p型欧姆接触能带图
作者&投稿：柞炕 （若有异议请与网页底部的电邮联系）
请微电子高手帮忙回答几个关于半导体物理的问题?尽量详细点小弟不懂器件...
无论正反。开启电压pn大，0.6v。pn借功耗大。（2）肖特基对于正向导电是多子器件，载流子无存储，没有寿命的问题，没有寿命，没有扩散电容，所以适合高频。pn正向时，少子器件，电荷存储效应，有电容，不适合高频。4见2，以为主要是电子在起作用，多子起作用，因为金半接触嘛！5 ...
什么是有机晶体?
分子间以范德华力相互结合形成的晶体。大多数非金属单质及其形成的化合物如干冰(CO2)、I2、大多数有机物，其固态均为分子晶体。分子晶体是由分子组成，可以是极性分子，也可以是非极性分子。分子间的作用力很弱，分子晶体具有较低的熔、沸点，硬度小、易挥发，许多物质在常温下呈气态或液态，例如O2、...
欧姆接触的理论
这种接触电势将会在任何两种固体间出现并且是诸如二极管整流现象和温差电效应等的潜在原因。内建场是导致半导体连接处能带弯曲的原因。明显的能带弯曲在金属中不会出现因为他们很短的 屏蔽长度意味着任何电场只在接触面间无限小距离内存在。欧姆接触或肖特基势垒形成于金属与n型半导体相接触。欧姆接触或肖特基...
延庆县灵诺回答： P型半导体与N型半导体相互接触时,其交界区域称为PN结.P区中的自由空穴和N区中的自由电子要向对方区域扩散,造成正负电荷在PN 结两侧的积累,形成电偶极层(图4 ).电偶极层中的电场方向正好阻止扩散的进行.当由于载流子数密...
却珊19196361491问： 欧姆接触的改进措施 - ？
延庆县灵诺回答： 除了采用高掺杂和引入复合中心这些措施来实现欧姆接触以外,采用窄带隙半导体构成的缓变异质结,也可以实现对宽带隙半导体的欧姆接触.譬如利用MBE技术制作的n-InAs/n-GaAs或者n-Ge/n-GaAs异质结,就是很好的欧姆接触.Si和GaAs...
却珊19196361491问： 太阳能电池基本特性测定总结 - ？
延庆县灵诺回答： 太阳能电池是利用半导体光生伏特效应( ( photovol2 taic effect) 做成的半导体器件,也是一种电离辐射效应的 应用. 太阳能电池( solar cell) 在太空中及地球上的应用均 非常广泛,他提供了人造卫星长时期的动力供应,并且是 地球能量来...
却珊19196361491问： 半导体物理中的金属半导体接触,怎么看看能带向上弯曲还是向下? - ？
延庆县灵诺回答： 如果你说的是半导体与电解液接触的话,那么:能带弯曲与 半导体/电解液结 有关 对于一个n型半导体当其费米能级等于平带电势时,半导体与电解液之间没有电荷流转,在半导体与电解液接触界面两侧没有多余电荷,因此在固液界面的半导体...
却珊19196361491问： 什么是肖特基势垒 - ？
延庆县灵诺回答： 金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域.金属-半导体作为一个整体在热平衡时有同样费米能级.由半导体到金属,电子需要克服势垒;而由金属向半导体,电子受势垒阻挡.在加正向偏置时半导体一侧的势垒下降;相反,在加反向偏置时,半导体一侧势垒增高.使得金属-半导体接触具有整流作用(但不是一切金属-半导体接触均如此.如果对于P型半导体,金属的功函数大于半导体的功函数,对于N型半导体,金属的功函数小于半导体的功函数,以及半导体杂质浓度不小于10^19/立方厘米数量级时会出现欧姆接触,它会因杂质浓度高而发生隧道效应,以致势垒不起整流作用).当半导体均匀掺杂时肖特基势垒的空间电荷层宽度和单边突变P-N结的耗尽层宽度相一致.
却珊19196361491问： 太阳能电池的工作原理 - ？
延庆县灵诺回答： 原理:太阳光照在半导体p-n结上,形成新的空穴-电子对,在p-n结内建电场的作用下,光生空穴流向p区,光生电子流向n区,接通电路后就产生电流.这就是光电效应太阳能电池的工作原理.太阳能发电有两种方式,一种是光—热—电转换方...
却珊19196361491问： LED的发展趋势 - ？
延庆县灵诺回答： 自从1993年Nakamura发明高亮GaN蓝光led以来,LED技术及应用突飞猛进.究其原因有两个方面:1)全系列RGB LED产生,其应用面大大拓宽,2)白光LED产生,让追求低碳时代的人们期望LED尽快成为智能化的第四代固态照明光源.虽...
却珊19196361491问： 探热针该怎么用啊...我用来用去都看不到几度 - ？
延庆县灵诺回答：电路仿真过程中,我们经常要观测某一节点电压值和某一支路电流值,一般我们可以在相应位置并联电压表和串联电流表,这种方法比较常用但存在两个主要问题,一是需要放置万用表然后连线,观测时需要打开万用表面板,不但操作麻烦而且...
却珊19196361491问： [Tips]什么是欧姆接触? - ？
延庆县灵诺回答： 欲形成好的欧姆接触,有二个先决条件:(1)金属与半导体间有低的界面能障(Barrier Height) (2)半导体有高浓度的杂质掺入(N ≧10EXP12 cm-3) 前者可使界面电流中热激发部分(Thermionic Emission)增加;后者则使界面空乏区变窄,电子有更多的机会直接穿透(Tunneling),而同使Rc阻值降低.
却珊19196361491问： 什么是巨压阻效应 - ？
延庆县灵诺回答： 压阻效应是用来描述材料在受到机械式应力下所产生的电阻变化.不同于压电效应,压阻效应只产生阻抗变化,并不会产生电荷. 凯尔文(Lord Kelvin)在西元1856年第一次发现金属的阻抗在施加机械性负荷时会产生改变.到了西元1954年,...
