p型半导体结构示意图

作者&投稿:直咳 (若有异议请与网页底部的电邮联系)

三极管的基本结构?
三个接出来的端点依序称为发射极(emitter, E)、基极(base, B)和集电极(collector, C),名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出 npn与pnp三极管的电路符号,发射极特别被标出,箭号所指的极为n型半导体, 和二极体的符号一致。在没接外加偏压时,两个pn接面都会形成耗尽区,...

场效应管源极和漏极的本质区别是什么?
如果在一块P型半导体的两边各扩散一个高杂质浓度的N+区,就可以制成一个P沟道的结型场效应管。上图给出了这种管子的结构示意图和它在电路中的代表符号。由结型场效应管代表符号中栅极上的箭头方向,可以确认沟道的类型。2、漏极的结构原理:在两个高掺杂的P区中间,夹着一层低掺杂的N区(N区...

肖特基二极管结构
传统SBD的基础是金属与半导体的接触,金属材料如铝、金、钼、镍和钛,半导体则多用硅(Si)或砷化镓(GaAs)。为了优化频率特性,通常选择N型半导体作为基片,因为电子迁移率相对较大。为了减小结电容和提高反向击穿电压,N+衬底上会添加一薄层高阻N-,这有助于控制串联电阻的大小。其结构示意图见图1(a...

三极管内部工作原理
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。三极管具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面,有pnp和npn两种组合。三个接出来的端点依序称为射极(...

二极管的分类及原理
图1 二极管结构示意图及电路符号晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n?结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子...

三极管的三大应用???
第三章 半导体三极管及其应用§3.1 双极型三极管3.1.1 半导体三极管的结构双极型半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。双极型三极管的符号在图的下方给出,发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的,实际上发射区的掺杂浓度大,集电区掺杂浓度低,且...

半导体基本概念
这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴,电子-空穴对消失,称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射(发光)或晶格的热振动能量(发热)。在一定温度下,电子 - 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡,此时半导体具有一定的载流子密度,从而具有一定的...

半导体是什么?
半导体是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用,如二极管就是采用半导体制作的器件。无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性都是非常巨大的。大部分的电子产品,如计算机、移动电话或是数字录音机当中...

三极管的结构有哪些?
1、按材质分: 硅管、锗管 2、按结构分: NPN 、 PNP。3、按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.4、按功率分:小功率管、中功率管、大功率管 5、按工作频率分:低频管、高频管、超频管 6、按结构工艺分:合金管、平面管 7、按安装方式:插件三极管、贴片三极管 晶体三极管(以下简称...

半导体材料有哪些呢?
四、非晶态与液态半导体:这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。半导体材料的特点及优势:半导体材料是一类具有半导体性能,用来制作半导体器件的电子材料。常用的重要半导体的导电机理是通过电子和空穴这两种载流子来实现的,因此相应的有N型和P型之分。半导体材料通常具有一定的...

时詹15163854571问: 半导体材料有P型半导体和N型半导体两种,除了可以用于各种电子元器件外,还可以用作制冷材料.如图是一个半导体制冷单元的原理图,P型半导体和N型半... -
东平县小儿回答:[答案](1)由短文提供的信息可知,电路的电路流方向是从N型半导体铜片A流向P型半导体,铜片A会从空气吸收热量,应置于冰箱的箱内,从冰箱内吸收热量,使电冰箱箱内的温度下降;铜片B会向空气放出热量,应置于冰箱的箱外. (2)若将图中电源正...

时詹15163854571问: 解释一下P型半导体和N型半导体 以及 PN结
东平县小儿回答: 1、P型半导体:又称空穴型半导体,其内部空穴数大于自由电子数,即空穴是多数载流子,自由电子是少数载流子.例如在硅材料中加入三价元素硼,就形成了P型半导体. 2、N型半导体:又称电子型半导体,其内部自由电子数大于空穴数,即自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子.例如在硅材料中加入五价元素磷,就形成了N型半导体. 3、PN结:在硅或锗单晶基片上,加工成P型区和相邻的N型区,其P型区和N型区相结合的部位有一个特殊的薄层,这个薄层就称为PN结.PN结具有单向导电性.

时詹15163854571问: 解释一下P型半导体和N型半导体 以及 PN结 -
东平县小儿回答: 半导体受到外界能量激发(比如光),或者经过掺杂以后,会产生能够自由移动的电子或者空穴(能带理论),这些称为载流子.载流子为电子的半导体成为N型半导体,载流子为空穴的称为P型半导体.当P型半导体和N型半导体接在一起的时候,由于一边缺少电子另一边缺少空穴,电子和空穴就会自发的相对扩散,这样的扩散同样使得在接触点向两边的扩散区域存在一个电场,随着扩散的进行,这个电场越来越强,直到这个电场的强度足以和扩散的动力相平衡,这样就形成了稳定的结区,我们称他为PN结.

时詹15163854571问: 三极管由那些管组成?
东平县小儿回答: 在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结,组成一个PNP(或NPN)结构.中间的N区(或P区)叫基区,两边的区域叫发射区和集电区,这三部分各有一条电极引线,分别叫基极B、发射极E和集电极C,是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件.

时詹15163854571问: P型半导体是什么N 型半导体是什么? -
东平县小儿回答: 型半导体中空穴导电,空穴带正(Positive)电荷; N型半导体中电子导电,电子带负(Negative)电荷; 在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体. ( 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结,在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体,并形成阻挡层或接触电位差.当P型接正极,N型接负极,N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动,且阻挡层变薄接触电位差变小,即电阻变小

时詹15163854571问: 什么是N型半导体 什么是P型半导体? -
东平县小儿回答: 在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体. ( 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结,在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体,并形成阻挡层或接...

时詹15163854571问: 半导体中参与导电的电流载体称为载流子.N型半导体的载流子是带负电的电子,P型半导体的载流子是带正电的“空穴”,如图所示,一块厚度为d、宽度为... -
东平县小儿回答:[选项] A. 是N型半导体, B. 是P型半导体, C. 是N型半导体, D. 是P型半导体,

时詹15163854571问: P型半导体的形成原理 -
东平县小儿回答: 要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷.在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体.对于Ⅳ族元素,半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂;对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓),常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度;在离子晶体型氧化物半导体中,化学配比的微量偏移可造成大量电载荷流子,氧量偏多时形成的缺陷可提供空穴,Cu2O、NiO、VO2等均是该类型的P型半导体,且当它们在氧压中加热后,空穴浓度将随之增加.上述能给半导体提供空穴的掺杂原子或缺陷,均称受主.

时詹15163854571问: 什么是p型半导体,n型半导体,p -
东平县小儿回答:[答案] 【n型半导体】“n”表示负电的意思,在这类半导体中,参与导电的主要是带负电的电子,这些电子来自半导体中的“施主”杂质.所谓施主杂质就是掺入杂质能够提供导电电子而改变半导体的导电性能.例如,半导体锗和硅中的五价元素砷、锑、磷...

时詹15163854571问: p型半导体的导电原理 -
东平县小儿回答: p型半导体的导电原理如下: 半导体中有两种载流子:抄导带中的电子和价带中的空穴. 如果某一类型半导体的导电性主要依靠价带中的空穴,则该类型的半导体就称为P型半导体. “P”表示正电的意思,取自英文Positive的第一个字母.在这类半导体中,参与导电的 (即电荷载袭体) 主要是带正电的空穴,这些空穴来自半导体中的受主.因此凡掺有受主杂质或受主数量多于施主的半知导体都是p型半导体.例如,含有适量三价元素硼、铟、镓等的锗或硅等半导体就是P型半导体. 由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性.空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成.掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就道越强.


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