光耦控制mos管开关电路

作者&投稿:利红 (若有异议请与网页底部的电邮联系)

光耦驱动MOS管电路问题
光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

请高手帮忙看一下,我这个光耦驱动MOS管的电路有问题吗?如果有的话问题...
有问题,缺少下拉电阻,在mos的ge之间并一个10k电阻,mos是场效应管,光耦关断后必须给mos门级放电,不然不能正常关断的 另外你是pwm控制,频率较高,估计下拉放电速度也不够,光耦的驱动能力也一般,你在光耦和mos间加一级推挽吧

问下各位电子发烧友 驱动MOS 栅极直接用光耦可以不 为啥还要用专业驱动...
MOS管驱动需要对栅极快充快放电,以降低管子开关损耗。用专门驱动电路或芯片的目的就是起到这个作用。用光耦由于里面只有一个三极管,驱动时只能做到快充或快放不能兼顾。另外,光耦驱动负载能力有限,大功率MOS管在快速开关过程中是需要较高驱动能力的。

MOS管在开关电路的作用
MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类,P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,源极上加有足够的正电压(栅极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源...

求一简单的VMOS管开和关的驱动电路
如一般实验也可去掉光耦(u1)但可靠性要降低。

开关电源中,当输出增大时tl431和光耦怎么工作的
当开关电源的输出电压变小,TL431通过电源输出端接的两个分压电阻能够采集到电压变小的信号,关闭与光耦连接端的电流,是信号通过光耦传递到初级(高压端),PWM IC会通过光耦检测到次级电压低的信号自身会加大驱动开关MOS的占空比,使输入功率提高,输出电压也就高上去。

用光耦驱动MOS管,控制电机的时候,MOS管持续导通是什么原因(附电路图...
Q1加下拉电阻10K左右,7805改成7810-7815都可以,场效应管的是电压驱动的,必须要加下拉电阻,栅极不能悬空

求高人讲解这部分电路的工作原理,特别是两个三极管的功能!!
两个三极管Q2、Q3是开关推挽工作,正常逻辑应该是这样:光耦TF1有信号时,上管Q2导通,驱动MOS管开通。光耦TF1无信号时,上管Q2截止,下管Q3导通,迫使MOS管关断。

请教各位师傅一个光耦驱动MOS管的问题
光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件,光电耦合器件广泛运用在电脑终端机,可控硅系统设置,测量仪器、影印机、自动售票、家用电器,比如电风扇、加热器等。电路之间的信号输出,使之前端与负载完全隔离,目的在于增强电路的安全性,减小电压的干扰,减化电路的设计。

817光耦开关电路电流非常小。请大神看下电路。谢谢
你可以加个PNP三极管8550(图中Q1)或者P沟道MOS管(图中Q2)两者选其一即可

冻韦17620684735问: 请高手帮忙看一下,我这个光耦驱动MOS管的电路有问题吗?如果有的话问题在哪?我应该怎么改? -
五指山市代丁回答: 有问题,缺少下拉电阻,在mos的ge之间并一个10k电阻,mos是场效应管,光耦关断后必须给mos门级放电,不然不能正常关断的 另外你是pwm控制,频率较高,估计下拉放电速度也不够,光耦的驱动能力也一般,你在光耦和mos间加一级推挽吧

冻韦17620684735问: 帮我看一下这个电路对不对,光耦隔离和单片机控制开关量(控制的开关量为24V升压后的27V电压) -
五指山市代丁回答: 从隔离与耦合的原理上看,似乎没有问题,但是这个输出信号相当于电压源输出,信号内阻很小,当你用这种信号去调控的话,要注意驱动部分能不能经受得起电压源驱动.如果不能,那就要在输出端加电阻限流(以增加信号源的内阻).

冻韦17620684735问: 单片机版驱动一个mosfet -
五指山市代丁回答: 亲!单片机驱动mosfet一般都需要隔离的,因为工作电压差别比较大,而且单片机一般是5V以下,很多mosfet的驱动电压要求10V以上才能完全导通 简单一点的你可以用个光耦做隔离,单片机PWM连接光耦的输入(要加限流电阻),光耦输出...

冻韦17620684735问: 求指教mos管作为开关的电路 -
五指山市代丁回答: 很简单啊!栅极给导通电压,源极就和漏极导通了!不能接反不然就起不了开关作用了!

冻韦17620684735问: 怎样用MOS管做开关电路 -
五指山市代丁回答: 楼主可以选用Rds较小的低压MOSFET,比如几十个毫欧甚至几个毫欧左右的. 很简单的,MOSFET本身就是一个开关 MP3电流应该是几百个毫安吧,一般的MOSFET都能应付.

冻韦17620684735问: 光耦TLP521能直接驱动mos管吗? -
五指山市代丁回答: TLP521不是驱动光耦,而是固态继电器,它的输出集电极电流IC最大只有50mA,而且上升/下降沿都是us级的,对于额定电流在20A或以上的MOS管来说驱动电流太小,而且频率也做不高,不建议选这种器件.

冻韦17620684735问: 【求教】MOS管开关电路. -
五指山市代丁回答: MOS和三极管相像,但是三极管属于电流驱动型,而MOS属于电压驱动型,因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压.一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通,但是为了考虑可靠性,往往是加上一个电阻,接到12V左右,这是我们常用的.如图我们产品中的一个图,是电机驱动,用的就是MOS的开关特性.另外,数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关,因为数字电路只有0和1.图中的PWM是单片机IO端口直接过来的,0V和5V可变.后面一个推挽电路,然后给MOS.

冻韦17620684735问: 如何实现单片开关电源的设计 -
五指山市代丁回答: 1 用TOPswitch—GX设计的250W开关电源TOPSwitch—GX设计的250W开关电源电路如图1所示.直流电压经变压器的原边加到TOPSwitch—GX的漏极D;频率选择端F 和极限电流设定端X与源极S相连,则该两端的功能都没用,即不从外部设...

冻韦17620684735问: 请教:MOS管做开关电路 -
五指山市代丁回答: 你电路的问题很明显,要了解原理,请参考以下电路: 带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路,原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》.

冻韦17620684735问: mos管开关电路是怎样工作的? -
五指山市代丁回答: ■mos管开关电路中要用到MOS场效应管来代替开关,场效应管有三个极:源极S、漏极 D和栅极(或叫控制极)G. 工作原理是:在给源极和漏极 之间加上正确极性和大小的电压(因为管型而异)后,再给G极和源极之间加上控制电压,就会有相应大小的电流从源极流向漏极 ,如果信号电压够大,这个电路就能瞬间饱和而成为一个开关了.


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