晶体缺陷种类与半导体电的影响? 会答了 给高分。

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杂质和缺陷对半导体电性能产生影响的机理是什么~

施主和受主杂质可以提供载流子,增大电导率;非施主和受主杂质往往会产生复合中心,减短非平衡载流子寿命;缺陷一般是产生复合中心。各种杂质和缺陷都对载流子都有散射作用,使迁移率降低,降低电导率。
主要影响是自由电子和空穴数量的精确控制。简单说,杂质越多,说明物理材料中的自由电子和空穴精确控制就越差,差可以导致物理指标下降:杂散电流随环境温度增加而增加;PN结的耐压程度和温度系数变劣。

扩展资料:
掺入半导体中的一类杂质或缺陷,它能接受半导体中的价带电子,产生同数量的空穴,从而改变半导体的导电性能.例如,掺入半导体锗和硅中的三价元素硼、镓等原子都是受主.如果某一半导体的杂质总量中,受主的数量占多数,则这半导体是P型半导体,这种杂质或缺陷叫做受主。
半导体中掺入微量杂质时,杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态,在禁带中产生附加的杂质能级。能提供电子载流子的杂质称为施主(Donor)杂质,相应能级称为施主能级,位于禁带上方靠近导带底附近。
参考资料来源:百度百科-杂质半导体

【晶体缺陷对材料性能的影响】晶体缺陷的存在对材料的性质会产生明显的影响。实际晶体或多或少都有缺陷。适量的某些点缺陷的存在可以大大增强半导体材料的导电性和发光材料的发光性,起到有益的作用;而位错等缺陷的存在,会使材料易于断裂,比近于没有晶格缺陷的晶体的抗拉强度,降低至几十分之一。
【晶体缺陷】在理想完整的晶体中,原子按一定的次序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上。但在实际的晶体中,由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响,原子的排列不可能那样完整和规则,往往存在偏离了理想晶体结构的区域。这些与完整周期性点阵结构的偏离就是晶体中的缺陷,它破坏了晶体的对称性。分为:点缺陷、线缺陷(位错)、面缺陷、体缺陷四种。

半导体晶体中偏离完整结构的区域称为晶体缺陷。按其延展的尺度可分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷,这4类缺陷都属于结构缺陷。根据缺陷产生的原因可分为原生缺陷和二次缺陷。从化学的观点看,晶体中的杂质也是缺陷,杂质还可与上述结构缺陷相互作用形成复杂的缺陷。一般情况下,晶体缺陷是指结构缺陷。
点缺陷(零维缺陷) 主要是空位、间隙原子、反位缺陷和点缺陷复合缺陷。
线缺陷(一维缺陷) 半导体晶体中的线缺陷主要是位错。
面缺陷(二维缺陷) 包括小角晶界、堆垛层错、孪晶。
体缺陷(三维缺陷) 包括空洞和微沉淀,是指宏观上与基质晶体具有不同结构、不同密度或不同化学成分的区域。
微缺陷 除上述四类结构缺陷外,还有一类以择优化学腐蚀后表面出现的以高密度浅底小坑或小丘为其腐蚀特征的一类缺陷,称为微缺陷,目前已发现的微缺陷有三类:(1)生长微缺陷;(2)热诱生微缺陷;(3)雾缺陷。
晶体缺陷会使晶体存在缺陷电阻,对半导体晶体能阶也有影响,对载流子数目存在影响
晶体缺陷在半导体材料方面的应用:如ZnO , Fe3O4 , 掺杂半导体 , BaTiO3半导瓷等
答的不全, 仅作为参考

晶体缺陷会导致电子在晶格缺陷的界面处被散射和俘获,阻碍半导体内电子空穴对的传输。同时会改变半导体的NP型。对形成半导体异质结、同质结有重要的影响。


半导体基本概念
而把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比,半导体材料的发现是最晚的,直到20世纪30年代,当材料的提纯技术改进以后,半导体的存在才真正被学术界认可。半导体的分类,按照其制造技术可以分为:集成电路...

半导体是做什么的材料
半导体是指在常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体是指一种导电性可控,范围从绝缘体到导体之间的材料。从科学技术和经济发展的角度 来看,半导体影响着人们的日常工作生活,直到20世纪30年代这一材料才被学术界所认可。半导体的分类和性能:1、元素半导体 元素半导体是指单一元素构成的半导体,...

说一说有关半导体的知识
本征半导体是纯净的、没有结构缺陷的半导体单晶。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%,常称为“九个9”,它在物理结构上为共价键、呈单晶体形态。在热力学温度零度和没有外界激发时,本征半导体不导电。 3、半导体的本征激发与复合现象 当导体处于热力学温度0 K时,导体中没有自由电子。

导体和半导体区别是什么?
气体导体指的是电离的气体,其中的载流子是电子和正负离子。气体的放电现象在实际应用中有很多用途。其他导电介质包括电的绝缘体,也称为电介质。它们的电阻率极高,比金属的电阻率大得多。绝缘体在某些条件下(如加热、加高压等)可能会被“击穿”,从而转变为导体。2、半导体的分类:包括元素半导体、...

