3n150参数场效应管参数
作者&投稿：淫芬 （若有异议请与网页底部的电邮联系）
新买的美的102电磁炉使用时跳出00:001到10是什么原因
难。下面笔者根据汇集来的相关资料,提供几种常用电磁炉场效应功率管及代换资料供参考。 电磁炉一般均采用N型沟道功率场效应管,其相关参数为BVCBO≥1600V,BVCEO≥1000V,PCM≥ 100W,ICM≥7A,HFE≥40。常用的电磁炉用场效应管内部带阻尼二极管的型号有GT40N150D、 GT40T301、SEC·G40N150D、ZON120ND、GT40T101、...
电磁炉功率管KGT15N120NDA内部带有阻尼二极管吗?可用哪种型号代换呀?谢...
内部不带阻尼二极管，它是N沟场效应管，可以15N120、25N120等型号的代换。祝愉快！
玛曲县猴头回答： 饱和漏极电流IDSS它可定义为:当栅、源极之间的电压等于零,而漏、源极之间的电压大于夹断电压时,对应的漏极电流. 夹断电压UP它可定义为:当UDS一定时,使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS. 开启电压UT它可定义为:当UDS...
仉从18580819562问： 150N10的场效应管电压、电流参数? - ？
玛曲县猴头回答： 150N10场效应管的额定工作电压为100V、Id电流 35度时为57A,100度时为40A .
仉从18580819562问： 场效应管: 谁知道IRF3315、13n50ct的参数及代换元件? - ？
玛曲县猴头回答： 您好:①、这ⅠRF3315属于:N一M0SET功率场效应管其参数如:/耐压:150Ⅴ//电流:27A//功率:136W// 可直接用:ⅠRF3415型场效应管代换. ②、关于13N50T场效应管参数:/耐压:500Ⅴ// /电流:13.4A//功率:190W// 向这个管可直接用 FQA13N50C代换.
仉从18580819562问： 场效应管有哪几种参数?？
玛曲县猴头回答： VDSS----最大-耐压 VDGR----栅漏耐压 VGS(th)------控制栅门限电压(或叫最低栅控制电压) VGSM---控制栅最大电压 ID---------漏极最大电流 tr----------最大工作频率(或叫响应速度) RDS(on)--D/S导通电阻 使用者注意以上参数便行.
仉从18580819562问： 场效应管23n50e可以用什么代替 4108可以吗? - ？
玛曲县猴头回答： 不可以,可以用MOS场效应管代替. MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型. 在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(最高可达1015Ω).它也分N沟道管和P沟道管. 通常是将衬底(...
仉从18580819562问： 场效应管是干什么用,主要参数? - ？
玛曲县猴头回答： 场效应管主要是用来做开关或者用在升压板上,主要的参数为Vds(耐电压),Ids(耐电流)以及Rds(on)(导通电阻).
仉从18580819562问： 场效应管的最大漏极电流这个极限参数是怎么来的 - ？
玛曲县猴头回答： 极限参数 (1)最大漏级电流IDM: 正常工作漏极电流上限值. (2)击穿电压 最大漏源电压U(BR)DS 最大栅源电压U(BR)GS (3)最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= U (BR)DS IDM决定.
仉从18580819562问： 请问P75NF75、IRF510 IRF3205 IRF150 IRF450场效应管的功率是多少? - ？
玛曲县猴头回答： 常用场效应管(25N120等)参数及代换 FGA25N120AND (IGBT) 1200V/25A//TO3P (电磁炉用)FQA27N25 (MOSFET) 250V/27A/TO3PIRFP254FQA40N25 (MOSFET)250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264FQA55N25 (MOSFET)250V/55...
仉从18580819562问： 随能介绍下场效应管的型号,标识,及如何用万用表判别好坏 - ？
玛曲县猴头回答： 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET).由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管....
仉从18580819562问： 场效应管在电路中有什么作用啊为什么要叫它场效应管它的参数是多少啊谁能告诉我啊谢谢了 - ？
玛曲县猴头回答： 从我的使用经验方面通俗地讲一下(其它正规说明网上很多,我就不说了):场效应管相当于CMOS型的三极管,N沟道的相当于NPN三极管,P沟道的相当于PNP三极管;其栅极(G)相当于三极管的基级,;漏极(S)相当于发射极;源极(D)相当于集极极.但由于它比起三极管有输入阻抗大、功耗低、抗干扰强的特点,在需要用小信号控制放大的情况下使用比用普通三极管要好得多.
