功率场效应管和三极管的导通饱和压降各有什么特点？
功率场效应管和三极管的导通饱和压降的特点如下：
1、功率场效应管是电压控制器件，如果驱动电压不够，导通时流过的饱和电流越大、压降也会上升，并且与温度成正比（在电源里可防磁饱和），驱动电压足够时、导通压降一般会比三极管高，开关频率速度较快（因结电容小）。
2、三极管是电流控制器件，如果驱动电流不够，饱和时流过的电流越大、压降就会上升；如果有足够的驱动电流、饱和压降都很小的，开关频率效果不好、速度较慢（因结电容大）。
功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。
功率场效应管和三极管的导通饱和压降的特点如下：
1、功率场效应管是电压控制器件，如果驱动电压不够，导通时流过的饱和电流越大、压降也会上升，并且与温度成正比（在电源里可防磁饱和），驱动电压足够时、导通压降一般会比三极管高，开关频率速度较快（因结电容小）。
2、三极管是电流控制器件，如果驱动电流不够，饱和时流过的电流越大、压降就会上升；如果有足够的驱动电流、饱和压降都很小的，开关频率效果不好、速度较慢（因结电容大）。
功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。
1、功率场效应管是电压控制器件，如果驱动电压不够，导通时流过的饱和电流越大、压降也会上升，并且与温度成正比（在电源里可防磁饱和），驱动电压足够时、导通压降一般会比三极管高，开关频率速度较快（因结电容小）。
2、三极管是电流控制器件，如果驱动电流不够，饱和时流过的电流越大、压降就会上升；如果有足够的驱动电流、饱和压降都很小的，开关频率效果不好、速度较慢（因结电容大）。
功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。
功率三极管的饱和导通电压比较小，大功率管的Uces在1-3V。功率场效应的饱和导通电压要稍大，通常Udss在5V以上。
三极管,场效应管,可控硅如何区别
5．场效应管在源极水与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b值将减小很多。6．场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。7．场效应管和三极管均可组成各种放大电路和...
三极管和场效应管工作原理是一样的吗?
集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。（1）场效应...
场效应管 VS 三极管
场效应管：电压控制，功耗低，但是易击穿 三极管：电流控制，功耗高 现代集成电路几乎100%使用场效应管，因此非常怕静电
什么情况用三极管,什么情况用场效应管?
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。场效应管的使用情况及作用：1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大...
从应用场合来分析三极管和场效应管的本质区别是什么 !
场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的，三极管与场效应管区别见下表。场效应管是电压控制元件，而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应...
功率场效应管和三极管的导通饱和压降各有什么特点?
功率场效应管和三极管的导通饱和压降的特点如下：\\x0d\\x0a1、功率场效应管是电压控制器件，如果驱动电压不够，导通时流过的饱和电流越大、压降也会上升，并且与温度成正比（在电源里可防磁饱和），驱动电压足够时、导通压降一般会比三极管高，开关频率速度较快（因结电容小）。\\x0d\\x0a\\x0d\\x0...
场效应管与三极管有何相同之处?G与B需要提供开启电压吗?
高输入电阻是场效应管的突出优点。 3．场效应管的漏极和源极可以互换，耗尽型绝缘栅管的栅极电压可正可负，灵活性比双极型三极管强。4 场效应管和三极管都可以用于放大或作可控开关。但场效应管还可以作为压控电阻使用，可以在微电流、低电压条件下工作。且便于集成。在大规模和超大规模集成电路中应用...
MOS管和三极管有什么区别?
一、主体不同 1、MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。2、三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。二、作用不同 1、MOS管：管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。2、三极管：是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作...
三极管和场效应管的区别
三极管和场效应管的主要区别在于三极管的放大或者开关功能依赖基极的电流分量。场效应管的放大和开关功能依赖于栅极的电压分量。其他还有开关时间特性的区别，一般晶体三极管大电流的开关速度远比不上场效应管。
MOS管和三极管有什么区别?
结论：MOS管和三极管是两种不同的半导体器件，它们在构造、作用和特点上有着显著的区别。MOS管，全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管，其主要由金属层和氧化物绝缘层构成，属于绝缘栅场效应管。它的源极和耗尽层可以互换，两者在P型半导体基板上形成N型区域，这为其提供了独特的灵活性。MOS管主要用于...
