p型半导体形状
能带结构图怎么理解?
因为在p-n结界面附近处存在着内建电场,而该内建电场的方向正好是阻挡着空穴进一步从p型半导体扩散到n型半导体去,同时也阻挡着电子从n型半导体进一步扩散到p型半导体去。于是从能量上来看,由于空间电荷-内建电场的出现,就使得电子在p型半导体一边的能量提高了,同时空穴在n型半导体一边的能量也提高了;而在界面附近处...
三极管和晶闸管有啥区别
2、原理不同 三极管：晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思...
半导体激光器封装技术
半导体激光器封装技术是一种在分立器件封装技术基础上发展出的独特技术，它与传统封装的主要区别在于其多功能性。传统的封装主要关注管芯保护和电气连接，但半导体激光器封装则需要同时考虑光参数和电参数的设计，以实现输出可见光并确保激光器正常工作。其核心部分是通过p型和n型半导体构成的pn结管芯，当...
讨论功率半导体器件IGBT时提到“元胞”,请问“元胞”是什么?
元胞是IGBT及VDMOSFET器件中的关键结构，如图2。图1是每一个元胞的剖面图。元胞结构是为了降低导通压降。因为元胞结构的布局、几何形状及尺寸、元胞密度及芯片面积决定了导通压降，导通压降又是影响器件输出功率的重要参数。即该结构的功能是最大可能地降低导通压降、增加输出功率。通常每个元胞的电流容量...
晶闸管和可控硅有什么区别啊??
没有区别,一种元器件的两种叫法,国际统称可控硅,国内习惯叫晶闸管
金属电阻丝应变片与半导体应变片在工作原理上有何区别
早期的半导体应变片采用机械加工、化学腐蚀等方法制成，称为体型半导体应变片。它的缺点是电阻和灵敏系数的温度系数大、非线性大和分散性大等。这曾限制了它的应用和发展。自70年代以来，随着半导体集成电路工艺的迅速发展，相继出现扩散型、外延型和薄膜型半导体应变片，上述缺点得到一定克服。半导体应变片...
s型异质结和z型异质结区别
s型异质结和z型异质结区别如下。1、结构形状不同：S型异质结的结构为p型半导体和n型半导体交替排列。而Z型异质结的结构为n型半导体和p型半导体交替排列。2、输运特性不同：S型异质结的主要输运方式是扩散运动，而Z型异质结的主要输运方式是漂移运动。
三极管知识点
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间...
手扶椅形纳米管是半导体吗
不是。扶手椅型碳纳米管是导体，锯齿型是半导体，螺旋型的导电性取决于n?m是否是3的倍数。扶手椅碳纳米管，由于其边缘呈扶手椅状的形状而被称为，具有相同的手性指数，并因其完美的导电性而迫切需要。
半导体技术的概念
半导体技术最大的应用是集成电路（IC），举凡计算机、手机、各种电器与信息产品中，一定有 IC 存在，它们被用来发挥各式各样的控制功能，有如人体中的大脑与神经。如果把计算机打开，除了一些线路外，还会看到好几个线路板，每个板子上都有一些大小与形状不同的黑色小方块，周围是金属接脚，这就是封装好...
津南区蜂胶回答： 在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体. ( 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结,在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体,并形成阻挡层或接...
大季钟18393815786问： 解释一下P型半导体和N型半导体 以及 PN结？
津南区蜂胶回答： 1、P型半导体:又称空穴型半导体,其内部空穴数大于自由电子数,即空穴是多数载流子,自由电子是少数载流子.例如在硅材料中加入三价元素硼,就形成了P型半导体. 2、N型半导体:又称电子型半导体,其内部自由电子数大于空穴数,即自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子.例如在硅材料中加入五价元素磷,就形成了N型半导体. 3、PN结:在硅或锗单晶基片上,加工成P型区和相邻的N型区,其P型区和N型区相结合的部位有一个特殊的薄层,这个薄层就称为PN结.PN结具有单向导电性.
