直接带隙和间接带隙
什么是直接带隙和间接带隙?
直接带隙和间接带隙是两种不同的半导体材料，它们的区别和特点如下：1. 区别：直接带隙材料：当入射光子能量等于材料能隙时，材料可以吸收并转换为电子-空穴对。因此，直接带隙材料可以产生光电效应，并且可以通过光致发光和光电导性进行测量。间接带隙材料：当入射光子能量等于材料能隙时，材料只能吸收并...
直接带隙和间接带隙是怎么回事?
直接带隙和间接带隙是半导体材料中的两种不同能带结构。首先，直接带隙半导体的特点在于导带底和满带顶在k空间中占据同一位置，这意味着电子只需吸收足够的能量就能从价带跃迁到导带，形成导电的电子-空穴对。这个过程相对简单，不需要改变电子的动量。相比之下，间接带隙半导体的能带结构更为复杂。导带底...
间接带隙和直接带隙的区别
1、定义不同：直接带隙半导体材料中，价带顶和导带底位于布里渊区中同一点，电子在价带被激发到导带后，其动量保持不变，而间接带隙半导体材料中，价带顶和导带底位于布里渊区中不同点，电子在价带被激发到导带后，其动量必须改变。2、特点不同：直接带隙材料具有高吸收率和高放电效率，并适合于光电...
直接带隙和间接带隙有什么区别吗?
两者的区别是：直接带隙的半导体导带上电子是由价带受激发直接跃迁导致的，而间接带隙的半导体导带上的电子是由价带受激发跃迁至导带后还要有个弛豫的过程才能到导带底。这个过程中会有一部分能量以声子的形式浪费掉，从能量利用的角度上来说，直接带隙的半导体对光的利用率更好。ZnO具有直接带隙半导体材...
直接带隙和间接带隙的区别有哪些?
直接带隙和间接带隙是半导体材料能带结构中两种不同的类型，它们在电子跃迁方式、发光效率和应用领域等方面存在显著差异。以下是直接带隙和间接带隙的主要区别：1. **电子跃迁方式**：- **直接带隙**：在直接带隙半导体中，导带底和价带顶的极值点（导带底和价带顶）在布里渊区中位于相同的k点。
直接带隙和间接带隙有什么区别
一般所用的半导体材料有两大类，直接带隙材料和间接带隙材料，其中直接带隙半导体材料如GaAs（砷化镓）比间接带隙半导体材料如Si有高得多的辐射跃迁几率，发光效率也高得多。
直接带隙和间接带隙的材料有哪些
硅、砷化镓等半导体材料。根据百度百科查询，间接带隙半导体是指电子能级与洞能级之间的能隙是由外部的应力或磁场等引起的，此时带隙值会受到外界环境的影响，而且会随着外部环境的变化而变，例如：硅、砷化镓等半导体材料。
直接带隙半导体与间接带隙半导体的异同
简单的说直接带隙半导体就是导带最低点和价带最高点在k空间处于同一点的半导体，间接带隙半导体就是它们不处于同一点的半导体。你可以看一下下面的参考资料 参考资料：http:\/\/en.wikipedia.org\/wiki\/Direct_bandgap
直接带隙和间接带隙有什么区别?
因为电子是fermion，它的波函数描述是asymmetric的，做一个asymmetric operation后就会发现，电子波函数消失，也就是说不存在两个相同量子态的电子。如果只考虑到spin这个自由度分为spin-up和spin-down用以区分不同的量子态，那么一个核外电子能级只能容纳两个电子。根据原子核的电荷情况，核外电子遵循Paul ...
直接带隙和间接带隙半导体,选择哪类半导体更能提高内量子效率呢_百度知 ...
选直接带隙半导体。1、直接带隙半导体这种直接跃迁的特性使得直接带隙半导体对于光的吸收和发射具有更高的效率，被视为优良的光电转换材料，能够提高内量子效率。2、在间接带隙半导体中，由于电子和空穴之间的能量差异很大，因此容易受到非辐射复合等效应的影响，从而造成电子-空穴对数目的减少，降低了内量子...