晶体在结构上有哪些缺陷?
③面缺陷,是沿着晶格内或晶粒间的某个面两侧大约几个原子间距范围内出现的晶格缺陷。主要包括堆垛层错以及晶体内和晶体间的各种界面,如小角晶界、畴界壁、双晶界面及晶粒间界等。④体缺陷:体缺陷主要是沉淀相、晶粒内的气孔和第二相夹杂物等。满意请采纳,谢谢。

半导体与导体是一个意思吗?
通过化学的添加,能够让其进入到能带,这样可以发生电导率,从而形成有机化合物半导体。(4)非晶态半导体。它又被叫做无定形半导体或玻璃半导体,属于半导电性的一类材料。非晶半导体和其他非晶材料一样,都是短程有序、长程无序结构。(5)本征半导体:不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。

超导体和半导体的区别是什么
超导体和半导体的区别有电导性、温度要求、应用领域等。1、电导性:超导体具有极低的电阻,当低温下通过超导体的电流时,电流可以无阻碍地持续流动,形成超导电流。而半导体具有中等到较高的电阻,需要外加能量才能导电。2、温度要求:超导体的超导性质通常只在非常低的温度下才能显现,如液氮温度(约77K...

晶体缺陷对材料性能的影响
【晶体缺陷对材料性能的影响】晶体缺陷的存在对材料的性质会产生明显的影响。实际晶体或多或少都有缺陷。适量的某些点缺陷的存在可以大大增强半导体材料的导电性和发光材料的发光性,起到有益的作用;而位错等缺陷的存在,会使材料易于断裂,比近于没有晶格缺陷的晶体的抗拉强度,降低至几十分之一。【...

晶圆半导体显微镜在半导体检测中起到什么作用?
晶圆半导体显微镜在半导体检测领域扮演着至关重要的角色。以下是该技术的主要作用:1. 缺陷检测:显微镜能够细致观察晶圆表面,识别和分类诸如晶体缺陷、氧化层不均匀性、杂质和晶界等缺陷。这些缺陷可能对晶体管的性能和可靠性产生负面影响,因此,及时发现并处理这些问题是至关重要的。2. 尺寸测量:晶圆...

半导体是什么意思
而把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比,半导体材料的发现是最晚的,直到20世纪30年代,当材料的提纯技术改进以后,半导体的存在才真正被学术界认可。半导体的分类,按照其制造技术可以分为:分立器件...

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抚松县17146108684: 晶体缺陷的对晶体的物理和化学性质有什么影响 -
察狗抗宫: 哪种晶体?什么样的缺陷?这个可以写本书了 呵呵 我知道的也很少,胡说一些结构缺陷有可能导致各种物理性质的变化, 如电导率,半导体里面的掺杂就是这个道理,掺杂离子充电载流子,提高了其电阻率; 有些缺陷会形成色心(很多时候是空位),会导致晶体呈现不同的颜色,如PWO(钨酸铅中的氧空位) 还有一种就是江湖新秀说的那种,掺杂了别的离子 红宝石就是Cr3+:Al2O3想不出来了 就这么多

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察狗抗宫: 施主和受主杂质可以提供载流子,增大电导率;非施主和受主杂质往往会产生复合中心,减短非平衡载流子寿命;缺陷一般是产生复合中心.各种杂质和缺陷都对载流子都有散射作用,使迁移率降低,降低电导率. 主要影响是自由电子和空穴数...

抚松县17146108684: 半导体材料的特性要求 -
察狗抗宫: 半导体材料的特性参数对于材料应用甚为重要.因为不同的特性决定不同的用途. 晶体管对材料特性的要求 :根据晶体管的工作原理,要求材料有较大的非平衡载流子寿命和载流子迁移率.用载流子迁移率大的材料制成的晶体管可以工作于更...

抚松县17146108684: 常见的晶体缺陷有以下几种 -
察狗抗宫: 点缺陷:空位、间隙原子等 线缺陷:位错,即刃型位错和螺型位错 面缺陷:层错、孪晶 体缺陷:包裹体等···

抚松县17146108684: 晶体的点缺陷,线缺陷和面缺陷对金属物理性能和化学性能有何影响? -
察狗抗宫:[答案] 在理想完整晶体中,原子按一定的次序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上.但在实际的晶体中,由于晶体形成条件、... 化学性能影响主要集中在材料表面性能上,比如杂质原子的缺陷会在大气环境下形成原电池模型,极大地加速材料的腐蚀,...

抚松县17146108684: 晶体缺陷状态是否影响光电探测器的性能? -
察狗抗宫: 【晶体缺陷对材料性能的影响】晶体缺陷的存在对材料的性质会产生明显的影响.实际晶体或多或少都有缺陷.适量的某些点缺陷的存在可以大大增强半导体材料的导电性和发光材料的发光性,起到有益的作用;而位错等缺陷的存在,会使材料...

抚松县17146108684: 晶体缺陷有哪些类型?它们的基本特征如何? -
察狗抗宫: 在实际金属中存在的缺陷有点缺陷(空位和间隙原子)、线缺陷(位错)和面缺陷(晶界)3种类型. 一般情况下,晶体缺陷的存在可以提高金属的强度,但是晶体缺陷的存在常常降低金属的抗腐蚀性能

抚松县17146108684: 实际晶体位错反应中有什么重点问题 -
察狗抗宫: 晶体缺陷会对物理化学性能产生很大影响,半导体晶体缺陷会影响半导体器件制造工艺和器件的性能及成品率. 缺陷大体分3类: 点缺陷(空位、间隙原子、杂质原子) 线缺陷(位错、位错排) 面缺陷(小角度晶界、层错)

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