晶体管输出的特性

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晶体管输出特性曲线的线性区域是什么~

晶体管输出特性曲线的线性区域是:
1、截止区:IB=0曲线以下区域,几乎与横轴重合;工作状态为截止状态C和E极间相当于开关断开。 
2、放大区:平坦部分线性区,几乎与横轴平行;工作状态为放大状态。
3、饱和区:曲线上升和弯曲部分;饱和状态C和E极间相当于开关接通。

扩展资料:
放大区在此区域中Ib的很小变化就可引起Ic的较大变化,晶体管工作在这一区域才有放大作用。在此区域Ic几乎不受Uce控制,曲线也较为平直,此时管子的发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置。
截止区在Ib=0,Ic极小,集电极和发射极好像断路(称截止),管子的发射结、集电结都处于反向偏置。
参考资料来源:
百度百科-晶体管输出

三极管的输出特性是指当基极电流Ib一定时,集电极电流Ic与集-射极电压Uce之间的关系曲线。在不同的Ib下,可得出不同的曲线,所以三极管的输出特性是一组曲线。通常把输出特性曲线分为三个工作区:
(1)放大区:输出特性曲线的近于水平部分是放大区。在放大区,Ic=Ib×β,由于在不同Ib下电流放大系数近似相等,所以放大区也称为线性区。三级管要工作在放大区,发射结必须处于正向偏置,集电结则应处于反向偏置,对硅管而言应使Ube>0,Ubc<0。
(2)截止区:Ib=0的曲线以下的区域称为截止区。实际上,对NPN硅管而言,当Ube<0.5V时即已开始截止,但是为了使三极管可靠截止,常使Ube≤0V,此时发射结和集电结均处于反向偏置。
(3)饱和区:输出特性曲线的陡直部分是饱和区,此时Ib的变化对Ic的影响较小,在饱和区,Uce<Ube,发射结和集电结均处于正向偏置.

晶体三极管输出特性曲线(共发射极)
晶体三极管是由形成二个PN结的三部分半导体组成的,其组成形式有PNP型及NPN型。我国生产的锗三极管多为PNP型,硅三极管多为NPN型,它们的结构原理是相同的。
三极管有三个区、三个电极。其中基区(三极管中间的一层薄半导体)引出基极b;两侧有发射区引出发射极e及集电区引出集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电结。在电路符号上PNP型管发射极箭头向里,NPN型管发射极箭头向外,表示电流方向。
基极电流Ib一定时,晶体三极管的Ic和Uce之间的关系曲线叫做输出特性曲线。曲线以Ic(mA)为纵坐标,以Uce(V)为横坐标给出,图上的点表示了晶体管工作时Ib、Uce、Ic三者的关系,即决定了晶体三极管的工作状态。从曲线上可以看出,晶体管的工作状态可分成三个区域。饱和区:Uce很小,Ic很大。集电极和发射极饱和导通,好像被短路了一样。这时的Uce称作饱和压降。此时晶体管的发射结、集电结都处于正向偏置。放大区:在此区域中Ib的很小变化就可引起Ic的较大变化,晶体管工作在这一区域才有放大作用。在此区域Ic几乎不受Uce控制,曲线也较为平直,此时管子的发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置。截止区:Ib=0,Ic极小,集电极和发射极好像断路(称截止),管子的发射结、集电结都处于反向偏置。



电路中三极管输出特性也很简单,看看就懂了,这是基础,建议掌握




双极型晶体管的特点
输入特性曲线:描述了在管压降UCE一定的情况下,基极电流iB与发射结压降uBE之间的关系称为输入伏安特性,可表示为: 硅管的开启电压约为0.7V,锗管的开启电压约为0.3V。输出特性曲线:描述基极电流IB为一常量时,集电极电流iC与管压降uCE之间的函数关系。可表示为:双极型晶体管输出特性可分为三个区...

晶体管的主要参数有哪些
晶体管主要参数,晶体管主要参数晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。晶体管主要参数 晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。※ 电流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数,用来表示...

