什么是MOS场效应管？

场效应和MOS管有什么区别呢？~

一、主体不同
1、场效应：V型槽MOS场效应管。是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。
2、MOS管：金属-氧化物-半导体型场效应管属于绝缘栅型。
二、特性不同
1、场效应：不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。
2、MOS管：主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。


三、规则不同
1、场效应：将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。
2、MOS管：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。

参考资料来源：百度百科-场效应管
参考资料来源：百度百科-MOSFET

MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即半导体金属氧化物，它是集成电路中的材料，现在也可指代芯片．MOS内部的结构和二极管、三极管差不多，由P-N结构成，P是正的意思(positive)，N是负的意思(negative).由于正负离子的作用，在MOS内部形成了耗尽层和沟道，耗尽层里的正负离子相互综合，达到了稳定的状态，而沟道是电子流通的渠道，耗尽层和沟道一般是相对的耗尽层窄了，沟道就宽了，反之亦然．
MOS的功能和三极管差不多主要是放大电路，MOS可分为HMOS（高密度MOS)和CMOS(互补MOS),两种合起来又有了CHMOS.
以上答案如有不足，请多指教！
参考资料：模拟书等

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。
或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。 　　场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
MOS管的工作原理：
先考察一个更简单的器件－MOS电容－能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地，gate接不同的电压来说明。MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中，这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位。这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来，它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了，所以载流子浓度的变化非常小，对器件整体的特性影响也非常小。 　　
当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高，会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子，硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion，反转的硅层叫做channel。随着GATE电压的持续不断升高，越来越多的电子在表面积累，channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。当电压差超过阈值电压时，channel就出现了。 　　
MOS电容：（A）未偏置（VBG＝0V），（B）反转（VBG＝3V），（C）积累（VBG＝-3V）。 　　中是当MOS电容的GATE相对于backgate是负电压时的情况。电场反转，往表面吸引空穴排斥电子。硅表层看上去更重的掺杂了，这个器件被认为是处于accumulation状态了。 　　MOS电容的特性能被用来形成MOS管。Gate，电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source，另一个称为drain。假设source 和backgate都接地，drain接正电压。只要GATE对BACKGATE的电压仍旧小于阈值电压，就不会形成channel。Drain和backgate之间的PN结反向偏置，所以只有很小的电流从drain流向backgate。如果GATE电压超过了阈值电压，在GATE电介质下就出现了channel。这个channel就像一薄层短接drain和source的N型硅。由电子组成的电流从source通过channel流到drain。总的来说，只有在gate 对source电压V 超过阈值电压Vt时，才会有drain电流。 　　
在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性。定义上，载流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。这种情况下，电路设计师必须指定一个是drain另一个是source。 　　
Source和drain不同掺杂不同几何形状的就是非对称MOS管。制造非对称晶体管有很多理由，但所有的最终结果都是一样的。一个引线端被优化作为drain，另一个被优化作为source。如果drain和source对调，这个器件就不能正常工作了。 　　
晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE正向偏置，电子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就积累，没有channel形成。如果GATE相对于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了。因此PMOS管的阈值电压是负值。由于NMOS管的阈值电压是正的，PMOS的阈值电压是负的，所以工程师们通常会去掉阈值电压前面的符号。一个工程师可能说，“PMOS Vt从0.6V上升到0.7V”， 实际上PMOS的Vt是从-0.6V下降到-0.7V。
http://baike.baidu.com/view/1221507.htm

mos管的作用如下：
1、MOS工作在导通区或者截止区的时候可以当开关使用。外加PWM信号可以用于调压，电机调速等方面。
2、几个MOS管搭配可以起到单向导通的作用（类似二极管单向导通），比二极管有优势的地方是压降小、功耗低，导通电流大。低电压大电流的情况下优势更明显；
3、工作在可变电阻区的时候可以当一个电阻使用，一般集成芯片中的电阻就是使用这种方式的电阻，优势是生产方便，体积小巧。
4、工作在可变电阻区还可以起到放大的作用，与三极管放大电路类似。

