载流子判断n型或p型
半导体中P型与N型的区别是什么?
P型半导体的“P”表示正电的意思，取自英文Positive的第一个字母。N型半导体的“N”表示负电的意思，取自英文Negative的第一个字母。半导体中有两种载流子，即价带中的空穴和导带中的电子，以电子导电为主的半导体称之为N型半导体，与之相对的，以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。在N型半导体中，参...
半导体物理学的载流子输运
反型层也被称为导电沟道,以表明载流子的流动限于极狭窄的区域,如P型半导体表面的反型层称为N沟道,N型半导体表面的反型层称P沟道。当这种表面反型层很薄,其中载流子在垂直表面的方向是量子化的(从波动的观点看,是沿这个方向的驻波),载流子的自由运动只限于平行于表面的二维空间。在这种二维运动的研究中,把反型...
p型半导体的导电原理
N型半导体最外层多一个电子（针对掺杂杂志原子而言）。P型半导体最外层少一个电子（针对掺杂杂志原子而言）。形成原理 要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成p型半导体。对于Ⅳ族元素，半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺...
半导体材料中形成pn结,是不是一定要先有p型半导体跟n型半导体? P型硅...
P型半导体是在单晶硅（锗）中参入微量三价元素，如的硼、铟、镓或铝等，就变成以空穴导电为主的半导体，即P型半导体。在P型半导体中，空穴(带正电)叫多数载流子;电子(带负电)叫少数载流子。如果在硅或锗等半导体材料中加入微量的磷、锑、砷等五价元素，就变成以电子导电为主的半导体，即N型半导体。
为什么P型半导体是电中性
是由于半导体和掺入的微量元素都是电中性的，而掺杂过程中既不丧失电荷又不从外界得到电荷，只是在半导体中出现了大量可运动的电子或空穴，并没有破坏整个半导体内正负电荷的平衡状态。P型半导体，也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。
半导体材料中形成pn结,是不是一定要先有p型半导体跟n型半导体? P型硅...
PN结的形成--- 在一块晶体两边分别形成P型和N型半导 体。图中 代表得到一个电子的三价杂质(例如硼)离子，带负电； 代表失去一个电子的五价杂质(例如磷)离子带正电。由于P区有大量空穴(浓度大)，而N区的空穴极少(浓度小)，因此空穴要从浓度大的P区向浓度小的N区扩散。多数载流子将扩散形成...
扩散电流是怎么产生的?
运动速度各向同性，不引起宏观迁移从而不会产生电流，加外场作用时将会引起载流子的宏观迁移。从而形成电流在半导体中载流子形成的电流有房种方式。一是在电场作用下载流子的漂移运动产生这种电。友称为漂移电流，暗示由于在流子浓度不均匀而形成再扩散运动。所产生的电流称为扩散电流。
什么是齐纳击穿
在高掺杂的情况下，因耗尽层宽度很小，不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场，而直接破坏共价键，使价电子脱离共价键束缚，产生电子—空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。也称为隧道击穿。齐纳击穿是暂时性的，可以恢复。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。隧道击穿是在强...
空间电荷是什么?
当P型半导体和N型半导体结合在一起时，由于交界面处存在 载流子浓度的差异 ，这样电子和空穴都要 从浓度高的地方向浓度低的地方扩散 。但是，电子和空穴都是带电的，它们扩散的结果就使P区和N区中原来的电中性条件破坏了。P区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子，N区一侧因失去电子而留下不能...
N型半导体是在本征半导体中掺杂了什么价元素而形成的其中多数在流子是...
N型掺杂V族元素（磷\/砷\/锑），载流子是多出的电子
蚌埠市丹栀回答：[答案] 不对,载流子指可移动的电荷,半导体内还有不可移动的电荷,比如带正电的原子核,这样就能与N型半导体的多数载流子是电子平衡,维持电中性条件了 还有空穴是一个概念性的东西,实际是不存在的.
龙狡19251098300问： 怎么判断材料的N型还是P型 - ？
蚌埠市丹栀回答：[答案] 1986chxw(站内联系TA)薄膜表面,测试霍尔是最简单最直接的方法,直接可以测出载流子的浓度和迁移率;如果做成了PN结,测IV也是很方便,很容易判断的,对照教材里的IV图,正向导通,正电压加的就是P,另一个就是N;做成PN结也...
龙狡19251098300问： 怎样判断载流子类型 - ？
蚌埠市丹栀回答： 用右手定则,假设为正电荷导电,右手四指指向载流子运动方向并向磁场方向弯曲,拇指方向为电压正方向(如果拇指向上,则说明下表面高电势,上表面低电势,正方向为下——上),并用电压表测量上下表面的电压(电压表正负极要与拇指指向相同,上例中即电压表正接下表面,电压表负接上表面)看电压的正负,如果为正则与假设相符(空穴导电,P型半导体),如果为负说明是电子导电(电子导电,N型半导体).
龙狡19251098300问： 什么是P型半导体和N型半导体?其多数载流子和少数载流子各是什么?能否说P型半导体带正电、N型半导体带负 - ？
蚌埠市丹栀回答：[答案] 1:P型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,形成P型半导体,N型半导体:在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体. 2:N型半导体中 自由电子的浓度...
龙狡19251098300问： N型.P型半导体中的载流子各是什么? - ？
蚌埠市丹栀回答：[答案] N型半导体:多数载流子(多子)是电子,少子空穴; P型半导体:多子是空穴,少子是电子; 回答完毕
龙狡19251098300问： 物理霍尔效应实验思考题1、如何判别霍尔元件的载流子类型?2、若霍尔片的法线与磁场方向和磁场不一致,对测量结果有何影响?很急的,谢谢. - ？
蚌埠市丹栀回答：[答案] 物理实验报告 一、实验名称: 霍尔效应原理及其应用 二、实验目的: 1、了解霍尔效应产生原理; 2、测量霍尔元件的 、 ... 的方向(即测量中的+ ,+ ),若测得的 <0(即A′的电位低于A的电位),则样品属N型,反之为P型. (2)由 求载流子浓度...
龙狡19251098300问： 怎么判断材料的N型还是P型 - ？
蚌埠市丹栀回答： 1986chxw(站内联系TA)薄膜表面,测试霍尔是最简单最直接的方法,直接可以测出载流子的浓度和迁移率;如果做成了PN结,测IV也是很方便,很容易判断的,对照教材里的IV图,正向导通,正电压加的就是P,另一个就是N;做成PN结也可以在各面镀电极测试C-V判断,方法和IV一样,对照参考书,高频和低频时积累区都和书里的位置一样(记得是在左边),那就是正向偏压,正电极加的就是P,另一层就是N.希望对你有帮助~~1986chxw(站内联系TA)LCMO这个可以单独直接发帖求助梦回盛唐(站内联系TA)长见识了 !!!!!
龙狡19251098300问： 半导体靠自由电子(带负电)和空穴(相当于带正电)导电,分为p型和n型两种.p型半导体中空穴为多数载流子;n型半导体中自由电子为多数载流子.现在一... - ？
蚌埠市丹栀回答：[选项] A. 若M电势高,就是p型半导体 B. 若M电势高,就是n型半导体 C. 若N电势高,就是p型半导体 D. 若N电势高,就是n型半导体
龙狡19251098300问： 半导体中参与导电的电流载体称为载流子.N型半导体的载流子是带负电的电子,P型半导体的载流子是带正电的“空穴”,如图所示,一块厚度为d、宽度为... - ？
蚌埠市丹栀回答：[选项] A. 是N型半导体, B. 是P型半导体, C. 是N型半导体, D. 是P型半导体,
