SI2315场效应管漏极的电压怎样流到源极的
作者&投稿：迪固 （若有异议请与网页底部的电邮联系）
看这样可以不：
当vGS增大到一定值VP 时，两侧的耗尽层将在沟道中央合拢，沟道全部被夹断。由于耗尽层中没有载流子，因此这时漏-源极间的电阻将趋于无穷大，即使加上一定的电压vDS，漏极电流iD也将为零。这时的栅-源电压称为夹断电压，用VP表示。
设vGS值固定，且VP<vGS<0。当漏-源电压vDS从零开始增大时，沟道中有电流iD流过。由于沟道存在一定的电阻，因此，iD沿沟道产生的电压降使沟道内各点的电位不再相等，漏极端电位最高，源极端电位最低。这就使栅极与沟道内各点间的电位差不再相等，其绝对值沿沟道从漏极到源极逐渐减小，在漏极端最大(为 vGD|)，即加到该处P+N结上的反偏电压最大，这使得沟道两侧的耗尽层从源极到漏极逐渐加宽，沟道宽度不再均匀，而呈楔形，
当vDS增加到vDS=vGS-VP，即vGD=vGS -vDS=VP(夹断电压)时，漏极附近的耗尽层即在上部合拢，这种状态称为预夹断。与前面讲过的整个沟道全被夹断不同，预夹断后，漏极电流iD≠0。因为这时沟道仍然存在，沟道内的电场仍能使多数载流子(电子)作漂移运动，并被强电场拉向漏极。若vDS继续增加，使vDS＞vGS－VP,即vGD＜VP时，耗尽层合拢部分会有增加，即漏极向源极方向延伸，夹断区的电阻越来越大，但漏极电流iD却基本上趋于饱和，iD不随vDS的增加而增加。因为这时夹断区电阻很大，vDS的增加量主要降落在夹断区电阻上，沟道电场强度增加不多，因而iD基本不变。
你的电路不完整，电压转换是通过控制MOS的导通率、由T2完成的。
请看 datasheet承裕安普： 漏极相当于双极型晶体管的C极,源极相当于e极,栅极相当b极,但二者的控制原理不一样,场效应管为压控器件,晶体管为流控器件.当栅源电压大于开启电压时,漏源之间导通,电流由漏极流向源极.也就是说漏极是接正电压的,源极接地.
唐山市19780289345： 场效应管的夹断电压与开启电压的关系? - ？
承裕安普： 场效应管的开启电压就是刚刚想成反型层,产生感生沟道时栅极和源极金的电压, 夹断电压就是沟道形成之后在源极和漏极之间加电压,那么漏极的Id电流会逐渐加大,沟道会成逐渐变成楔形,当一端刚好反型层消失时,就是进入夹断区域这时漏极电压就是夹断开始的电压,经过在夹断区域后Id电流保持不变,就如同双极性晶体管放大区一样.之后漏极电压逐渐变大,直到反型层全部消失,这就是最后完全夹断的电压.
唐山市19780289345： 场效应管问什么漏极接负载时压降小,源极接负载时压降大 - ？
承裕安普： 不是所有场效应管而是MOS,vMOS,MES,等绝缘栅型场效应管,以N沟道为例-当漏源电压小于栅源电压时工作于导通态,否则工作于夹断(恒流)状态,故漏极接负载时有利于进入理想导通态,压降小……略…….
唐山市19780289345： 场效应管的漏极与源极电压都是5.1伏,是不是管子坏了,求解,谢谢 - ？
承裕安普： 如果漏极和源极短路,是场效应管坏了……不过要确定栅极源极不存在电压——也就是把栅极源极短路一次后在测量;三个脚都短路,那更坏了.一般可用指针式万用表的电阻档(最好用R*1K档)测量,也可用数字万用表二极管档测量.
唐山市19780289345： 场效应管源极电流和漏极电流是否相等 - ？
承裕安普： 场效应管是电压控制型,输入电阻很高,可以达到亿欧或兆亿欧的数量级,所以说其栅极电流数量级很小,基本为零.在场效应管漏源导通时,其漏极电流和源极电流可以说是相等的.
唐山市19780289345： MOS场效应管源极\栅极/漏极电压分别是多少伏? - ？
承裕安普：[答案] 这个管子是N沟道MOS管,75伏75安最大300安.正常使用不能超过75伏. MOS管使用常识: 栅极悬空是不允许的,会击穿.
唐山市19780289345： 谁知道场效应管的预夹断电压的形成? - ？
承裕安普： 场效应管工作时,漏极和源极之间有一电压Vds,而栅极和源极之间也有一电压Vgs.Vds增加时,由电流Id流过,由于沟道存在一定的电阻,因此,Id沿沟道产生的电压降使沟道内各点的电位不再相等,漏极端电位最高,源极端最低.这就使栅...
唐山市19780289345： 场效应管的开启电压是哪个极 - ？
承裕安普： 栅极对源极电压大于开启电压,源极对漏极就会导通,导通程度决定于栅-源电压.
唐山市19780289345： 带电测场效应管的随便两极间电压,有什么后果,测哪两极不会有危险和坏,谢谢 - ？
承裕安普： 容易击穿场管,测量源级s和漏极d一般没有关系的,栅极g尽量不要测,因为场管是电压放大型,微弱的电压就很能让管子导通击穿.
唐山市19780289345： 场效应管开启电压多少伏 ？
承裕安普： 不同场效应管的开启电压是不同的,低的3-5V,高的5-10V,具体开启电压需要查询相应型号场效应管手册.场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效...
