ),由于IB的数值远远小于IE=(几 )mA,如果忽略IB,则IC(约等于 )IE.
西藏自治区13360313300： 三极管Ib,Ic,Ie的关系 - ？
隗黄息喘： 设三极管的电流放大倍数是B,三极管工作于放大状态时Ib,Ic,Ie的关系是:一、Ic=B*Ib二、Ie=Ic+Ib=B*Ib+Ib=(1+B)*IbNPN和PNP 管都是这样计算.
西藏自治区13360313300： 晶体三极管是电流控制器件,那为什么说是Ib控制Ic? - ？
隗黄息喘： 因为设计出来的三极管就是这个性质:Ic = β * Ib ,没有输入基极电流,集电极就没有电流,所以三极管可以做为电子开关使用.
西藏自治区13360313300： 一晶体三极管工作中放大状态时Ib=00.4毫安,B=50 Ic Ie 是多少 - ？
隗黄息喘： 一晶体三极管工作于放大状态时,Ib=0.04毫安,B=50.Ic=0.04*50=2毫安, Ie=Ic+Ib=2+0.04=2.04毫安.
西藏自治区13360313300： PNP三极管中放大的时候 IB IC IE 是什么关系?UBE=? - ？
隗黄息喘： Ie=Ib+Ic Ube=Ut*ln(Ie/Is),,Ut是温度电压当量,Is是饱和电流,每个管都不一样的,要查元件的资料 一般设计中,没有必要求Ube,一般把硅材料的设定为0.6V左右,诸材料的设定为0.2左右
西藏自治区13360313300： 三极管放大了哪个电流 是Ib Ic Ie? 为什么放大的是那个? - ？
隗黄息喘： 当然是放大Ib了,这里Ib是小电流输入三极管,进过三极管放大后输出Ie,Ic和Ie是一样大的.