大季钟18393815786问： P型半导体的形成原理 - ？
津南区蜂胶回答： 要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷.在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体.对于Ⅳ族元素,半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂;对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓),常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度;在离子晶体型氧化物半导体中,化学配比的微量偏移可造成大量电载荷流子,氧量偏多时形成的缺陷可提供空穴,Cu2O、NiO、VO2等均是该类型的P型半导体,且当它们在氧压中加热后,空穴浓度将随之增加.上述能给半导体提供空穴的掺杂原子或缺陷,均称受主.
大季钟18393815786问： 如何用霍尔法判断n型半导体和p型半导体 ？
津南区蜂胶回答： 一、用左手定则就可以了.当磁场方向穿过手心,四指方向为电流方向,拇指为电场方向,拇指指向负电荷一侧,此时为P型半导体,空穴型.若方向正好相反,则为N型...
大季钟18393815786问： P型半导体是什么N 型半导体是什么? - ？
津南区蜂胶回答： 型半导体中空穴导电,空穴带正(Positive)电荷; N型半导体中电子导电,电子带负(Negative)电荷; 在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体. ( 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结,在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体,并形成阻挡层或接触电位差.当P型接正极,N型接负极,N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动,且阻挡层变薄接触电位差变小,即电阻变小
大季钟18393815786问： p型半导体的导电原理 - ？
津南区蜂胶回答： p型半导体的导电原理如下: 半导体中有两种载流子:抄导带中的电子和价带中的空穴. 如果某一类型半导体的导电性主要依靠价带中的空穴,则该类型的半导体就称为P型半导体. “P”表示正电的意思,取自英文Positive的第一个字母.在这类半导体中,参与导电的 (即电荷载袭体) 主要是带正电的空穴,这些空穴来自半导体中的受主.因此凡掺有受主杂质或受主数量多于施主的半知导体都是p型半导体.例如,含有适量三价元素硼、铟、镓等的锗或硅等半导体就是P型半导体. 由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性.空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成.掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就道越强.
大季钟18393815786问： 解释一下P型半导体和N型半导体 以及 PN结 - ？
津南区蜂胶回答： 半导体受到外界能量激发(比如光),或者经过掺杂以后,会产生能够自由移动的电子或者空穴(能带理论),这些称为载流子.载流子为电子的半导体成为N型半导体,载流子为空穴的称为P型半导体.当P型半导体和N型半导体接在一起的时候,由于一边缺少电子另一边缺少空穴,电子和空穴就会自发的相对扩散,这样的扩散同样使得在接触点向两边的扩散区域存在一个电场,随着扩散的进行,这个电场越来越强,直到这个电场的强度足以和扩散的动力相平衡,这样就形成了稳定的结区,我们称他为PN结.
大季钟18393815786问： 如何实验确定半导体是n型还是P型 - ？
津南区蜂胶回答： 1、用霍尔效应:两端通电,在内部会形成稳定电流,但在半导体的上下表面是没有电位差的;然后在半导体的两个对面的侧,加一个面磁场,这个时候在半导体另两个侧面上会形成电势差(因为内部的载流子在磁场作用下发生了偏转),因为N型半导体载流子是电子,故根据电流的方向和两个侧面的电位高低就可以进行判断. 2、如果条件允许,你找一个掺杂已知的半导体,然后把他们粘到一起,组成个整体结,分别测两端电流导通情况,如果出现不能导通情况,则说明未知的和已知的相反,如果都导通,则相同.
大季钟18393815786问： 请问一下各位大神什么才算N型半导体,与P型半导体的区别? - ？
津南区蜂胶回答： N型半导体中电子为多数载流子,空穴为少数载流子,例如磷,砷. P型半导体中电子为少数载流子,空穴为多数载流子,例如,硼,镓.
大季钟18393815786问： 自由电子为多数载流子,空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体? - ？
津南区蜂胶回答： 在纯净的硅晶体中掺入半导2113体.5261P型半导体即空穴浓度4102自由电子浓度的杂质半导体. 在纯1653净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位子, 就形成P型半导体.在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电. 空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成. 掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强.
