TTL与CMOS电路的区别是什么？

TTL与CMOS电路的区别？~

TTL集成电路使用TTL管，也就是PN结。功耗较大，驱动能力强，一般工作电压+5V
CMOS集成电路使用MOS管，功耗小，工作电压范围很大，一般速度也低，但是技术在改进，这已经不是问题。
就TTL与CMOS电平来讲，前者属于双极型数字集成电路，其输入端与输出端均为三极管，因此它的阀值电压是3.4V为输出高电平。
而CMOS电平就不同了，他的阀值电压比TTL电平大很多。而串口的传输电压都是以COMS电压传输的。
1，TTL电平：
输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平
是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是
0.4V。
2，CMOS电平：
1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。

3，电平转换电路：
因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5vcmos 3.3v），所以互相连接时需
要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。哈哈

4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能
将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱
动门电路。

5，TTL和COMS电路比较：
1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常
现象。
3）COMS电路的锁定效应：
COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大
。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易
烧毁芯片。
防御措施：
1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。
2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。
3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。
4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电
源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS

数字集成电路中TTL与CMOS的区别，以及集成电路的用法

ttl是由晶体管构成的逻辑电路，这里所谓的ttl信号是一个电平标准。由于器件的电压不同，ttl电路和cmos电路定义的高低电平电压以及电流不一样。
所谓的需要加ttl信号就是可以以ttl标准的高或低电平信号来触发它。

用于高速，选TTL，功耗大，工作电压+5V；
用于低速低功耗，选CMOS，工作电压3~15V范围广。
另外，需要“扩展”能力大时（数字电路称“扇出系数”），用CMOS。
如果需要综合性能好，如速度较高、功耗低、工作电压适应范围广、电平转换、扇出系数大时，
用HCMOS----高速CMOS电路器件。

功耗
TTL门电路的空载功耗与CMOS门的静态功耗相比，是较大的，约为数十毫瓦（mw）而后者仅约为几十纳(10-9)瓦；在输出电位发生跳变时（由低到高或由高到低）,TTL和CMOS门电路都会产生数值较大的尖峰电流，引起较大的动态功耗。
速度
通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响 TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。电阻数值越大，工作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称为“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指标，其值越小，表明器件的性能越 好（一般约为几十皮（10-12）焦耳）。与TTL门电路的情况不同，影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部，即负载电容CL。CL是主要影响器件工作速度的原因。由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。
谢谢

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揭阳市17082951818： ttl电路和cmos电路的区别 - ？
潮咏盐酸： TTL与CMOS电路的区别TTL:双极型器件,一般电源电压 5V,速度快(数ns),功耗大(mA级),负载力大,不用端多数不用处理. CMOS:单级器件,一般电源电压 15V,速度慢(几百ns),功耗低,省电(uA级),负载力小,不用端...

揭阳市17082951818： TTL与CMOS电路的区别是什么? - ？
潮咏盐酸： ttl是由晶体管构成的逻辑电路,这里所谓的ttl信号是一个电平标准.由于器件的电压不同,ttl电路和cmos电路定义的高低电平电压以及电流不一样. 所谓的需要加ttl信号就是可以以ttl标准的高或低电平信号来触发它.

揭阳市17082951818： TTL和CMOS有啥区别? - ？
潮咏盐酸： 区别: 1、高低电平不同. TTL高电平3.6~5V,低电平0V~2.4V,CMOS电平Vcc可达到12V . 3、电路输出电平不同. CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc,而输出低电平约为 0.1Vcc. 4、电路不使用的输入端不同. CMOS电路不使用的输入端...

揭阳市17082951818： CMOS和TTL的区别 - ？
潮咏盐酸： CMOS器件的优点是功耗低、工作电压范围较宽、输入阻抗很高、扇出系数很大;TTL器件的优点则是驱动能力稍强,对输入信号电平的幅值要求也比CMOS器件宽松些.

揭阳市17082951818： TTL与CMOS电路的区别?？
潮咏盐酸： TTL集成电路使用TTL管,也就是PN结.功耗较大,驱动能力强,一般工作电压+5V CMOS集成电路使用MOS管,功耗小,工作电压范围很大,一般速度也低,但是技术在改进,这已经不是问题.就TTL与CMOS电平来讲,前者属于双极型数字...

揭阳市17082951818： ttl门电路和cmos门电路有什么区别 - ？
潮咏盐酸： TTL是由晶体管构成的逻辑电路,这里所谓的TTL信号是一个电平标准.由于器件的电压不同,TTL电路和CMOS电路定义的高低电平电压以及电流不一样. 所谓的需要加TTL信号就是可以以TTL标准的高或低电平信号来触发它.

揭阳市17082951818： TL系列和CMOS系列数字集成电路的主要区别在哪里? - ？
潮咏盐酸： TTL电路是由三极管构成的 全称Transistor-Transistor Logic,即BJT-BJT逻辑门电路,是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路,应用较早,技术已比较成熟.TTL主要有BJT(Bipolar Junction Transistor 即双极结型晶体管,晶体三极管)和电阻构...

揭阳市17082951818： cmos与ttl的区别?好像在multisim中有的元件一样. - ？
潮咏盐酸： 从电性能上来说,TTL电路工作电压范围较窄,输入阻抗低于CMOS电路,功耗略大,优点是速度较高,驱动能力也较强,综合起来扇出系数稍低; CMOS逻辑电路工作电压范围较宽,速度略低(主要是40系列器件),驱动能力也较强,而且输入阻抗极高,综合起来扇出系数非常大. 在逻辑电平方面,TTL电路对输入电平质量的要求不象CMOS电路那么严格,但是现在很多CMOS电路也可以作成和TTL电路一样的输入规范,如74HCT、74AHCT、74ACT、74VCT、74ABT等系列逻辑器件,综合了TTL和CMOS电路的优点,是设计电路的最佳选择.

揭阳市17082951818： TTL元件和CMOS元件的区别是什么? - ？
潮咏盐酸： 1.电平的上限和下限定义不一样,CMOS具有更大的抗噪区域. 同是5伏供电的话,ttl一般是1.7V和3.5V的样子,CMOS一般是 2.2V,2.9V的样子,不准确,仅供参考. 2.电流驱动能力不一样,ttl一般提供25毫安的驱动能力,而 CMOS一般在10毫安左右. 3.需要的电流输入大小也不一样,一般ttl需要2.5毫安左右,CMOS 几乎不需要电流输入. 3.很多器件都是兼容ttl和CMOS的,datasheet会有说明.如果不考虑 速度和性能,一般器件可以互换.但是需要注意有时候负载效应可能 引起电路工作不正常,因为有些ttl电路需要下一级的输入阻抗作为 负载才能正常工作

揭阳市17082951818： 什么是TTL电平,CMOS电平?区别 - ？
潮咏盐酸： 1.CMOS是场效应管构成(单极性电路),TTL为双极晶体管构成(双极性电路) 2.COMS的逻辑电平范围比较大(5~15V),TTL只能在5V下工作 3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差4.CMOS功耗很...