mosfet结温计算
作者&投稿：公弯 （若有异议请与网页底部的电邮联系）
有怨13067218796问： 半导体LED结温的计算方法? - ？
黑河市司乐回答： 半导体结温公式如下式如示:Pcmax(Ta)= (Tjmax-Ta)/tj-a (W)1) Pcmax(Tc)= (Tjmax-Tc)/tj-c (W)2) Pc: 功率管工作时损耗 Pc(max): 功率管的额定最大损耗 Tj: 功率管节温 Tjmax: 功率管最大容许节温 Ta: 环境温度 Tc: 预定的工作环境温度 ...
有怨13067218796问： mos管的最大持续电流是如何确定的? - ？
黑河市司乐回答： MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值. 该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流. 与电压情况类似,即使系统产生尖峰电流,也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流. 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰...
有怨13067218796问： IGBT的工作原理? - ？
黑河市司乐回答： 原发布者:doulei129IGBT的工作原理是什么的工作原理是什么?IGBT的等效电路如图1所示.由图1可知知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通...
有怨13067218796问： 如何选择正确的MOSFET？
黑河市司乐回答： 第三步:确定热要求 选择MOSFET的下一步是计算系统的散热要求.设计人员必须考虑两种不同的情况,即最坏情况和真实情况.建议采用针对最坏情况的计算结果,因为这个结果提供更大的安全余量,能确保系统不会失效.在MOSFET的资...
有怨13067218796问： 如何彻底读懂并理解MOSFET的Datasheet06 - ？
黑河市司乐回答： 必要的计算需要以下信息:Vds,off=380V 额定Vds关闭状态下的电压 Id=5A 满载时的最大漏极电流 Tj=100 ℃ 工作结温 Vdrv=13V 栅极上的电压幅度 Rgate=5R 外部栅极电阻 Rol=Rhi=5R 栅极驱动电路的输出电阻 A1.电容 IRFP450的datesheet里给出的电容值!
有怨13067218796问： 如何彻底读懂并理解MOSFET的Datasheet - ？
黑河市司乐回答： 所有功率MOS制造厂商都会提供每种型号产品的详细说明书. 说明书用来说明各种产品的性能.这对于在不同厂商之间选择相同规格的器件很有用.在一些情况下,不同厂商所提供的参数所依据的条件可能有微妙的区别,尤其 在一些非重要参...
有怨13067218796问： mos管的发热分析 - ？
黑河市司乐回答： 做电源设计,或者做驱动方面的电路,难免要用到MOS管.MOS管有很多种类,也有很多作用.做电源或者驱动的使用,当然就是用它的开关作用. 无论N型或者P型MOS管,其工作原理本质是一样的.MOS管是由加在输入端栅极的电压来控...
有怨13067218796问： 与功率晶体功率管GTR先比功能率场效应管MOSFET有哪些优点? - ？
黑河市司乐回答： 1、功率MOSFET 具有正温度系数,当结温升高时,通态电阻增大,有自限流作用,而GTR的温度特性为负,温度越高,BE导通电压越小,电流越大,所以功率MOSFET热稳定性要高于GTR.2、多个同参数MOSFET可以并联使用,通过其正的...
有怨13067218796问： 电力场效应管的电力MOSFET的基本特性 - ？
黑河市司乐回答： (1)漏极电流ID和栅源间电压 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性. ID较大时,ID与UGS的关系近似线性,曲线的斜率定义为跨导Gfs. (2)MOSFET的漏极伏安特性(即输出特性): 截止区(对应于GTR的截止区) 饱和区...
