放电mos关断怎么办
保护板过充保护后充电MOS管关断了,怎么放电?(充放电同口)
1、这种情况，不要继续充电，把电池拿下来，单独放置1-2分钟，现在基本上保护板都有自恢复功能（外界条件不在超出保护范围情况下），就能恢复过来，就可以进行放电 2、如果不能恢复，外接一个3.8-4.2v的直流电源，接触一下就可以解除保护了（你可以插到充电器上然后拔出，一般都可以解除保护的）...
mos管关断电压
缩短电缆长度。在设计mos管线路时，应尽量减少变频器与电动机之间电缆的长度，mos管关断电压可以通过缩短电缆长度来降低两者之间的暂态波过程的振荡周期，以此来降低电动机两端的过电压。
电子MOS管耗尽行常闭 增强的常开是吗?
对NMOS，增强型源极、漏极电压为0时关断，大于开启电压时导通 耗尽型：源极、漏极为0和正时开通，为负且小于截止电压时关断。好像没听说过常开、常闭这种说法
开关电源MOS管关断时产生的阻尼振荡如何降低
这个问题不太好解决，换一个内阻比较小的开关管应该会好一些。但如果成本压力比较大，可以在开关管驱动电路上电阻上加一个反向的开关二极管。应该也会好一点。
mos管的开通和关断会产生交变电压吗
当场效应管（MOS管）被关闭（关断）或开启（开通）时，因为MOS管在开启和关闭的过程中，其输入电阻会不断变化，从而导致D-S（DraintoSource）间的电荷和电流发生变化，从而产生交变电压。这种现象被称为“开关过渡区域的电荷注入”，或称作“Miller效应”。特别是在高频开关电路中，由于MOS管的开闭时间...
mos管关断条件(mos管快速关断电路)
1、mos管完全关断。2、MOS管关断过程。3、mosfet关断。4、mos管关断电阻。1.mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。2.MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。3.在多数情况下，这个两个...
PMOS管关断后,负载产生很强烈的谐振
可能是MOS管未能彻底关断所致，可检查Q3是否未能完全截止或存在漏电现象，可把R11改小些把R10增大些。
怎样控制关断mos时的冲击电压
MOS管DS两端并一电容，用于吸收或谐振。另一个办法就是降低关断的速度，办法有增大驱动电阻，增加GS电容等
MOS管过大电流时关断为什么会出现尖峰电压
尖峰电压不是mos管本身产生的,是电感产生的,关断时电感上的电流不能突变,就会产生反峰电压,一般是用并联电阻和电容组成消除反峰电路。尖峰电压属于浪涌电压里的一种，持续时间极短但数值很高。电机、电容器和功率转换设备（如变速驱动器）是产生尖峰电压的主要因素。雷电击中室外的输电线路也会引起极危险...
mos关断太慢,G极驱动开关信号正常(很好),D极在由管子导通到关断时,电压...
这种当然不行，大功率管子用负电压关断效果很好，或者在网上搜搜，用专用芯片或者电荷泵设计。
泾源县拨云回答： 1、这种情况,不要继续充电,把电池拿下来,单独放置1-2分钟,现在基本上保护板都有自恢复功能(外界条件不在超出保护范围情况下),就能恢复过来,就可以进行放电 2、如果不能恢复,外接一个3.8-4.2v的直流电源,接触一下就可以解除保护了(你可以插到充电器上然后拔出,一般都可以解除保护的)
实艳17088027837问： mos关断太慢,G极驱动开关信号正常(很好),D极在由管子导通到关断时,电压消失要几十秒,如何改进呢? - ？
泾源县拨云回答： 这种当然不行,大功率管子用负电压关断效果很好,或者在网上搜搜,用专用芯片或者电荷泵设计.
实艳17088027837问： 怎样有效关断MOS管 - ？
泾源县拨云回答： 关断MOS管是MOS管使用中的大问题,远比导通麻烦.最好的关断方法是负电压关断,非常有效.
实艳17088027837问： 开关电源MOS管关断时产生的阻尼振荡如何降低 - ？
泾源县拨云回答： 这个问题不太好解决,换一个内阻比较小的开关管应该会好一些.但如果成本压力比较大,可以在开关管驱动电路上电阻上加一个反向的开关二极管.应该也会好一点.
实艳17088027837问： 硬盘中有电池吗?那其中的mos电断了,又是怎么维持的呢?？
泾源县拨云回答：硬盘的数据是靠磁性记录的,所以怕强磁.没电和硬盘没啥关系.BIOS电池没电最多回复到出厂设置,时间日期也恢复到出厂设置的时间了.
实艳17088027837问： 怎样判断MOS管是否工作在“开关状态” - ？
泾源县拨云回答： mos管的放大区就是饱和区,mos的三种状态没有击穿区,是截至区 ,击穿区可以定义为第四种状态.
实艳17088027837问： 请高手帮忙看一下,我这个光耦驱动MOS管的电路有问题吗?如果有的话问题在哪?我应该怎么改? - ？
泾源县拨云回答： 有问题,缺少下拉电阻,在mos的ge之间并一个10k电阻,mos是场效应管,光耦关断后必须给mos门级放电,不然不能正常关断的 另外你是pwm控制,频率较高,估计下拉放电速度也不够,光耦的驱动能力也一般,你在光耦和mos间加一级推挽吧
实艳17088027837问： 为什么我的MOS管在栅极断电后,我的漏极还是导通 - ？
泾源县拨云回答： MOS管的栅极(gate)存在一个平板寄生电容,有兴趣可以看看半导体器件方面的资料 如果仅仅是断电的话由于栅极电容无法放电,所以栅极的电压其实还是基本维持在5V,越大的MOS管电容也就越大,这个现象也就越严重. 如需要将其拉低,就需要在栅极加一个下拉电阻使栅极电容能够放电,放完电MOS自然就关断了,
实艳17088027837问： 如何加快MOSFET关断？
泾源县拨云回答： 可以在栅极加个跟随器来驱动栅极,可以缩短开关时间,在栅极加个电阻或电容到地对场管开关的过程进行放电,以上都是提高开关速度的方法!!
实艳17088027837问： 如何提高MOS管开关速度? - ？
泾源县拨云回答： 主要是提高栅极的驱动能力. 因场效应管栅极电容的影响,一般需要大于正负1A的驱动能力,栅极电阻不大于10欧,反向接二极管提高关断速度.