晶体管有几种工作状态
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2. T-晶体管(Transistor):T型管是一种半导体器件,也被称为双极型晶体管。它是由三个掺杂不同的半导体材料组成的,通常是硅。T型管的结构类似于一个字母T,其中两个端点是P型半导体,中间是N型半导体。T型管的工作原理是基于PN结的特性。3. S-晶闸管(Thyristor):晶闸管是晶体闸流管的简称,...

三极管共射特性曲线(输出特性曲线)
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...截止三种工作状态时,三极管中的两个PN结所具有的特点。
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双极晶体管共射极输出特性特性曲线向上倾斜的主要原因
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三极管输出特性曲线的饱和区,我很费解!
先看一条曲线,横轴是Uce,纵轴是Ic,这条曲线是基极电流Ib=某个值,如40uA时得到的。在这条电流随电压变化的曲线中有一个先快速上升后转为平台的转折点,假设这一点的电压为Uce=u1。物理概念很容易理解,当Uce>u1时,Ic可以稳定保持输出一个比较大的电流值,如I1,而当Uce<u1时,此时Ic输出...

初级电工证考试.试题
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三极管的特性是什么?
三极管的特性:1、发射区向基区发射电子 电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散,但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度,可以不考虑这个电流,因此可以认为发射结主要是电子流。2...

旌德县15651634376: 晶体三极管的输出特性指什么概念 -
薛裴今达: 三极管的输出特性是指当基极电流Ib一定时,集电极电流Ic与集-射极电压Uce之间的关系曲线.在不同的Ib下,可得出不同的曲线,所以三极管的输出特性是一组曲线.通常把输出特性曲线分为三个工作区:(1)放大区:输出特性曲线的近于水平部分是放大区.在放大区,Ic=Ib*β,由于在不同Ib下电流放大系数近似相等,所以放大区也称为线性区.三级管要工作在放大区,发射结必须处于正向偏置,集电结则应处于反向偏置,对硅管而言应使Ube>0,Ubc<0.(2)截止区:Ib=0的曲线以下的区域称为截止区.实际上,对NPN硅管而言,当Ube (3)饱和区:输出特性曲线的陡直部分是饱和区,此时Ib的变化对Ic的影响较小,在饱和区,Uce

旌德县15651634376: :双极型晶体管输出特性是什么呢?
薛裴今达: 可表示为:双极型晶体管输出特性可分为三个区★截止区:发射结和集电结均为反向偏置

旌德县15651634376: 三极管的输入输出特性 -
薛裴今达: 1.输入特性:当加于集电极与发射极之间的电压Uce为某一定值时,基极与发射极之间的电压Ube与基极电流Ib之间的关系称为晶体管的输入特性. 2.输出特性:当基极电流为某一定值时,集电极电压Uce与集电极电流Ic之间的关系曲线称为晶体管的输出特性. 曲线表明:Uce一定时,Ib微小的变化,可以引起Ic较大的变化.说明了晶体管的放大能力.还有其他的特性,就不一一说明了.

旌德县15651634376: 1.N型半导体主要靠 - 导电,P型半导体主要靠来 - 导电.2.晶体三极管的三个电极分别称 极.极和 极.3.晶体三极管的输出特性可知,它有 .和 区域. -
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薛裴今达: 1.晶体管的结构 晶体管内部由两PN结构成,其三个电极分别为集电极(用字母C或c表示),基极(用字母B或b表示)和发射极(用字母E或e表示).如图5-4所示,晶体管的两个PN结分别称为集电结(C、B极之间)和发射结(B、E极之间)...

旌德县15651634376: 什么叫双极型晶体管的输出特性曲线 -
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旌德县15651634376: 晶体管的输出特性曲线分为四个区,哪个区具有基区宽度调制效应? -
薛裴今达: 晶体管的放大工作区(即电流饱和的区域)具有基区宽度调制效应时,输出电流就不再饱和(不是水平线).详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的“Early效应”的说明.

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