T的输出特性如图所示,试分析如图所示电路中。当uI=4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。

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急求,T的输出特性如图所示,试分析如图所示电路中。当uI=0V、8V、10V三种情况下Uo分别为多少?~

UI=0V时,管子截止,Uo=15V
UI=8V时,设处于恒流区;
Uo=uDS=VDD-iD*Rd
iD=Idoss(uGS/UGS(th)-1)=1MA*(8/4-1)平方=1MA;
Uo=15-1*5=10v;
uGD=uGS-uDS=8-10=-2V<UGS(TH);
管子处在恒流区,与假设一致;
UI=10v时,设处于恒流区,
iD=Idoss(uGS/UGS(th)-1)=1MA*(10/4-1)平方=2.25MA
Uo=15-2.25*5=3.75v;
uGD=uGS-uDS=10-3.75=6.25V>UGS(TH);
管子饱和,与假设不一致。
真实值在3V左右,从输出特性曲线可以看出,3V左右对应的iD=1mA;
RDS约等于3v/1mA=3K,
Uo=RDS/(RDS+Rd) *VDD=5.6V

(1)当 VBB= 0 时T截止uO= 12V。
(2)当 VBB=1V 时因60bBEQBBBQ==RUVIμAV9mA3CCQCCOBQCQ====RIVuIIβ所T 处于放大状态。
Vbb=0V时,三极管截止,Uo=12V;
Vbb=1V时,Ib=(1-0.7)/5k=60uA,Ic=100*Ib=6mA,Uo=12V-IcRC=12-1kΩ*6mA=6V;Vbb=2V时,Ib=(2-0.7)/5k=260uA,三极管饱和时Ic=12/1k==12mA,需要的Ib饱和电流为
12mA、100=120uA,而此时Ib大于饱和电流,故三极管饱和,Uo=0.1V。



扩展资料:
基极电流Ib一定时,晶体三极管的Ic和Uce之间的关系曲线叫做输出特性曲线。曲线以Ic(mA)为纵坐标,以Uce(V)为横坐标给出,图上的点表示了晶体管工作时Ib、Uce、Ic三者的关系,即决定了晶体三极管的工作状态。
从曲线上可以看出,晶体管的工作状态可分成三个区域。饱和区:Uce很小,Ic很大。集电极和发射极饱和导通,好像被短路了一样。这时的Uce称作饱和压降。此时晶体管的发射结、集电结都处于正向偏置。
放大区:在此区域中Ib的很小变化就可引起Ic的较大变化,晶体管工作在这一区域才有放大作用。在此区域Ic几乎不受Uce控制,曲线也较为平直,此时管子的发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置。截止区:Ib=0,Ic极小,集电极和发射极好像断路(称截止),管子的发射结、集电结都处于反向偏置。
参考资料来源:百度百科-晶体管输出

N沟增强型MOSFET,VT=5V
Ui(Vgs)=4V < VT,iD=0,没开启,截止区。
Ui(Vgs)=8V,iD≈0.7mA,Vds=12-3.3*0.7=9.7V, Vds>VGS-VT,饱和区。
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