vishay的MOS管怎么样
现在来说MOS管分为几大系列：美系、日系、韩系、台系、国产。
美系：IR ST 仙童 安森美 TI PI 英飞凌；
日系：东芝 瑞萨 新电元；
韩系：KEC AUK 美格纳 森名浩 威士顿 信安 KIA；
台系:APEC CET ；
国产：吉林华微 士兰微 华润华晶 东光微 深爱半导体。
扩展资料
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能；这样的器件被认为是对称的。
场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化；FET的增益等于它transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管。
场效应管通过投影
一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。
这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
首先考察一个更简单的器件——MOS电容——能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon（外在硅），他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。
金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric（栅介质）。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地，gate接不同的电压来说明。
MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中，这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位。
这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来，它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了，所以载流子浓度的变化非常小，对器件整体的特性影响也非常小。
参考资料：mos管.百度百科
ST,Toshiba,英飞凌，飞兆，IR，AOS等
主流厂家，还不错，不过好像比较贵。人亨力唯： 主流厂家,还不错,不过好像比较贵.
芦淞区13767277493： 有没有MOS管性价比和质量比较好一点的.推荐一下 - ？
人亨力唯： 要多大电压多大电流,什么封装的 高功率MOS可以选APT(Microsemi)、Infineon、IR(低压MOS事业部卖给Vishay了,可以去VISHAY选)、Fairchild这几家 小信号MOS主要Infineon、Vishay、Fairchild、强茂、三洋、Philips 大功率IGBT可选日本的一对牌子:三菱、富士、三洋
芦淞区13767277493： SOT - 23封装的PMOS管最大电流能做到多少?型号 - ？
人亨力唯： 没提到VDS的要求,最大的如VISHAY的:SI2333CDS :最大可以-5.1A,在VGS -0.45V; SI2377EDS 可以到-4.4A. 电流:电流(current)是表示电流强弱的物理量,通常用字母 I 表示,它的单位是安培,符号 A ,也是指电荷在导体中的定...
芦淞区13767277493： MOSFET(场效应管)高手进来,你们绝对懂的 - ？
人亨力唯： 从应用结构上看,由于MOSFET在可携式产品、LCD TV等消费性电子产品中的广泛应用,使得消费性电子成为MOSFET最大的应用市场;而凭借着在主机板中的大量应用,计算机领域居次,工业控制则是第三大应用领域.赛迪顾问预测,未来...
芦淞区13767277493： Ic电子元件a6sub性能 - ？
人亨力唯： Vishay品牌的N-MOS管,DS耐压是30V,常规通流量2、3A,栅极耐压是正负20V,封装是sot-23 这个管子的参数比较普通,应该有很多兼容的品牌型号
芦淞区13767277493： 移动电源保护板上有用到哪些MOS管和二三极管? - ？
人亨力唯： 说句实在的一般移动电源这类消费类产品、用的一般都是国产或者台产的居多、 像楼上说的的2301 、这颗料是VISHAY(SI2301CDS-TI-E3).价格却比台产的贵了几倍、像这种低压MOS其实国内技术做的也还不错了 、消费类产品 价格就是命、
芦淞区13767277493： p沟道mosfet有哪些,找什么品牌的比较好. - ？
人亨力唯： pinpai:vishay 封装:SOT-23 SI2301特点:晶体管类型:P沟道MOSFET 最大功耗PD:1.25W 栅极门限电压VGS:2.5V(典型值) 漏源电压VDS:-20V(极限值) 漏极电流ID:-2.3A 通态电阻RDS(on):0.145ohm(典型值) 栅极漏电流IGSS:±100nA 结温:-55℃to+150℃ 封装:SOT-23(TO-236) 替代型号:NCE2301 RTM2301 ACE2301 CMT2301 STS2301 这里给楼主举个例子吧,这类型号的产品太多了,自己花点时间去网上查一查的.
芦淞区13767277493： 电脑主板的MOS管是什么在哪个位置 - ？
人亨力唯： 那要看你的主板是什么牌子的,每个品牌的主板签的供应商都不一样,各家品牌的主板都有各自的喜好.我随意列举一些,完全说完是不可能的,主板的牌子太多了,而且不同的时期签约的供应商也会不同.华硕从P55开始喜欢用NXP的MOS管...
芦淞区13767277493： 请问场效应管si2302与si2302ds的区别是什么? - ？
人亨力唯： 其实这两颗mos管都是2302这个型号,只不过SI2302是市面上一般的2302打的中性标签,而SI2302DS是VISHAY的型号.场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.主要有两种类型(junction FET-JFET)和金属 - 氧...
芦淞区13767277493： 请问这个mos管是什么品牌的,是不是杂牌呢. - ？
人亨力唯： 不是杂牌,这是一颗N沟道增强型场效应晶体管,是台产尼克森微电子出品,NIKOS是NIKO-SEM的缩写.下图是这款MOSFET的参数表.