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管属于电压控制元件，这一特点类似于电子管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。
特点:
　　（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID；
　　（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。
　　（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
　　（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
　　（5）场效应管的抗辐射能力强；
　　（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低
主要作用
　　1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
　　2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
　　3.场效应管可以用作可变电阻。
　　4.场效应管可以方便地用作恒流源。
　　5.场效应管可以用作电子开关
产品特性
　　(1)转移特性：栅极电压对漏极电流的控制作用称为转移特性。
　　(2)输出特性： UDS与ID的关系称为输出特性。
　　(3)结型场效应管的放大作用：结型场效应管的放大作用一般指的是电压放大作用
使用优势
　　场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。
　　有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
　　场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
深圳市瑞光电子经营部 就是专门卖仙童场效应管的 有空百度看看 挺不错的

开关管

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阜新市13023957293： MOS场效应管 - 搜狗百科？
钞详亚莫： MOS管一般又叫场效应管,与二极管和三极管不同,二极管只能通过正向电流,反向截止,不能控制,三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流,MOS管是小电压控制电流的. MOS管的输入电阻极大,兆欧级的,容易驱动,但是价格比三极管要高,一般适用于需要小电压控制大电流的情况,电磁炉里一般就是用的20A或者25A的场效应管. 拓展资料: MOS电容的特性能被用来形成MOS管.Gate,电介质和backgate保持原样.在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域.其中一个称为source,另一个称为drain.假设source 和backgate都接地,drain接正电压.

阜新市13023957293： 什么是MOS场效应管 - ？
钞详亚莫： 金融-氧化物-半导体

阜新市13023957293： 什么叫mos场效应管 - ？
钞详亚莫： 1.概念:场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.特点:具有输入电阻高(100000000~1000000000Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、...

阜新市13023957293： 线路板上的mos管是什么? - ？
钞详亚莫： mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体.MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区.在多数情况下,这个两个区是...

阜新市13023957293： 什么是场效应管MOS管? ？
钞详亚莫： 什么是场效应管MOS管?与双极型晶体管相比,场效应管具有如下特点.(1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流);(2)场效应管的控制输入端电流极小,因此它的输入电阻(107~1012Ω)很大.(3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数;(5)场效应管的抗辐射能力强;(6)由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低.

阜新市13023957293： 什么是场效应管? - ？
钞详亚莫： 场效应管 现在越来越多的电子电路都在使用场效应管,特别是在音响领域更是如此,场效应管与晶体管不同,它是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器...

阜新市13023957293： 什么是MOS管? ？
钞详亚莫： MOS管全名MOSFET,中文名叫场效应管,取英文名的字头简称MOS管,是电压控制元件,在无刷电动机控制电路中还叫功率开关管.MOS管是开关型晶体管,只有通和断两种状态,通就是开,关是断.以开通和关断时间比例来控制输出电压高低,叫做占空比,电动自行车的控制器和充电器都离不开MOS管来控制输出电压.

阜新市13023957293： MOS场效应管,其中MOS是什么意思啊!!! - ？
钞详亚莫： MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即半导体金属氧化物,它是集成电路中的材料,现在也可指代芯片.MOS内部的结构和二极管、三极管差不多,由P-N结构成,P是正的意思(positive),N是负的意思(negative).由于正负离子的作用,在MOS内部形成了耗尽层和沟道,耗尽层里的正负离子相互综合,达到了稳定的状态,而沟道是电子流通的渠道,耗尽层和沟道一般是相对的耗尽层窄了,沟道就宽了,反之亦然. MOS的功能和三极管差不多主要是放大电路,MOS可分为HMOS(高密度MOS)和CMOS(互补MOS),两种合起来又有了CHMOS. 以上答案如有不足,请多指教! 参考资料:模拟书等

阜新市13023957293： MOS管子是什么啊?求助~!~ - ？
钞详亚莫： MOS管就是场效应管,电源IC就是给CPU供电的