p型半导体掺入几价元素
在本征半导体中加入什么元素可形成p型半导体
1、能带结构。掺杂三价元素之后，半导体材料的能带结构发生变化。在p型半导体中，由于缺少了电子，价带的最高能级上出现了能量较高的能级，被称为价带空穴带（valence band hole band）。这个能级可以容纳空穴，并参与电子传导。2、三价元素共价键的形成。三价元素如硼、铝或镓等具有三个价电子，与半导...
n型半导体是由本征半导体中加入几价元素得到的
n型半导体是由本征半导体中加入五价元素得到的。以增加半导体中的自由电子浓度而得到的。这些五价元素有5个价电子，其中4个价电子参与共价键形成晶体结构，而剩余的一个价电子则不与原子成键，成为自由电子。由于五价元素掺入本征半导体后会导致其电子浓度增加，因此n型半导体具有良好的导电性能，可用于制...
半导体中掺入()族元素,则可形成P型半导体,掺入()族元素则可以形成N型...
【答案】：II、VI 解析：在Si或Ge中加入少量五价的P、As或Sb，或在GaAs中用VI族元素（S、Se、Te）替代As就形成N型半导体；若在Si或Ge中掺入少量三价的B、Al、 In等，或在GaAs中用II族元素（Zn、Be、Mg）替代Ga则形成P型半导体。
在本征半导体中掺入微量的( )价元素,形成n型半导体。
在本征半导体中掺入微量的五价元素，形成n型半导体。1、本征半导体中掺入微量的五价元素，构成N型半导体。每个杂质原子都能提供一个自由电子，使半导体中的自由电子数量大大增加，导电能力也大大加强。2、N型半导体中的“多子”（自由电子）和“少子”（空穴）。自由电子数远大于空穴数，这种半导体主要依靠...
为何在本征半导体中参入五价或三价元素,而不是六价或四价元素?
半导体材料一般是锗或者硅，他们最外层电子是4，一次是四价元素，这些硅原子或者锗原子之间形成共价键，而加入三价元素后，形成共价键时由于要形成四个共价键，而三价元素外只有三个电子，故形成一个空位，其他自由电子来补充，形成空穴，形成p型半导体，其中导电的是那些带正电的空穴。 同理，加入五价...
三极管的P和N具体代表什么意思?正负?
是P型半导体和N型半导体的意思。半导体器件的原料称为本征半导体，通过掺杂形成P型（比如掺入3价元素硼）、N型（比如掺入5价元素磷）半导体。而P型和N型半导体的导电特性刚好对应PN结的正端和负端，所以也可以理解成正、负。
p型半导体掺入几价元素?
p型半导体掺入3价元素。是硼、铟、镓等。在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。对于Ⅳ...
什么是P型半导体和N型半导体?其多数载流子和少数载流子各是什么?能 ...
1:P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体,N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。2:N型半导体中 自由电子的浓度大于空穴的浓度,称为多数载流子,空穴称为少数载流子 P型半导体...
什么是P型半导体和N型半导体?
导电机制：三价元素的原子与周围的四价半导体原子结合时，会形成一个空穴（即缺失一个电子的状态），这些空穴可以吸引邻近的电子，从而在材料中形成电流。主要载流子：空穴（正电荷载流子）。特性：P型半导体通常呈现正电荷载流子主导的特性。N型半导体：定义：在本征半导体中掺入五价元素，如磷(P)、砷(As...
p型半导体是在本征半导体中加入微量的什么元素构成的
答案如下：在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的5价元素,例如磷,则磷原子就取代了硅晶体中少量的硅原子,占据晶格上的某些位置.磷原子最外层有5个价电子,其中4个价电子分别与邻近4个硅原子形成共价键结构,多余的1个价电子在共价键之外,只受到磷原子对它微弱的束缚,因此在室温下,即可获得挣脱束缚所需要...
大石桥市盐酸回答：[答案] 三价元素,形成空穴,缺少电子.
强苛17541135549问： 半导体基本原理 - ？
大石桥市盐酸回答： 电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质.半导体室温时电阻率约在10E-5~10E7欧·米之间,温度升高时电阻率指数则减小.半导体材料很多,按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类.锗和硅是最常用的元素...
强苛17541135549问： P型半导体的形成原理 - ？
大石桥市盐酸回答： 要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷.在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体.对于Ⅳ族元素,半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂;对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓),常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度;在离子晶体型氧化物半导体中,化学配比的微量偏移可造成大量电载荷流子,氧量偏多时形成的缺陷可提供空穴,Cu2O、NiO、VO2等均是该类型的P型半导体,且当它们在氧压中加热后,空穴浓度将随之增加.上述能给半导体提供空穴的掺杂原子或缺陷,均称受主.
强苛17541135549问： N型.P型半导体中的载流子各是什么? - ？
大石桥市盐酸回答： P型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了P型半导体. 多数载流子:P型半导体中,空穴的浓度大于自由电子的浓度,称为多数载流子,简称多子. 少数载流子:P型半导体中,自由电子...
强苛17541135549问： 在p型半导体中,如果掺入足够量的五价元素,可将其该行为N型半导体对吗?在线等,谢谢! - ？
大石桥市盐酸回答： 、错误,当三价元素的浓度大于五价元素时,PN结正偏,是杂质半导体
强苛17541135549问： 简述N型半导体与P型半导体的形成过程并指出多子与少子各是什么?这? ？
大石桥市盐酸回答： 在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体. ( 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结...
