n型半导体的能带示意图
半导体物理与器件笔记(十九)——金半接触及其能带图
费米能级与导带和价带的间距、表面电子分布以及载流子浓度的平衡，都参与到肖特基-莫特模型的形成中，这一模型揭示了阻挡层的形成机制，以及电势差如何导致能带的弯曲和肖特基势垒的出现。金属与N型或P型半导体之间的功函数差异，决定了电子或空穴阻挡层的产生。形成空穴阻挡层时，接触电阻较小，体现出高电导...
什么是半导体的能带结构及能带图?
带隙和波长的关系：相应的最大辐射几率的波长λ=Eg\/hc，其中c是光速，h是普朗克常数。禁带宽度是半导体的一个重要特征参量，其大小主要决定于半导体的能带结构，即与晶体结构和原子的键合性质等有关。半导体价带中的大量电子都是价键上的电子（称为价电子），不能够导电，即不是载流子。只有当价电子跃迁...
【半导体基础\/器件】11掺杂的化学键解释+能带图解释(非本征半导体)
n型掺杂的是Ⅴ族元素，就会在靠近导带的地方引入量子态，这些杂质量子态有三个特征：①非常靠近导带；②不连续，没有形成能带，这是因为杂质原子浓度不够高，原子和原子之间没有交叠，能级不会分裂成能带；③每个能级上都包含一个额外的电子，这个电子就是磷额外多的那个施主电子。在T=0K时，这些电子...
半导体物理学:能带底和导带底,能带顶和价带顶有什么区别 还有能带,允...
Ec就是导带底所处的能级，Ev就是价带顶所处的能级。禁带宽度就是中间的Eg，是不允许电子存在的部分（禁是禁止之意）。
半导体是根据什么分类的?
P型半导体一般指空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。形成 在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由...
能带图中真空能级和功函数有何区别?
当两种类型的半导体接触（例如n型和p型半导体接触），由于存在内建电势（因此内建电势产生的原因有真空能级、费米能级、功函数也说电子亲和势等不相等，存在一定的梯度），n型半导体一侧的电子要想跃迁到真空能级所需要的能量增大，导带和价带能级相对降低。很多书上的能带图中，n型区一侧上方的真空能级也...
n型半导体掺杂施主杂质浓度从左到右均匀减小时的能带图
Ef本身和温度有关，看图是热平衡状态下，书上有Ef关于T的图，只有在低温弱电离区Ef会有向上再向下的变化，其余情况都是与T成反比，至于你说的n0增大看Ef是离导带近前提是T不变，T增大，导带底有效状态密度增大，可以从供求关系来理解，打字不易，希望有益 ...
n型半导体表面空间电荷区的四种基本状态
N型半导体表面空间电荷区的四种基本状态包括：1) VG>0 , VS>0 表面处能带下弯，表面多子－电子浓度增加，表面层内出现电子堆积。2) VG=0，VS=0 平带。理想MIS结构，表面能带不弯曲，此时Qs=0，E=0。3) VG>0 , VS<0 表面处能带下弯，表面多子－电子浓度减少，表面层内出现空穴堆积。4) VG...
第七章_金属和半导体的接触
EcEn(EF)s即：WsE0(EF)s用表示从Ec到E0的能量间隔：EvE0Ec称χ为电子的亲和能，它表示要使半导体导带底的电子逸出体外所需要的最小能量。Note:半导体的费米能级随杂质浓度变化，所以，Ws也和杂质浓度有关。①N型半导体：WsEEEncFs式中：②P型半导体：EnEc(EF)sWsEo(EF)sEgEp式中：Ep(EF)sEv...
p型半导体和n型半导体的异同点有哪些
N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度...
龙湖区欣舒回答：[答案] 只能回答第1题,没做过ccd本征半导体:你把费米能级画在带隙中央就行了,n型的话把费米能级画在带隙上方靠近导带的地方对于本征半导体,只有热激发的那可怜的一点点电子空穴可以导电,所以电导率很低.n型的话由于杂质带...