晨英比沙： 功率三极管的饱和导通电压比较小,大功率管的Uces在1-3V.功率场效应的饱和导通电压要稍大,通常Udss在5V以上.
南部县13388188814： 三极管的饱和管压降指的是 - ？
晨英比沙： 三极管的饱和压降指的是工作在开关状态的三极管处于导通状态时的发射极与集电极之间的压降,一般在1V左右.
南部县13388188814： 模拟电子技术中的 三极管 饱和管压降 Uces 是指什么概念 - ？
晨英比沙： 饱和管压降也就是临界饱和电压,理论上说是放大区与饱和区的边界.对于小功率管来说,大概是0.7V左右,对于大功率管子来说,可以达到2-3V. 工程中,其实饱和和放大的边界远没有那么清楚,是一个很模糊的概念,对于小功率管而言,基本上UCE=1V开始,就逐步进入饱和区了,UCE越小,饱和程度越深.到了UCES后,就完全进入饱和状态了,但是饱和程度还可以继续加深,小功率管最多可以达到UCE=0.3V左右,这时候可以说是深度饱和了. UCES这个数值在功率放大电路计算过程中特别有用,可以计算功率管自身管耗,进而计算效率. 把追问也回答好吧. 你按UCES计算出来的是放大区的最大基极电流,但对于饱和区来说,这个电流还不是最大的基极电流.
南部县13388188814： 功率三极管和功率场效应管作为开关元件各有何特点 - ？
晨英比沙： 功率三极管的饱和导通电压比较小,大功率管的Uces在1-3V.功率场效应的饱和导通电压要稍大,通常Udss在5V以上.
南部县13388188814： 大功率三极管的饱和压降为什么比普通三极管大 - ？
晨英比沙： 这是因为,同样偏置电压情况下大功率三极管ic比一般小功率管要大(实际上大功率三极管的偏压较高).在饱和情况下,由以下关系式 IC≈EC/RC.
南部县13388188814： 模拟电子技术中的三极管饱和管压降Uces是指什么概念饱和管压降是指Uce工作在放大状态时的最小电压吗电压小于这个的话是不是会造成基极电流过大或者... - ？
晨英比沙：[答案] 饱和管压降也就是临界饱和电压,理论上说是放大区与饱和区的边界.对于小功率管来说,大概是0.7V左右,对于大功率管子来说,可以达到2-3V. 工程中,其实饱和和放大的边界远没有那么清楚,是一个很模糊的概念,对于小功率管而言,基本...
南部县13388188814： 小功率硅三极管的饱和压降为什么是0.3v?有人能解释清楚吗? - ？
晨英比沙： 三极管在饱和状态的压降是跟它的饱和深度及集电极电流的大小有关.一般驱动电流Ib越大,管子饱和越深(在一定范围内),其饱和压降越小;在相同的Ib下,集电极电流越小,管子的饱和压降也越小. 三极管在饱和状态时,集电极压降未必...
南部县13388188814： 哪一种三极管或场效应管饱和压降比较低 小功率的 - ？
晨英比沙： ao3400,N沟道的场效应管,sot23封装,30V耐压,导通电阻<100毫欧,过100mA电流时压降不到10mV.不知如何?
南部县13388188814： 小功率硅三极管的饱和压降为什么是0.3v?模电书上都是这样定义的,三极管临界饱和时的管压降,临界饱和时Vce=Vbe,即Vbc=0,硅管区饱和压降... - ？
晨英比沙：[答案] 对于NPN型的硅三极管,0.7V是PN结正偏时的导通压降,即Ube就是B到E间的PN结——发射结的压降.而0.3V 是三极管饱和时C到E之间的压降.由于饱和时,三极管中的两个PN结的偏置为:发射结正偏(Ub>Ue),集电结正偏(Ub>Uc),因此...
南部县13388188814： 模拟电子技术中的 三极管 饱和管压降 Uces 是指什么概念饱和管压降是指Uce 工作在放大状态时的最小电压吗 电压小于这个的话是不是会造成基极电流过大 ... - ？
晨英比沙：[答案] 饱和管压降也就是临界饱和电压,理论上说是放大区与饱和区的边界.对于小功率管来说,大概是0.7V左右,对于大功率管子来说,可以达到2-3V.工程中,其实饱和和放大的边界远没有那么清楚,是一个很模糊的概念,对于小功率管而...
