三极管 k40t120 的参数

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k40t1202和fgl40n120这两个igbt都是参数一样吗?为什么体积大小不一样?~

参数不一样,因为电压支持不同,所以粗细规格也不同。
40N150是40A/1500V。而40N120是40A/1200V。

扩展资料:
输出特性与转移特性:
IGBT的伏安特性是指以栅极电压VGE为参变量时,集电极电流IC与集电极电压VCE之间的关系曲线。IGBT的伏安特性与BJT的输出特性相似,也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部分。IGBT作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区。
IGBT的转移特性是指集电极输出电流IC与栅极电压之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同,当栅极电压VGE小于开启电压VGE(th)时,IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分集电极电流范围内,IC与VGE呈线性关系。
IGBT与MOSFET的对比:
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
主要优点:热稳定性好、安全工作区大。
缺点:击穿电压低,工作电流小。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。
参考资料来源:百度百科-IGBT

不可以。参数不一样,因为电压支持不同,所以粗细规格也不同。
40N150是40A/1500V。而40N120是40A/1200V。
利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,仅靠半导体中的多数载流子导电,FET 英文为Field Effect Transistor,简写成FET。

扩展资料:
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。
因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次,VGS向负的方向变化,让VGS=VGS(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源极的很短部分,这更使电流不能流通。
参考资料来源:百度百科-场效应管

1200V..40A..

N沟道场效应管。




绍兴县18064523302: 三极管 k40t120 的参数 -
笃辉常克: 1200V..40A..N沟道场效应管.

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笃辉常克: 不可以.参数不一样,因为电压支持不同,所以粗细规格也不同. 40N150是40A/1500V.而40N120是40A/1200V. 利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,仅靠半导体中的多数载流子导电,FET 英文为Field ...

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笃辉常克: 是场效应管不是电子管

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