贯届17716379418问： n型半导体掺杂施主杂质浓度从左到右均匀减小时的能带图 - ？
龙湖区欣舒回答： Ef本身和温度有关,看图是热平衡状态下,书上有Ef关于T的图,只有在低温弱电离区Ef会有向上再向下的变化,其余情况都是与T成反比,至于你说的n0增大看Ef是离导带近前提是T不变,T增大,导带底有效状态密度增大,可以从供求关系来理解,打字不易,希望有益
贯届17716379418问： 解释一下P型半导体和N型半导体 以及 PN结 - ？
龙湖区欣舒回答： 半导体受到外界能量激发(比如光),或者经过掺杂以后,会产生能够自由移动的电子或者空穴(能带理论),这些称为载流子.载流子为电子的半导体成为N型半导体,载流子为空穴的称为P型半导体.当P型半导体和N型半导体接在一起的时候,由于一边缺少电子另一边缺少空穴,电子和空穴就会自发的相对扩散,这样的扩散同样使得在接触点向两边的扩散区域存在一个电场,随着扩散的进行,这个电场越来越强,直到这个电场的强度足以和扩散的动力相平衡,这样就形成了稳定的结区,我们称他为PN结.
贯届17716379418问： 半导体的杂质 - ？
龙湖区欣舒回答： P型半导体与N型半导体相互接触时,其交界区域称为PN结.P区中的自由空穴和N区中的自由电子要向对方区域扩散,造成正负电荷在PN 结两侧的积累,形成电偶极层(图4 ).电偶极层中的电场方向正好阻止扩散的进行.当由于载流子数密...
贯届17716379418问： 解释一下P型半导体和N型半导体 以及 PN结？
龙湖区欣舒回答： 1、P型半导体:又称空穴型半导体,其内部空穴数大于自由电子数,即空穴是多数载流子,自由电子是少数载流子.例如在硅材料中加入三价元素硼,就形成了P型半导体. 2、N型半导体:又称电子型半导体,其内部自由电子数大于空穴数,即自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子.例如在硅材料中加入五价元素磷,就形成了N型半导体. 3、PN结:在硅或锗单晶基片上,加工成P型区和相邻的N型区,其P型区和N型区相结合的部位有一个特殊的薄层,这个薄层就称为PN结.PN结具有单向导电性.
贯届17716379418问： 电子的能量为什么能得到不同的能带图 - ？
龙湖区欣舒回答： 同质P-N结的能带结构图的得出方法如下: 因为在p-n结界面附近处存在着内建电场,而该内建电场的方向正好是阻挡着空穴进一步从p型半导体扩散到n型半导体去,同时也阻挡着电子从n型半导体进一步扩散到p型半导体去.于是从能量上来看...
贯届17716379418问： 半导体物理中的金属半导体接触,怎么看看能带向上弯曲还是向下? - ？
龙湖区欣舒回答： 如果你说的是半导体与电解液接触的话,那么:能带弯曲与 半导体/电解液结 有关 对于一个n型半导体当其费米能级等于平带电势时,半导体与电解液之间没有电荷流转,在半导体与电解液接触界面两侧没有多余电荷,因此在固液界面的半导体...
贯届17716379418问： n型半导体带电吗?为什么?4.半导体分哪几种?各有什么特点 - ？
龙湖区欣舒回答： 不带电.n型半导体是指在本征半导体中加入五价元素,每一个五价元素原子与四个四价半导体元素原子形成四对共用电子对(每一对电子对由半导体元素原子与该五价元素原子各提供一个电子),这样五价元素原子因四对八个共用电子而达到...
贯届17716379418问： P型半导体的P及N型半导体的N是什么意思? - ？
龙湖区欣舒回答： P型半导体中空穴导电,空穴带正(Positive)电荷; N型半导体中电子导电,电子带负(Negative)电荷; 仅就我所知的常识做答,不正确的地方见谅.
贯届17716379418问： N型半导体的多数载流子是电子,而P型半导体是空穴.所以说N型半导体带负电,P型带正电,对吗 - ？
龙湖区欣舒回答： 不对,载流子指可移动的电荷,半导体内还有不可移动的电荷,比如带正电的原子核,这样就能与N型半导体的多数载流子是电子平衡,维持电中性条件了还有空穴是一个概念性的东西,实际是不存在的.
