nmos管耗尽层
MOS管的工作原理
不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该；场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽...
场效应管的工作原理是什么?
有的认为电子来自电源，通过背电极穿过衬底，但这种充电速度过慢，与MOS管的特性不符。还有的认为电子来自热激发，但计算所需时间过于漫长。这些说法都难以解释MOS管反型层形成的关键问题。关键在于，MOS管的结构并非简单的双电容串联，而是一个包含两层介质的单电容。其中，耗尽层作为动态的一层，负责承载...
MOS场效应管,其中MOS是什么意思啊!!!
达到了稳定的状态，而沟道是电子流通的渠道，耗尽层和沟道一般是相对的耗尽层窄了，沟道就宽了，反之亦然．MOS的功能和三极管差不多主要是放大电路，MOS可分为HMOS（高密度MOS)和CMOS(互补MOS),两种合起来又有了CHMOS.以上答案如有不足，请多指教！参考资料：模拟书等 ...
...其栅源之间必须加反向电压?为什么耗尽型MOS管的栅源电压可正,_百度...
结型场效应管需要加反向电压使两边的pn结的耗尽层变宽从而改变导电沟道的宽度使其介于预夹断与夹断之间的区域，即恒流区。耗尽型mos管的sio2层掺加了大量的正离子，只有当UGS从零减少到某一负值（能将sio2层大量的正离子消耗完的某一值）漏–源之间的导电沟道才会消失，所以耗尽型mos管的栅–源电压...
场效应管的工作原理是什么?
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种...
对于N沟道增强型MOS管而言,为何漏源电压增大到一定反型层会消失?此时栅...
漏源电压高到一定程度（其实就是预夹断之后），UGD的电压会呈现反压，也就是在反型层所在的沟道中出现空间电荷区，ID要从D到S，需要克服一段空间电荷区（耗尽层），这时候，MOSFET呈现得是一种放大状态。但如果UDS继续上升，空间电荷区继续扩张，会逐步挤占反型层的空间，直到反型层（其实反型层也是...
绝缘栅场效应管的工作原理
由于与P型衬底的导电类型相反，故称为反型层。在反型层下才是负离子组成的耗尽层。这一N型电子层，把原来被PN结高阻层隔开的源区和漏区连接起来，形成导电沟道。主要参数：Idss—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。Up—夹断电压。是指结型或耗尽型...
电力场效应管MOSFET是什么现象
这种电压的控制作用,是场效应管具有放大作用的基础。 三、特性曲线1.输出特性曲线输出特性曲线是栅源电压UGS取不同定值时,漏极电流ID 随漏源电压UDS 变化的一簇关系曲线,如图Z0124所示。由图可知,各条曲线有共同的变化规律。UGS越负,曲线越向下移动)这是因为对于相同的UDS,UGS越负,耗尽层越宽,导电沟道越窄,ID...
场效应管的70S600P7是做什么用的啊?
本文使用的为增强型MOS场效应管，其内部结构。可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积。由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡...
p沟道结型场效应管工作原理
改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种 MOS 场效 应晶体管称为 P 沟道增强型场效应晶体管。如果 N 型硅衬底表面不加栅压就已存在 P 型反 型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的 MOS 场效应晶体管称为 P 沟道耗尽型场效应晶体管。统称为 PMOS 晶体...
城子河区西曼回答： 以nmos为例吧,衬底为p型,在栅极和衬底之间施加电压v(gb)>0,则会在栅极与衬底之间的p区形成自上而下的电场.随着v(gb)的增大,p区多子(空穴)在电场的作用下向衬底下部移动,在靠近栅极下部的衬底部分留下带负电的受主离子,形成一层耗尽层.【摘自《模拟电路分析与设计基础》,纯手打.】 耗尽是指:这一层几乎没有多子了,即多子耗尽. 不懂追问.满意望采纳~
牧卓15734537878问： N沟道增强型MOS管中耗尽层是怎样形成的 - ？
城子河区西曼回答： N+区与P型衬底可以看成是一个二根管的内部结构,和PN结产生原理相同
牧卓15734537878问： mos管增强型与耗尽型的区别在哪里?？
城子河区西曼回答： 增强型:栅极与衬底间不加电压时,栅极下面没有沟道存在.也就是说,对于NMOS,阈值电压大于0;PMOS,小于0. 耗尽型:栅极与衬底间不加电压时,栅极下面已有沟道存在.也就是说,对于NMOS,阈值电压小于0;PMOS,大于0. 通过改变有源区的掺杂浓度,控制栅极绝缘层厚度和选择某种功函数的栅极材料,可以制造出增强型或耗尽型的MOSFET.
牧卓15734537878问： mos管在饱和区时,其电子沟道已经被夹断了,为什么还有漏电流存在了? - ？
城子河区西曼回答： 一、先讲反型电子来自哪里: 1. 漏源电压为0.栅电压为正,p型衬底空穴被排斥,少子电子被吸引到表面;随着栅压增加,少子电子越来越多聚集在衬底表面,形成一层很薄的电子沟道,俗称反型.此时反型电子来自于衬底. 2. 漏源电压不为...
牧卓15734537878问： 耗尽型和增强型的mos管使用上有什么区别 - ？
城子河区西曼回答： 耗尽型与增强型都属于MOS管(绝缘栅型场效应管).前者在不加栅源电压时漏极和源极为耗尽层不能导通,而且工作是栅源电压只能是正向的;增强型则可以导通,栅源电压可正可负.
牧卓15734537878问： N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电位有无固定的大小关系? - ？
城子河区西曼回答： 不一定.看管子的,看输出特性曲线就知道了.NJFET在恒流区有这个性质,UGS一定是负值且,UDS是正值.但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作,后两种可以说UDS一定大于UGS,但第一种情况下未必.
牧卓15734537878问： 若耗尽型N 沟道MOS 管的UGS 大于零,则其输入电阻会明显变小.为什么是错的 - ？
城子河区西曼回答： 确实错的. 只要是MOSFET,其G与沟道之间有一层SiO2绝缘层,这层绝缘层是输入电阻很大的根本原因,而且这层绝缘层的厚度并不会因为UGS变化而变化,因此UGS大于0,MOSFET的输入电阻也不会有明显变化.
牧卓15734537878问： pmos晶体管的工作原理 - ？
城子河区西曼回答： PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管 全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor 别名 : positive MOS 金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
牧卓15734537878问： N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? - ？
城子河区西曼回答： NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数.耗尽型的不称为ugs(th),而是ugs(off),也就是夹断电压,这个值通常是一个负数.也就是说,只要UGS>UGS(off)就可以导通,这个数值就不好说了,可以是负数,也可以是0,也可以是正数.
