pn结正偏反偏时能带图

作者&投稿:红味 (若有异议请与网页底部的电邮联系)

为什么集电极和发射结正偏时输出电压为零?为什么不是V1-Vcc?我是初学...
可能你根本都没理解双极性三级管的基本结构和工作原理吧,图示为npn型双极型三极管。当发射结正偏时,以为着发射极的渗透电子{多数载流子}在正偏电场作用下,集体向p区{基极}渗透,如果此时集电结是反偏的,则由于发射极渗透过来的电子只有很少部分与p区结合,大量的还是在集电结电场作用下被拉去的,...

三极管(npn)处于饱和状态时,集电极正偏,为什么电子还是能从B极移动到...
当Vce=Vbe的时候,集电结上外加偏压=0,也就是临界饱和态,但势垒区中的自建电场能够完全收集到从基极运输过来的电子,集电极电流不会显著减小;但当Vce电压继续降低,集电结正偏,势垒区电场减弱,收集电子能力下降,输出电流迅速减小。(虽然正偏,但势垒电场还是有的,所以还是有电子收集能力,这就是...

PN结的正偏和正向导通是一个概念吗?
相对于正向到通,pn结还有会反向的导通,就是两断在反偏情况下反偏电压达到或超过一定值时pn结会因击穿而导通。三极管饱和条件是发射结集电结都正偏,正偏是发射极和集电结都相对基极说的。以npn管为例,Ube = 0.7V,Uce=0.4V,假如e接地,则B=0.7V,C=0.4V,可见发射结集电结都正偏了。当...

什么是势垒电容和扩散电容?解释的易懂一些!谢谢
势垒电容:在积累空间电荷的势垒区,当PN结外加电压变化时,引起积累在势垒区的空间电荷的变化,即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少,这种现象与电容器的充、放电过程相同。耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容。扩散电容:是p-n结在正偏时所表现出的一种微分电容效应。PN结交界处存在势垒区,...

二极管的正偏导通和反偏截止怎么判断
正向电压加在PN结上, PN结导通, 反向电压加上后, PN结截止;(p+,N- 正偏)(positive,negative)2.二极管的基本结构也是一个PN结, 存在导通电压的问题, 即正向电压大于一个值的时候才会导通, 否则就截止, 一般硅二极管为0.7V, 锗二极管为0.2V;

三极管的发射结处于正偏,集电结处于反偏.请问什么叫
简单说,三极管要两个PN结,对于PN结,当施加在P端的电位高于N端,就叫施加个正偏置(电压),反之就是反偏置(或者叫负偏置);

三极管的正反偏有什么意义啊?
集电结(B-C)反偏。而不是一楼所说的那样。正偏,反偏都是针对PN结而言,电极没有正偏反偏一说。所谓的正偏就是,PN结加正向电压,即P区电压要高于N区,如果正向电压高于一定程度就可以形成正向导通。而反偏刚好反过来,PN结加反向电压,N区电压高于P区,PN结在这个时候通常显示出截止特性。

NPN三极管中,电流是如何从作为N型半导体的C区流到作为P型半导体的B区...
加反向电压的时候(P低N高),多子扩散电流被抑制,漂移电流增强,但是,漂移是谁的漂移? 是少数载流子的漂移! 由于少数载流子的数目远远低于多数载流子(相差了好多个数量级!!),所以漂移电流仍然非常非常小,所以pn结反偏的时候,电流很小,小到几乎可以看作是零。 这才是PN结单向导电的本质!

1.PN结正向偏置时,应该是P区的电位比N区的电位___。谢谢高手。_百度知 ...
1、高 2、单向导电性 3、反射结正偏 集电结反偏 5、基集电流 集电基电流 6、单向脉动 7、并 8、正向 9、静态参数 会的我都已经回答了,有几个不会,不好意思

PN节反偏时不导通,为何三极管集电区反偏时会有电流?
PN结反偏时也有漂移电流,只是很小,所以通常忽略不计。三极管就以NPN型来讲,当发射结加正偏电压时,发射极N区载流子电子会向基极P区中扩散,而集电结加的是反偏电压,使集电结内电场加强,这也就使得基极P区中的载流子电子快速漂移到集电极,形成集电极电流,这是漂移电流,也就说反偏电压有助于...

充绍19630073863问: PN结正偏,反偏时,内电场分别如何变化? -
京山县益脑回答: 从内部结构上来讲,PN结正偏,反偏时,内电场其实是不发生变化的. 只不过是外电场与内电场的正或反向的“叠加”而以. 从宏观上来看.试想,如果用一次,内电场变了,那么下次怎么用,不就成一次了!

充绍19630073863问: 什么叫PN结、正向导通、正偏电压、反偏电压?有没有遇到8V以上的电压便会导通的开关二极管? -
京山县益脑回答: PN结是P型半导体和N型半导体制作在一块半导体材料上时在其交界面形成的的一个区域. 当P区接正电压、N区接负电压并达到一定值时,电流可从P区流向N区,这就是正向导通.这样接法就是正偏,PN结正向导通电压小于1V.

充绍19630073863问: PN结正向偏置时电阻(),反向偏置时电阻(),这种特性称为PN结的(),但是当硅材料的PN结正向偏压小于 -
京山县益脑回答: 向偏置呈低阻导电状态反向偏置呈现高阻近似导电状态理想条件认PN结具单向导电性——向偏置导通反向偏置截止

充绍19630073863问: 正向偏置的原理 -
京山县益脑回答: PN结正偏时,外部电场的方向是从P区指向N区,显然与内电场的方向相反,这时外电场驱使P区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷,同时N区的自由电子进入空间电荷区抵消一部分正空间电荷,结果使空间电荷区变窄,内电场被削弱...

充绍19630073863问: 什么叫PN结的单向导电性? -
京山县益脑回答: P端接电源的正极,N端接电源的负极称之为PN结正偏.此时PN结如同一个开关合上,呈现很小的电阻,称之为导通状态. P端接电源的负极,N端接电源的正极称之为PN结反偏,此时PN结处于截止状态,如同开关打开.结电阻很大,当反向...

充绍19630073863问: 半导体的杂质 -
京山县益脑回答: P型半导体与N型半导体相互接触时,其交界区域称为PN结.P区中的自由空穴和N区中的自由电子要向对方区域扩散,造成正负电荷在PN 结两侧的积累,形成电偶极层(图4 ).电偶极层中的电场方向正好阻止扩散的进行.当由于载流子数密...

充绍19630073863问: 判断三极管npn正反偏置的方法. -
京山县益脑回答: 假定我们并不知道被测三极管是npn型还是pnp型,也分不清各管脚是什么电极.测试的第一步是判断哪个管脚是基极.这时,我们任取两个电极(如这两个电极为1、2),用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻,观察表针的偏转角度...

充绍19630073863问: <数字电路> -- 二极管开关特性--反向恢复过程产生原因: 存储电荷消失前pN结仍正向偏置 -
京山县益脑回答: 首先这是模电里面的,由于正向偏置的时候P区和N区都形成一个少子对应的扩散电容,当外部偏置电压反偏时,由于电容两端的电压不能突变,此时二极管还是出正偏的,不过会慢慢的减小,直到扩散电容两端存储的电荷消失.

充绍19630073863问: 什么是PN节 -
京山县益脑回答:[答案] PN结(PN junction) 采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.P是positive的缩写,N是negative的缩写,表明正...


本站内容来自于网友发表,不代表本站立场,仅表示其个人看法,不对其真实性、正确性、有效性作任何的担保
相关事宜请发邮件给我们
© 星空见康网