杏花岭区芩胆回答： 一般所用的半导体材料有两大类,直接带隙材料和间接带隙材料,其中直接带隙半导体材料如GaAs(砷化镓)比间接带隙半导体材料如Si有高得多的辐射跃迁几率,发光效率也高得多
承善15071163087问： 什么是直接带隙半导体材料和间接带隙半导体材料? - ？
杏花岭区芩胆回答： 直接带隙和间接带隙是两种不同的半导体材料,它们的区别和特点如下: 1. 区别: 直接带隙材料:当入射光子能量等于材料能隙时,材料可以吸收并转换为电子-空穴对.因此,直接带隙材料可以产生光电效应,并且可以通过光致发光和光电导...
承善15071163087问： 直接带隙和间接带隙的区别 - ？
杏花岭区芩胆回答： 直接带隙半导体材料就是导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中同一位置.电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量. 间接带隙半导体材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置.形成半满能带不只需要吸收能量,还要改变动量. 间接带隙半导体材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置.电子在k状态时的动量是(h/2pi)k,k不同,动量就不同,从一个状态到另一个必须改变动量.
承善15071163087问： 请教直接带隙材料和间接带隙材料的区别 - ？
杏花岭区芩胆回答： 导带的最高处和价带的最低处在相同k值的叫“直接带隙材料”,例如GaAs等 不在一处的就是“间接带隙材料”例如Si
承善15071163087问： 如何确定半导体是直接带隙还是间接带隙的? - ？
杏花岭区芩胆回答： 间接带隙半导体材料(如Si、Ge)导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置.形成半满能带不只需要吸收能量,还要改变动量.间接带隙半导体材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置.电子在k状态时的动...
承善15071163087问： 直接帯隙和间接帯隙半导体辐射光子和本征吸收的能力孰强?为什么? - ？
杏花岭区芩胆回答： 直接带隙半导体当价带电子往导带跃迁时,电子波矢不变,在能带图上即是竖直地跃迁,这就意味着电子在跃迁过程中,动量可保持不变(光子的动量很小,可以忽略)——满足动量守恒定律.相反,如果导带电子下落到价带(即电子与空穴复...
承善15071163087问： 直接带隙和间接带隙的半导体的物理差异是什么? - ？
杏花岭区芩胆回答： 基因(遗传因子)是具有遗传效应的DNA片段(部分病毒如烟草花叶病毒、HIV的遗传物质是RNA).基因支持着生命的基本构造和性能.储存着生命的种族、血型、孕育、生长、凋亡等过程的全部信息.环境和遗传的互相依赖,演绎着生命的繁衍、细胞分裂和蛋白质合成等重要生理过程.生物体的生、长、衰、病、老、死等一切生命现象都与基因有关.它也是决定生命健康的内在因素.因此,基因具有双重属性:物质性(存在方式)和信息性(根本属性).
承善15071163087问： 什么是间接带隙 - ？
杏花岭区芩胆回答： 硅材料的禁带宽度很窄,本征激发比较容易,电子跃迁时发射和吸收的光子能量比较低,波长较长,属于红外光的范围,不在可见光的波长范围内,因此不易发光.
承善15071163087问： 半导体具有三性是哪三性 - ？
杏花岭区芩胆回答： 1.热敏特性 半导体的电阻率随温度变化会发生明显地改变. 2.光敏特性 半导体的电阻率对光的变化十分敏感.有光照时、电阻率很小;无光照时相反. 3.掺杂特性 在纯净的半导体中,掺人极微量的杂质元素,就会使它的电阻率发生极大的变化.几乎所有的半导体器件,都是用掺有特定杂质的半导体材料制成的. 望采纳
承善15071163087问： 材料的能带带隙和电导率什么关系? - ？
杏花岭区芩胆回答： 直接带隙半导体材料就是导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中同一位置.电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量. 间接带隙半导体材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置.
